EpiValley Co., Ltd.
Gumi-City, Gyungsangbuk-do 730-030
Patents
Verfahren zur Zucht von GaN-Einkristallen
EP1876270
Verfahren zum Züchten eines GaN-Einkristalls, Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis und Element auf GaN-Basis
EP2192625
Verfahren zum Züchten eines GaN-Einzelkristalls, Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis und Element auf GaN-Basis
EP2194167
Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis
EP2197049
Verfahren zur Herstellung eines Elements auf GaN-Basis
EP2219236
III-NITRIDVERBINDUNGS-HALBLEITER-LICHTEMISSIONSBAUELEMENT
EP1721341
HALBLEITER-LED-BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
EP1320902
Possessur da 7 patents, 0 en vigur.
Da Swissreg, il register da l’Institut federal da la proprietad intellectuala: patents svizzers e patents europeics cun effect en Svizra. In patent figurescha qua, sch’il num da ses possessur è il num da questa unitad giuridica.