Leistungstransistor mit segmentiertem Gate

Patent europeic · EP2629334 · Stritgà

Inscripziun en il register

Numer da publicaziun
EP2629334
Numer da la dumonda
EP13153373
Gener
Patent europeic cun effect per la Svizra ed il Liechtenstein
Status
Stritgà
Scrittira da patent
Concedì
Annunzià
31-01-2013
Publitgà
21-08-2013
Concedì
31-01-2018
Stritgà
31-01-2018
Motiv
Taxa annuala betg pajada
Classas IPC
H01L 29/423 (2006.01)
Prioritad
US 201261600407 P 17.02.2012
US 201313750986 25.01.2013
Lingua da l’annunzia
englais
Funtauna
Swissreg

Istorgia

Quai che l’Institut federal da la proprietad intellectuala ha publitgà davart quest titel, il pli nov l’emprim.

  1. 22-08-2018

    Stritgà, taxa betg pajada

    Published in Swissreg on 22.08.2018

  2. 31-01-2018

    Concedì

    Published in Swissreg on 31.01.2018

Partidas

Possessur

Infineon Technologies Americas Corp.

101 N. Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245, US

Inventur

Briere, Michael A.

Scottsdale, AZ Arizona 85266, US

Thapar, Naresh

San Diego, CA 92130, US

Il register numna mintga partida cun num ed adressa. In possessur u in represchentant vegn collià cun in’organisaziun, sch’exact ina unitad giuridica dal register da commerzi porta ses num; la via d’ina partida betg enconuschida uschia na vegn betg mussada qua.