Strahlungsgeschützter Bipolartransistor

Patent europeic · EP2472572 · Stritgà

Inscripziun en il register

Numer da publicaziun
EP2472572
Numer da la dumonda
EP11196036
Gener
Patent europeic cun effect per la Svizra ed il Liechtenstein
Status
Stritgà
Scrittira da patent
Concedì
Annunzià
29-12-2011
Publitgà
04-07-2012
Concedì
20-12-2017
Stritgà
31-12-2017
Motiv
Taxa annuala betg pajada
Classas IPC
H01L 21/331 (2006.01)
H01L 29/732 (2006.01)
H01L 29/40 (2006.01)
Prioritad
IT MI20102448 29.12.2010
Lingua da l’annunzia
englais
Funtauna
Swissreg

Istorgia

Quai che l’Institut federal da la proprietad intellectuala ha publitgà davart quest titel, il pli nov l’emprim.

  1. 18-07-2018

    Stritgà, taxa betg pajada

    Published in Swissreg on 18.07.2018

  2. 20-12-2017

    Concedì

    Published in Swissreg on 20.12.2017

Partidas

Possessur

STMicroelectronics Srl

Via Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza, IT

STMicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd.

5A, Serangoon North Avenue 5, Singapore 554574, SG

Inventur

Patti, Alfonso

95030 Tremestieri Etneo (CT), IT

Schillaci, Antonino

98125 Messina, IT

Marrone, Bartolomeo

95123 Catania, IT

Grasso, Gianleonardo

95014 Giarre (CT), IT

Kumar, Rajesh

680548 Singapore, IT

Il register numna mintga partida cun num ed adressa. In possessur u in represchentant vegn collià cun in’organisaziun, sch’exact ina unitad giuridica dal register da commerzi porta ses num; la via d’ina partida betg enconuschida uschia na vegn betg mussada qua.