AS 1999 3148
Ordinanza sull'esportazione, l'importazione e il transito dei beni utilizzabi a fini civili e militari e dei e beni militari speciali (Ordinanza sul controllo dei beni a duplice impiego, OBDI)
Ordinanza sull’esportazione, l’importazione e il transito dei beni utilizzabili a fini civili e militari e dei beni militari speciali (Ordinanza sul controllo dei beni a duplice impiego, OBDI)
Modifica del 31 agosto 1999
Il Dipartimento federale dell’economia, visto l’articolo 22 capoverso 2 della legge del 13 dicembre 19961 sul controllo dei beni a duplice impiego, ordina:
I Gli allegati dell’ordinanza del 25 giugno 19972 sul controllo dei beni a duplice im- piego sono modificati secondo la versione qui annessa.
II La presente modifica entra in vigore il 1° gennaio 2000.
31 agosto 1999 Dipartimento federale dell’economia: Couchepin
3148 1999-5200
Ordinanza sul controllo dei beni a duplice impiego RU 1999
Allegato 1
Definizioni dei termini I riferimenti alla(e) categoria(e) sono indicati a sinistra delle definizioni.
6 Accordabile (tunable):
Capacità di un laser di produrre energia continua su tutte le lunghezze d’onda comprese nella gamma di più transizioni laser. Un laser a selezio- ne di riga produce lunghezze d’onda discrete con una transizione laser e quindi non è considerato accordabile.
2 Addensamento isostatico a caldo (hot isostatic densification):
Processo di compressione di una fusione a temperature superiori a 102° C (375 K) in cavità chiusa tramite vari mezzi (gas, liquido, particelle solide ecc.) in modo da creare forze uguali in tutte le direzioni per ridurre o eli- minare vuoti interni nella fusione. MB 8 Additivi (additives): Sostanze impiegate nella preparazione di esplosivi per migliorarne le pro- prietà. 1, 7, 9 Aeromobile (aircraft): MB 8, Veicolo aereo ad ala fissa, ala a geometria variabile, ala rotante MB 9, (elicottero), rotore basculante o ala basculante (cfr. anche aeromobile ci- MB 10 vile). 1, 7, 9 Aeromobile civile (civil aircraft): MB 10 Il termine aeromobile civile comprende solo quei tipi di aeromobili elen- cati sotto precisa denominazione nelle liste pubbliche di certificazione di navigabilità aerea emesse dai servizi dell’aviazione civile per linee com- merciali civili nazionali ed internazionali o per uso dichiaratamente civile, privato o di affari (cfr. anche aeromobile). MB 7 Agenti anti-sommossa (riot control agents): Sostanze che provocano irritazioni all’organismo umano o un’incapacità fisica temporanea e che scompaiono nel giro di pochi minuti non appena l’esposizione è terminata. Non esistono rischi importanti di lesioni per- manenti e un trattamento medico è raramente necessario.
5 Agilità di frequenza (salti di frequenza) (frequency agility or frequency
hopping): Forma di spettro esteso nel quale la frequenza di trasmissione di un ca- nale di comunicazione singolo è modificata in progressione discontinua.
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6 Agilità di frequenza per radar (radar frequency agility):
Tecnica di qualsiasi tipo che modifica, secondo una sequenza pseudo- casuale, la frequenza portante di un trasmettitore radar ad impulsi, tra gli impulsi o gruppi di impulsi, di una quantità uguale o superiore alla banda passante dell’impulso.
5 Algoritmo asimmetrico (asymmetric algorithm):
Algoritmo crittografico che utilizza chiavi di cifratura e decrittazione di- verse e maticamente correlate Nota: Gli algoritmi asimmetrici sono comunemente usati per la gestione delle chiavi.
5 Algoritmo simmetrico (symmetric algorithm):
Algoritmo crittografico che utilizza una stessa chiave sia per la cifratura che per la decrittazione. Nota: Gli algoritmi simmetrici sono comunemente usati per la riservatezza dei dati.
5 Amplificazione ottica (optical amplification):
Tecnica di amplificazione nel campo delle comunicazioni ottiche che in- troduce un guadagno di segnali ottici, generati da una sorgente ottica se- parata, senza conversione in segnali elettrici, cioè mediante l’uso di am- plificatori ottici a semiconduttore, amplificatori di luce a fibre ottiche.
3 Analizzatori di segnali (signal analyser):
Strumento in grado di misurare e visualizzare le proprietà fondamentali delle singole componenti di frequenza di segnali multifrequenza. Nota: Cfr. anche analizzatori dinamici di segnali.
3 Analizzatori dinamici di segnali (dynamic signal analyser):
Analizzatori di segnali che impiegano tecniche numeriche di campiona- mento e di trasformazione per visualizzare uno spettro di Fourier di una data forma d’onda contenente informazioni di ampiezza e di fase. Nota: Cfr. anche analizzatori di segnali.
5, 6 Antenna ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente (electronically steerable phased array antenna): Antenna che forma un fascio a mezzo di un accoppiamento di fase, cioè la direzione del fascio è controllata dai coefficienti complessi di eccitazione degli elementi radianti e la direzione del fascio può essere modificata in azimut o in elevazione, o in entrambi, mediante l’applicazione di un se- gnale elettrico sia in trasmissione che in ricezione.
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9 Apparecchiature di produzione (production equipment):
Tali apparecchiature sono costituite da: utensili, sagome, maschere, man- drini, stampi, matrici, attrezzi, meccanismi di allineamento, apparecchia- ture di collaudo, altri macchinari e loro componenti, limitatamente a quelli appositamente progettati o modificati per lo sviluppo o per una o più fasi di produzione. Nota: La presente definizione si riferisce alle apparecchiature di produzione menzionate nelle voci 101-199 dell’allegato 2.
3, 4, 5 Assieme elettronico (electronic assembly): Gruppo di componenti elettronici (cioè elementi di circuiti, componenti discreti, circuiti integrati ecc.) collegati assieme per realizzare una o più funzioni specifiche, sostituibili come entità e normalmente smontabili. Nota: 1.nElemento di circuito (circuit element): unità funzionale singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capa- cità ecc. 2.nComponente discreto (discrete element): elemento di circuito in contenitore separato avente connessioni esterne proprie.
1 Atomizzazione a gas (gas atomisation):
Processo per ridurre una colata di lega metallica in goccioline di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri per mezzo di un flusso di gas ad alta pressione.
1 Atomizzazione centrifuga (rotary atomisation):
Processo per ridurre una colata o un bagno di metallo fuso in goccioline di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri per mezzo di una forza centrifuga.
1 Atomizzazione sottovuoto (vacuum atomisation):
Processo per ridurre una colata di metallo fuso in goccioline di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri per mezzo dell’evaporazione rapida di un gas disciolto in condizioni di esposizione al vuoto.
3 Banda passante in tempo reale (real-time bandwidth):
Per gli analizzatori dinamici di segnale è la più ampia gamma di frequen- za che l’analizzatore può fornire all’indicatore o alla memoria di massa senza causare discontinuità nell’analisi dei dati di ingresso. Per gli analiz- zatori con più di un canale, si utilizzerà, per effettuare il calcolo, la confi- gurazione dei canali che danno la più larga banda passante in tempo reale. 3, 5 Banda passante istantanea (instantaneous bandwidth): Larghezza di banda sulla quale la potenza di uscita rimane costante entro
3 dB senza variazione degli altri parametri di funzionamento.
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MB 7 Biocatalizzatori (biocatalysts): Enizimi o altri composti biologici che si legano agli agenti C e ne accele- rano il degrado. Nota: Enzimi (enzymes): Biocatalizzatori per reazioni chimiche o biochimiche specifiche.
MB 7 Biopolimeri (biopolymers): Macromolecole biologiche come segue: a. enzimi, b. anticorpi monoclonali, policlonali o antidiotipici, c. ricettori appositamente progettati o trattati. Nota: Enzimi (enzymes): Biocatalizzatori per reazioni chimiche o biochimiche specifiche. Anticorpi monoclonali (monoclonal antibodies): Proteine che specificatamente si combinano con un sito combinatorio di antigeni e che sono prodotte da un unico clone di cellule. Anticorpi policlonali (polyclonal antibodies): Miscela di proteine che si combinano con un determinato antigene e che sono pro- dotte da più cloni di cellule. Anticorpi antiidiotipici (anti-idiotypic antibodies): Anticorpi che specificatamente si combinano con un sito combinatorio di antigeni di altri anticorpi. Ricettori (receptors): Strutture macromolecolari biologiche in grado di costituire i leganti la cui combi- nazione influisce sulle funzioni fisiologiche.
4 Calcolatore ibrido (hybrid computer):
Apparecchiatura in grado di: a. accettare dati; b. trattare dati sia in rappresentazione analogica che numerica; e c. fornire l’uscita di dati.
4 Calcolatore neurale (neural computer):
Dispositivo di calcolo progettato o modificato per imitare il comporta- mento di un neurone o di una collezione di neuroni (cioè un dispositivo di calcolo che si distingue per la sua capacità fisica di modulare i pesi e i numeri delle interconnessioni di un gran numero di componenti di calcolo basato su dati precedenti). 4, 5 Calcolatore numerico (digital computer): Apparecchiatura in grado, sotto forma di una o più variabili discrete, di: a. accettare dati; b. immagazzinare dati o istruzioni in dispositivi di memoria fissi o modi- ficabili (con riscrittura); c. trattare dati mediante una sequenza immagazzinata di istruzioni modi- ficabili; e d. fornire l’uscita di dati.
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Nota: Le modifiche della sequenza immagazzinata di istruzioni comprendono la sostitu- zione di dispositivi di memorie fisse, ma non la modifica materiale del cablaggio o delle interconnessioni.
4 Calcolatore ottico (optical computer):
Calcolatore progettato o modificato per utilizzare la luce per rappresenta- re i dati, i cui elementi logici di calcolo sono basati su dispositivi ottici direttamente accoppiati.
4 Calcolatori a reti sistoliche (systolic array computer):
Calcolatori in cui il flusso e la modifica dei dati sono controllabili dina- micamente dall’operatore a livello di porta logica.
1 Carico di rottura specifico (specific tensile strength):
Carico di rottura in Pascal, equivalente a N/m2 diviso per il peso specifico, espresso in N/m3, misurato alla temperatura di (296 ± 2) K [(23 ± 2)° C] e umidità relativa del (50 ± 5) per cento.
5 Carta personalizzata a microcircuito (personalized smart card):
Carta a microcircuito, in conformità alle norme ISO/CEI 7816, il cui mi- crocircuito è stato programmato all’origine e non può essere modificato dall’utilizzatore.
1 Cavo (tow):
Fascio di monofilamenti in genere disposti all’incirca parallelamente.
7 CEP (Cerchio di eguale probabilità) (CEP- circular error probability):
Misura di precisione, raggio del cerchio con centro nel bersaglio, a di- stanza specificata, dentro il quale avviene l’impatto del 50 per cento dei carichi utili.
3 Circuito integrato a film (film type integrated circuit):
Rete di elementi di circuiti e di interconnessioni metalliche realizzate con tecniche di deposito di film sottile o spesso su substrato isolante. Nota: Elemento di circuito (circuit element): parte funzionante singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un dio- do, un transistor, un resistore, una capacità ecc.
3 Circuito integrato a micropiastrine multiple (multichip integrated
circuit): Due o più circuiti integrati monolitici fissati su substrato comune.
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3 Circuito integrato ibrido (hybrid integrated circuit):
Qualsiasi combinazione di circuiti integrati, o di circuiti integrati con elementi di circuiti o componenti discreti collegati assieme al fine di ese- guire una o più funzioni specifiche ed aventi tutte le caratteristiche se- guenti: a. contenenti almeno un dispositivo non incapsulato; b. collegati assieme usando metodi tipici di produzione dei circuiti inte- grati; c. rimpiazzabili come una entità; e d. normalmente non disassemblabili. Nota: 1.nElemento di circuito (circuit element): unità funzionale singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capa- cità ecc. 2.nComponente discreto (discrete component): elemento di circuito in contenitore separato avente connessioni esterne proprie.
3 Circuito integrato monolitico (monolithic integrated circuit):
Combinazione di elementi di circuiti passivi o attivi o entrambi: a. fabbricati con processi di diffusione, di impiantazione o di deposito entro o sopra un singolo elemento semiconduttore, cioè una micropia- strina; b. considerati come associati in maniera inscindibile; e c. in grado di eseguire le funzioni di un circuito. Nota: Elemento di circuito (circuit element): unità funzionante singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità ecc.
3 Circuito integrato ottico (optical integrated circuit):
Circuito integrato monolitico o circuito integrato ibrido contenente uno o più elementi, progettato per funzionare come dispositivo fotosensibile o fotoemettitore, o per eseguire una o più funzioni ottiche o elettroottiche. 4, 5, 9 Codice oggetto (object code): Forma eseguibile da una macchina di un’espressione appropriata di uno o più processi (codice sorgente o linguaggio sorgente) convertita da un si- stema di programmazione. 4, 5, 6, Codice sorgente (o linguaggio sorgente) (source code or source 7, 9 language): Espressione appropriata di uno o più processi che possono essere conver- titi da un sistema di programmazione in una forma eseguibile dalla mac- china (codice oggetto o linguaggio oggetto).
1 Colture vive isolate (isolated live cultures):
Sono comprese le colture vive in forma latente e le preparazioni essiccate.
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5 Commutazione ottica (optical switching):
L’instradamento o la commutazione di segnali sotto forma ottica senza conversione in segnali elettrici.
7 Complesso di guida (guidance set):
Complesso che integra il processo di misura e di calcolo della posizione e della velocità di un aeromobile (cioè navigazione) con il calcolo e l’invio di comandi ai sistemi di controllo di volo dell’aeromobile per correggerne la traiettoria. 1, 2, 6, Composito (composite): 8, 9 Matrice e una o più fasi aggiuntive di particelle, materiali filiformi, fibre o loro combinazioni presenti per scopi specifici.
6 Compressione dell’impulso (pulse compression):
Codifica e trattamento di un impulso di un segnale radar di lunga durata in un impulso di breve durata, pur conservando i vantaggi di una elevata energia impulsiva. 2, 3, 5 Controllo a programma registrato (stored programm controlled): Controllo che utilizza istruzioni immagazzinate in una memoria elettroni- ca che possono essere eseguite da un processore per comandare l’esecuzione di funzioni predeterminate. Nota: Un’apparecchiatura può essere con controllo a programma registrato se la memo- ria elettronica è interna o esterna all’apparecchiatura stessa.
2 Controllo adattivo (adaptive control):
Sistema di controllo che adatta la risposta in funzione delle condizioni rilevate durante il funzionamento (vedi ISO 2806-1980).
7 Controllo della potenza irradiata (power management):
Modifica della potenza trasmessa del segnale dell’altimetro per cui la po- tenza ricevuta all’altitudine dell’aeromobile risulta sempre quella minima necessaria per determinare l’altitudine.
2 Controllo di contornatura (contouring control):
Due o più movimenti gestiti da un “controllo numerico” in accordo alle istruzioni che specificano la posizione successiva richiesta e le velocità di alimentazione per giungere a tale posizione. Tali velocità di alimentazio- ne sono modificate tra di loro in modo da generare il contorno desiderato (Rif. ISO/DIS 2806-1980).
7 Controllo di volo primario (primary flight control):
Controllo della stabilità o della manovra di un aeromobile che si avvale di generatori di forza/momento, cioè superfici di governo aerodinamiche o guida della spinta propulsiva.
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7 Controllo globale del volo (total control of flight):
Controllo automatizzato dei parametri o della traiettoria di volo di aero- mobili per conseguire gli obiettivi della missione che risponde alle modi- fiche in tempo reale dei dati relativi agli obiettivi, ai rischi o agli altri ae- romobili.
2 Controllo numerico (numerical control):
Controllo automatico di un processo realizzato da un dispositivo che uti- lizza dati numerici introdotti di norma durante lo svolgimento dell’operazione (Rif. ISO 2382).
5 Controllore di canale di comunicazioni (communications channel
controller): Interfaccia fisica che controlla la circolazione delle informazioni numeri- che sincrone o asincrone. Si tratta di un assieme che può essere integrato in un calcolatore o in apparecchi di telecomunicazione per assicurare l’accesso alle comunicazioni.
6 Costante di tempo (time constant):
Tempo che intercorre tra l’applicazione dello stimolo luminoso e il mo- mento in cui l’incremento di corrente raggiunge il valore di 1-1/e volte il valore finale (cioè il 63% del suo valore finale).
5 Crittografia (cryptography):
Disciplina che ingloba principi, mezzi e metodi per la trasformazione di dati al fine di occultarne il contenuto informativo, impedirne la modifica senza rivelazione o impedirne l’uso non autorizzato. La crittografia è li- mitata alla trasformazione delle informazioni mediante l’utilizzazione di uno o più parametri segreti (cioè criptovariabili) o mediante la gestione della chiave associata. Nota: Parametro segreto (secret parameter): una costante o una chiave non a conoscenza di altre persone o a conoscenza solo di un gruppo di persone.
3 Densità di corrente globale (overall current density):
Numero totale di ampere-spire nella bobina (cioè il numero delle spire moltiplicato per la corrente massima portata da ciascuna spira), diviso per la sezione trasversale totale della bobina (compresi i filamenti supercon- duttori, la matrice metallica nella quale sono incorporati i filamenti super- conduttori, il materiale di incapsulamento, tutti i canali di raffreddamento ecc.).
6 Densità equivalente (equivalent density):
La massa di una ottica per unità di superficie proiettata sulla superficie ottica.
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2 Deviazione di posizione angolare (angular position deviation):
Differenza massima tra la posizione angolare e la posizione angolare rea- le, misurata con molta precisione, successivamente alla rotazione del portapezzo della tavola dalla sua posizione iniziale (Rif. VDI/VDE 2617, Foglio 4/Parte 4: ‘Tavole rotanti sulle macchine di misura a coordinate’). NGT Di pubblico dominio (in the public domain): NTN Si applica al presente elenco e qualifica la tecnologia o il software dispo- NGS nibile senza restrizioni per un’ulteriore diffusione (le restrizioni conse- 1-9 guenti ai diritti d’autore ) non impediscono a una tecnologia o software di essere considerati di pubblico dominio).
2 Dispositivi di estremità (end-effectors):
MB 17 Questi dispositivi comprendono le pinze, le unità attive di lavorazione e ogni altro attrezzo collegato alla piastra terminale del braccio di manipo- lazione del robot. Nota: Unità attiva di lavorazione (active tooling unit): dispositivo per l’applicazione di potenza motrice, di energia di lavorazione o di sensibilità al pezzo da lavorare.
6 Durata dell’impulso (pulse duration):
Larghezza di un impulso laser misurata al livello della larghezza totale – metà intensità. 4 EC: Cfr. Elemento di calcolo.
4 Elemento di calcolo (computing element, CE):
La più piccola unità di calcolo che produce un risultato aritmetico o lo- gico.
4 Elemento principale (principal element):
Un elemento è considerato «elemento principale» quando il suo valore di sostituzione rappresenta più del 35% del valore totale del sistema di cui è elemento. Il valore dell’elemento è il prezzo pagato per tale elemento dal fabbricante del sistema o da chi ne effettua l’integrazione. Il valore totale è il prezzo di vendita internazionale a parti che non hanno alcun legame con il venditore nel luogo di fabbricazione o nel luogo di consolidamento delle spedizioni. MB 8 Esplosivi militari (military explosives): Sostanze o miscele di sostanze solide, liquide o gassose che, utilizzate come carica d’innesco, di soppressione o cariche di base in testate esplo- sive, dispositivi di demolizione ed altre applicazioni militari, servono alla detonazione.
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1 Estrazione in fusione (melt extraction):
Procedimento per solidificare rapidamente ed estrarre una lega sotto for- ma di nastro mediante inserzione di un piccolo segmento di un blocco raffreddato rotante nel bagno di lega metallica in fusione. Nota: Solidificare rapidamente (solidify rapidly): solidificazione di materiale fuso a una velocità di raffreddamento superiore a 1000 K/s.
7, 9 FADEC: Cfr. Sistema elettronico a controllo numerico per la regolazione com- pletamente automatica di motori(full authority digital engine control).
1 Fascio di fibre (roving):
Fascio di trefoli (in genere da 12 a 120) disposti all’incirca parallela mente. Nota: per trefolo (strand) si intende un fascio di monofilamenti (in genere oltre 200) di- sposti all’incirca parallelamente.
7 Fattore di scala (giroscopi o accelerometri) (scale factor [gyro or accele-
rometer]): Rapporto da misurare tra la modifica in uscita e la modifica in ingresso. Il fattore di scala è generalmente valutato come la pendenza della linea di- ritta che può essere adattata con il metodo dei minimi quadrati applicato ai dati di entrata-uscita ottenuti facendo variare l’entrata in modo ciclico nella gamma di ingresso.
1 Filato (yarn):
Fascio di trefoli attorcigliati. Nota: Per trefolo (strand) si intende un fascio di monofilamenti (in genere oltre 200) di- sposti all’incirca parallelamente.
5 Fisso (fixed):
Il termine fisso significa che l’algoritmo di codifica o di compressione non può accettare parametri forniti dall’esterno (ad es. variabili crittogra- fiche o a chiave) e non può essere modificato dall’utilizzatore. 1, 2 Formatura superplastica (superplastic forming): Processo di deformazione a caldo per metalli normalmente caratterizzati da un basso valore di allungamento (minore del 20%) al punto di rottura determinato a temperatura ambiente secondo prove convenzionali di resi- stenza alla trazione, in modo da ottenere durante il trattamento allunga- menti di almeno due volte tali valori.
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MB 7 Gas lacrimogeni (tear gases): Gas che provocano nell’organismo umano irritazioni o un’incapacità temporanea e che scompaiono nello spazio di qualche minuto non appena l’esposizione al gas è terminata.
6 Geograficamente distribuiti (geographically dispersed):
I sensori sono considerati geograficamente distribuiti quando i rispettivi siti di installazione sono distanti da qualunque altro sito più di 1500 metri in ogni direzione. I sensori mobili sono sempre considerati geografica- mente distribuiti.
6 Gradiometro magnetico (magnetic gradiometer):
Strumento consistente in un singolo elemento di rivelazione del gradiente del campo magnetico e materiali elettronici associati che producono una misura del gradiente del campo magnetico (cfr. anche gradiometro ma- gnetico intrinseco).
6 Gradiometro magnetico intrinseco (intrinsic magnetic gradiometer):
Strumento per rivelare la variazione spaziale dei campi magnetici prove- nienti da fonti esterne allo strumento. Il gradiometro magnetico intrinseco consiste in un singolo elemento di rivelazione del gradiente del campo magnetico e materiali elettronici associati che producono una misura del gradiente del campo magnetico (cfr. anche gradiometro magnetico).
1 Grammo effettivo (effective gramme):
Per materie fissili speciali o altre materie fissili si intende quanto segue: a. per il plutonio e l’uranio 233, il peso dell’isotopo in grammi; b. per l’uranio arricchito all’1 per cento o più in isotopo U-235, il peso dell’uranio in grammi moltiplicato per il quadrato del suo arricchi- mento (espresso in valori decimali); c. per l’uranio arricchito al di sotto dell’1 per cento in isotopo U-235, il peso dell’uranio in grammi moltiplicato per 0,0001;
1 Immunotossina (immunotoxin):
Composto di un anticorpo unicellulare specifico monoclonale e di una tossina o sottounità di tossina che attacca selettivamente cellule malate.
2 Incertezza di misura (measurement uncertainty):
Parametro caratteristico che specifica in quale gamma intorno al valore di uscita è compreso il valore corretto della variabile da misurare, con un livello di affidabilità del 95 per cento. Questo parametro comprende le deviazioni non corrette sistematiche, la larghezza del gioco non corretta e le deviazioni casuali non corrette (Rif.: ISO 10360-2 oppure VDI/VDE 2617).
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6 Inseguimento automatico del bersaglio (automatic target tracking):
Tecnica di trattamento che consente di determinare e di fornire automati- camente come uscita un valore estrapolato della posizione più probabile del bersaglio, in tempo reale.
5 Instradamento adattivo dinamico (dynamic adaptive routing):
Reinstradamento automatico del traffico basato sulla rivelazione e l’analisi delle reali condizioni presenti nella rete. Nota: La presente definizione non comprende i casi nei quali l’instradamento è deciso sulla base di informazioni definite in precedenza.
9 Isolante (insulation):
Materiale applicato ai componenti di motori a razzo, cioè ai corpi di con- tenimento, agli ugelli, alle entrate degli ugelli, ai fondi dei corpi di conte- nimento, che può essere costituito da fogli di mescola di gomma compo- sta, vulcanizzata o semivulcanizzata, contenente materiale isolante o refrattario. Può essere anche incorporato come riduttore di sforzo. 2, 3, 5, Laser (laser): 6, 7, 8 Insieme di componenti in grado di produrre nel tempo e nello spazio luce 9, MB 5 coerente amplificata per emissione stimolata di radiazione. Mb 9 Nota: Cfr. Anche: laser a trasferimento, laser ad elevatissima potenza (SHPL), laser chimico, laser Q-commutati.
6 Laser a trasferimento (transfer laser):
Laser eccitato per trasferimento di energia ottenuta dalla collisione di un atomo o di una molecola che non producono effetto laser con un atomo o una molecola che producono effetto laser.
6 Laser ad elevatissima potenza (SHPL) (super-high power laser):
Laser in grado di emettere (in tutto o in parte) un’energia impulsiva supe- riore a 1 kJ entro 50 ms o avente una potenza media in onda continua su- periore a 20 kW.
6 Laser chimico (chemical laser):
Laser nei quali gli agenti attivi sono eccitati per mezzo di un’energia emessa da una reazione chimica.
6 Laser Q-commutato (Q-switched laser):
Laser in cui l’energia è immagazzinata nella popolazione di inversione o nel risonatore ottico ed è di conseguenza emessa sotto forma impulsiva.
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1 Lega meccanica (mechanical alloying):
Processo di lega risultante dall’adesione, frantumazione e riadesione di polveri elementari e di polveri di lega madre per mezzo di urto meccani- co. Le particelle non metalliche possono essere incorporate nella lega mediante aggiunta di polveri appropriate.
2 Linearità (linearity):
È definita come la massima deviazione delle reali caratteristiche (media delle letture superiori ed inferiori), positive o negative, rispetto ad una linea retta posizionata in modo tale da equalizzare e minimizzare le de- viazioni massime.
6 Livello di rumore (noise level):
Segnale elettrico dato in termini di densità spettrale di potenza. La rela- zione del livello di rumore espresso in picco-picco è data come segue: S2pp= 8N0 (f2-f1 dove Spp è il valore picco-picco del segnale (ad esempio nanotesla), N0 è la densità spettrale di potenza (ad esempio nanotesla2/Hz) e (f2-f1 definisce la banda passante di interesse.
6 Magnetometro (magnetometer):
Strumento progettato per rivelare i campi magnetici da sorgenti esterne allo strumento. Il magnetometro consiste di un singolo elemento di rive- lazione del campo magnetico e di materiali elettronici associati che forni- scono la misura del campo magnetico.
2 Mandrino basculante (tilting spindle):
Mandrino portautensile che, durante il processo di lavorazione, modifica la posizione angolare del suo asse di riferimento rispetto a qualsiasi altro asse. 1, 8 Materiali fibrosi o filamentosi (fibrous or filamentary materials): Comprendono: a. monofilamenti continui; b. filati e fasci di fibre continui; c. nastri, tessuti e mat irregolari e passamaneria; d. coperture in fibre tagliate, filati e fibre agglomerate; e. materiali filiformi monocristallini o policristallini di qualsiasi lunghez- za; f. pasta di poliammide aromatica. 1, 2, Matrice (matrix): 8, 9 Fase sostanzialmente continua che riempie lo spazio fra particelle, mate- riali filiformi o fibre.
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6 Matrice sul piano focale (focal plane array):
Strato piano lineare o a mosaico, o combinazione di strati piani, di ele- menti rivelatori individuali con o senza dispositivi elettronici di lettura, che funziona sul piano focale. Nota: La presente definizione non include una pila di elementi rivelatori singoli né di rivelatori a due, tre o quattro elementi, a condizione che l’integrazione dei segnali rivelati a istanti successivi non sia effettuata nell’elemento.
4 Memoria centrale (main storage):
Memoria principale di rapido accesso per l’unità centrale di trattamento, destinata ai dati o alle istruzioni. Si compone della memoria interna di un calcolatore numerico e di ogni estensione gerarchica di questa memoria, come la memoria cache o la memoria di estensione ad accesso non se- quenziale.
9 Mezzi di produzione (production facilities):
Sono costituiti dalle apparecchiature e dal loro software appositamente progettato, integrati nelle installazioni per lo sviluppo o per una o più fasi della produzione.
3 Microcircuito microcalcolatore (microcomputer microcircuit):
Circuito integrato monolitico o circuito integrato a micropiastrine multi- ple contenente un’unità logica aritmetica (ALU) in grado di eseguire istruzioni di tipo generale da una memoria interna, su dati contenuti nella memoria interna. Nota: La memoria interna può essere incrementata per mezzo di una memoria esterna.
3 Microcircuito microprocessore (microprocessor microcircuit):
Circuito integrato monolitico o circuito integrato a micropiastrine multi- ple contenente un’unità logica aritmetica (ALU) in grado di eseguire istruzioni di tipo generale da una memoria esterna. Nota:
1. Il microcircuito microprocessore normalmente non contiene una memoria in-
terna accessibile all’utente, sebbene possa contenere una memoria sulla piastri- na che può essere utilizzata per l’esecuzione delle sue funzioni logiche. 2. La presente definizione comprende gli insiemi di micropiastrine progettate per funzionare insieme al fine di fornire la funzione di un microcircuito micropro- cessore.
1, 2 Microrganismi (microorganisms): Comprendono batteri, virus, micoplasmi, rickettsiae, clamydiae o funghi, anche naturali, potenziati o modificati, sia in forma di colture vive isolate o come materiale comprendente materiale vivo intenzionalmente inocu- lato o contaminato con tali colture.
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4 Miglioramento dell’immagine (image enhancement):
Trattamento di immagini esterne portatrici di informazioni mediante algo- ritmi quali la compressione di tempo, il filtraggio, l’estrazione, la selezio- ne, la correlazione, la convoluzione o le trasformazioni fra settori (p. es. trasformata rapida di Fourier o trasformata di Walsh). Gli algoritmi che utilizzano soltanto la trasformazione lineare o angolare di un’immagine semplice, quali la traslazione, l’estrazione di parametri, la registrazione o la falsa colorazione non rientrano nel quadro della presente definizione.
1 Miscelazione (commingled):
Miscelazione filo-filo di fibre termoplastiche e fibre di rinforzo per pro- durre una fibra totale tramite miscelazione fibra di rinforzo/matrice. 1, 3, Missili (missiles): 5, 6, Sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio, in 7, 9 grado di trasportare un carico utile di almeno 500 kg a una distanza di almeno 300 km. Nota: La presente definizione si riferisce ai missili menzionati nelle voci 101-199 dell’allegato 2.
1 Modificato per uso bellico (adapted for use in war):
MB 7 Qualsiasi modifica o selezione (tale da alterare la purezza, la durata di inutilizzo, la virulenza, le caratteristiche di disseminazione o la resistenza ai raggi UV) volta ad accrescere l’efficacia nel produrre il numero di vit- time umane o animali, degradare le attrezzature o danneggiare i raccolti o l’ambiente.
5 Modo di trasferimento asincrono (MTA) (asynchronous transfer mode
ATM): Modo di trasferimento nel quale le informazioni sono organizzate in cel- lule; è asincrono nel senso che la sequenza periodica delle cellule dipende dalla velocità binaria richiesta o istantanea (CCITT Rac. L.113).
1 Modulo specifico (specific modulus):
Modulo di Young in pascal, equivalente a N/m2 diviso per il peso specifico espresso in N/m3, misurato alla temperatura di (296 ± 2) K [(23 ± 2)° C] e umidità relativa del (50 ± 5) per cento.
1 Monofilamento o filamento (monofilament):
Il più piccolo incremento di una fibra, in genere con un diametro di vari micron. 5 MTA: Cfr. Modo di trasferimento asincrono.
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1 Nastro (tape):
Materiale costituito da monofilamenti, trefoli, fasci di fibre, cavi o filati ecc., intrecciati o unidirezionali, in genere preimpregnati di resina. Nota: Per trefolo si intende un fascio di monofilamenti (in genere oltre 200) disposti all’incirca parallelamente.
NGT Necessaria (required): NGM Applicata alla tecnologia o al software, si riferisce soltanto a quella por- 1-9 zione di tecnologia o software particolarmente responsabile del raggiun- gimento o del superamento di livelli di prestazione, caratteristiche o fun- zioni sottoposti ad autorizzazione. Tale tecnologia o software necessaria può essere condivisa da prodotti differenti.
7 Ottimizzazione della traiettoria di volo (flight path optimization):
Procedura che riduce al minimo le deviazioni dalla traiettoria quadridi- mensionale (spazio e tempo) prefissata ottimizzando le prestazioni o l’efficacia ai fini delle missioni.
1 Preformati di fibre di carbonio (carbon fibre preform)
Un insieme ordinato di fibre rivestite o no che costituiscono il quadro di una parte prima dell’iintroduzione della «matrice» per formare un «composito». 6, 8 Pixel attivo (active pixel): L’elemento più piccolo (singolo) dell’insieme a semiconduttori dotato di funzione di trasferimento fotoelettrico allorché esposto a una radiazione luminosa (elettromagnetica).
7 Polarizzazione (accelerometro) (bias ):
Uscita di un accelerometro in assenza di accelerazione.
1 Polverizzazione (comminution):
Processo per ridurre un materiale in particelle mediante frantumazione o macinazione.
6 Portata strumentale (instrumented range):
La portata specificata non ambigua visualizzata di un radar.
6 Potenza di picco (peak power):
Energia per impulso, espressa in Joule, divisa per la durata dell’impulso, espressa in secondi.
1 Precedentemente separato (previously separated):
L’applicazione di qualsiasi processo inteso a elevare la concentrazione dell’isotopo controllato.
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2, 6 Precisione (accuracy): È definita come la massima deviazione, positiva o negativa, di un valore indicato rispetto a una norma accettata o a un valore reale. È normalmente misurata in termini di imprecisione. MB 8 Precursori (precursors): Specialità chimiche impiegate nella fabbricazione di esplosivi militari.
2 Pressa isostatica (isostatic press):
Macchina in grado di regolare la pressione di una cavità chiusa mediante vari mezzi (gas, liquidi, particelle solide ecc.) al fine di creare in tutte le direzioni, all’interno della cavità, un’uguale pressione esercitata su un pezzo o su un materiale. 3, 4 Prestazione teorica composita (PTC) (composite theoretical performance CTP): Misura della prestazione di calcolo espressa in milioni di operazioni teo- riche al secondo (Mopt/s), calcolata usando l’aggregazione di elementi di calcolo (EC). Nota: Cfr. categoria 4, Nota tecnica.
MB 4 Prodotti pirotecnici militari (military pyrotechnics): MB 8 Miscele di combustibili solidi o liquidi e di ossidanti che, se infiammati, subiscono una reazione chimica controllata generatrice d’energia al fine di produrre intervalli precisi o quantità determinate di calore, rumore, fu- mo, luce o irradiamento infrarosso. I prodotti pirotecnici costituiscono un sottogruppo delle pirofore, le quali non contengono ossidante ma si in- fiammano spontaneamente a contatto con l’aria.
7 Profili aerodinamici a geometria variabile (variable geometry airfoils):
Utilizzano ipersostentatori da bordo di uscita, o ipersostentatori da bordo di attacco o rotazione del bordo di attacco intorno a un punto fisso (pivot), la posizione dei quali può essere controllata in volo. 2, 4, 5, 6 Programma (programme): Sequenza di istruzioni per la realizzazione di un procedimento, espressa in forma tale o trasferibile in forma tale da poter essere eseguita da un calcolatore elettronico.
6 Programmabilità accessibile all’utente (user-accessible
programmability): Possibilità per l’utente di inserire, modificare o sostituire programmi con mezzi diversi da:
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a. modifica materiale del cablaggio o delle interconnessioni, o b. messa a punto di comandi di funzioni, compresa l’introduzione di pa- rametri. 3, 4 PTC: Cfr. Prestazione teorica composita (composite theoretical performance). 3, 6 Qualificato per impiego spaziale (space qualified): Dispositivi progettati, fabbricati e controllati per rispondere a speciali requisiti elettrici, meccanici o ambientali necessari per il lancio e l’impiego di satelliti o di sistemi per il volo ad alte quote funzionanti ad altitudini uguali o superiori a 100 km. MB 17 Reattore nucleare (nuclear reactor): Comprende principalmente i materiali che si trovano nel contenitore del reattore o a questo direttamente fissati, l’apparecchiatura di regolazione del livello energetico del nocciolo e i componenti che normalmente con- tengono il fluido refrigerante primario del nocciolo del reattore, che en- trano in contatto diretto con questo fluido o ne permettono la regolazione.
7 Rete di sensori ottici per il controllo di volo (flight control optical sensor
array): Rete di sensori ottici distribuiti che utilizza fasci laser e fornisce in tempo reale dati sul controllo di volo per l’elaborazione a bordo.
4 Rete locale (local area network):
Sistema di comunicazione di dati che: a. assicura la comunicazione diretta tra un certo numero di dispositivi di dati indipendenti, e b. è limitata a un locale di superficie media (per es. immobile ammini- strativo, officina, edificio o magazzino). Nota: Dispositivi di dati (data device): apparecchiature in grado di trasmettere o ricevere sequenze di informazioni numeriche.
NGT Ricerca scientifica di base (basic scientific research): NGM Lavori sperimentali o teorici intrapresi essenzialmente per acquisire nuo- ve conoscenze dei principi fondamentali di fenomeni e di fatti osservabili, non principalmente orientati verso obiettivi o scopi specifici pratici.
2 Risoluzione (resolution):
Il più piccolo incremento di un dispositivo di misura e il bit meno signifi- cativo di uno strumento numerico (Rif.:ANSI B-89.1.12).
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3 Ritardo di propagazione della porta di base (basic gate propagation delay
time): Valore corrispondente alla porta di base utilizzata da una famiglia di cir- cuiti integrati monolitici. Questo valore può essere specificato, per una data famiglia, sia come ritardo di propagazione per porta tipica sia come ritardo di propagazione tipico per porta. Nota: Il ritardo di propagazione della porta di base non deve essere confuso con i ritar- di di ingresso/uscita di un circuito integrato monolitico complesso.
9 Rivestimento interno (interior lining):
Materiale idoneo come interfaccia di adesione tra il propellente solido e il corpo di contenimento o il rivestimento isolante, è normalmente costituito da una dispersione di materiali refrattari o isolanti in un polimero liquido, per esempio HTPB caricato di particelle di carbonio o altro polimero con l’aggiunta di agenti di indurimento, da spruzzare o depositare all’interno dei corpi di contenimento. 2, 8 Robot (robot): MB 17 Meccanismo di manipolazione del tipo a traiettoria continua o punto a punto che può utilizzare sensori ed avente tutte le caratteristiche seguenti: a. in grado di eseguire più funzioni; b. in grado di posizionare od orientare materiali, pezzi, utensili o disposi- tivi speciali tramite movimenti variabili nello spazio tridimensionale; c. avente tre o più dispositivi di asservimenti ad anello chiuso o aperto (compresi i motori passo-passo); e d. dotato di programmabilità accessibile all’utente usando il metodo di apprendimento (impara e ripeti) o mediante calcolatore elettronico che può essere un controllore logico programmabile, ad esempio senza in- tervento meccanico. Nota: La definizione sopra riportata non comprende i dispositivi seguenti:
1. Meccanismi di manipolazione a comando esclusivamente manuale o controlla-
bili tramite telecomando;
2. Meccanismi di manipolazione a sequenza fissa, cioè dispositivi che si muovono
in modo automatizzato funzionanti secondo movimenti programmati con limi- tazione meccanica. I movimenti programmati sono limitati meccanicamente da fermi fissi quali spine o camme. La sequenza dei movimenti e la scelta delle traiettorie o degli angoli non sono variabili o modificabili con mezzi meccanici, elettronici o elettrici;
3. Meccanismi di manipolazione a sequenza variabile e a regolazione meccanica,
cioè dispositivi mobili automatizzati i cui movimenti sono programmati e deli- mitati tramite mezzi meccanici. I movimenti programmati sono delimitati mec- canicamente da fermi fissi ma regolabili quali spine o camme. La sequenza dei movimenti e la scelta delle traiettorie o degli angoli sono variabili nel quadro della configurazione programmata. Le variazioni o le modifiche della configu- razione programmata (ad esempio cambi di spine o scambi di camme) su uno o più assi di movimento sono realizzate esclusivamente con operazioni meccani- che;
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4. Meccanismi di manipolazione a sequenza variabile non servoassistiti, cioè di-
spositivi che si muovono in modo automatizzato, funzionanti secondo movi- menti programmati fissati meccanicamente. Il programma è variabile, ma la se- quenza è attivata solo dal segnale binario proveniente dai dispositivi elettrici binari o dai fermi regolabili fissati meccanicamente; 5. Carrelli gru a piattaforma definiti come sistemi di manipolazione funzionanti a coordinate cartesiane, costruiti come parte integrale di una cortina verticale di scompartimenti di immagazzinamento e progettati per accedere al contenuto degli scompartimenti per immagazzinare o prelevare.
1, 2, 9 Saldatura per diffusione (diffusion bonding): Tecnica di collegamento molecolare allo stato solido di almeno due me- talli separati per realizzare un pezzo singolo con resistenza comune uguale a quella del materiale meno resistente.
5 Segnalazione su canale comune (common channel signalling):
Metodo di segnalazione tra centrali nelle quali un canale trasporta, tramite messaggi muniti di etichetta, le informazioni di segnalazione relative a una pluralità di circuiti o di chiamate e altre informazioni quali quelle utilizzate per la gestione della rete.
6 Sensori di immagini monospettrali (monospectral imaging sensors):
Sensori in grado di effettuare un’acquisizione di dati di immagini da una banda spettrale discreta.
6 Sensori di immagini multispettrali (multispectral imaging sensors):
Sensori in grado di effettuare un’acquisizione simultanea o in serie di dati di immagini da due o più bande spettrali discrete. I sensori aventi più di
20 bande spettrali discrete sono talvolta definiti come sensori di immagini
iperspettrali.
6 Sensori radar interconnessi (interconnected radar sensors):
Due o più sensori radar sono interconnessi quando si scambiano tra di loro dati in tempo reale. SHPL: Cfr. laser ad elevatissima potenza.
5 Sicurezza a più livelli (multilevel security):
Classe di sistemi contenenti informazioni con sensibilità diverse che per- mettono l’accesso simultaneo a utilizzatori aventi differenti abilitazioni di sicurezza e necessità di conoscenze, ma che evitano agli utilizzatori di accedere alle informazioni per le quali non dispongono di autorizzazione. Nota: La sicurezza a più livelli è una sicurezza informatica e non è l’affidabilità dei cal- colatori in relazione alla prevenzione dei difetti dell’apparecchiatura e/o degli erro- ri umani in generale.
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4, 5 Sicurezza dell’informazione (information security): Tutti i mezzi e le funzioni che assicurano l’accessibilità, la confidenzialità o l’integrità dell’informazione o delle comunicazioni con l’esclusione dei mezzi e delle funzioni previste per la protezione contro i malfunziona- menti. Comprende fra l’altro la crittografia, la crittoanalisi, la protezione contro le emanazioni compromettenti e la sicurezza dei calcolatori. Nota: Crittoanalisi (cryptoanalysis): Analisi di un sistema crittografico e/o delle sue en- trate e uscite per ricavarne le variabili confidenziali o i dati riservati compreso il testo in chiaro (cfr. ISO 7498-2-1988 (E), par. 3.3.18).
3 Sintetizzatore di frequenza (frequency synthesizer):
Qualunque tipo di sorgente di frequenza o generatore di segnale, indipen- dentemente dall’effettiva tecnica utilizzata, in grado di fornire una molte- plicità di frequenze in uscita simultanee o alternative, da una o più uscite controllate, derivate o disciplinate da un numero inferiore di frequenze standard (o campione).
7 Sistema anticoppia con comando di circolazione o comando di direzione
con comando di circolazione (circulation-controlled anti-torque or circu- lation controlled direction control system): Sistema che utilizza l’aria soffiata sulle superfici aerodinamiche per au- mentare o controllare le forze prodotte da queste superfici.
7 Sistema di controllo attivo di volo (active flight control system):
Sistema avente la funzione di impedire i movimenti o i carichi strutturali indesiderabili dell’aeromobile e del missile trattando in modo autonomo i dati di uscita provenienti da più sensori e fornendo successivamente le istruzioni preventive necessarie per assicurare un controllo automatico. 7, 9 Sistema elettronico a controllo numerico per la regolazione completa- mente automatica di motori (FADEC) (full authority digital engine con- trol): Sistema di controllo elettronico dei motori a turbina a gas o a ciclo com- binato che si avvale di un calcolatore numerico al fine di controllare le variabili necessarie per la regolazione della spinta del motore o della po- tenza di uscita all’asse durante il ciclo di funzionamento del motore, dall’inizio della misurazione dell’erogazione del carburante fino all’arresto dell’erogazione del carburante. 4, 7 Sistemi esperti (expert system): Sistemi che forniscono risultati mediante l’applicazione di regole a dati immagazzinati indipendentemente dal programma e in grado di realizzare una qualsiasi delle capacità seguenti: a. modifica automatica del codice sorgente introdotto dall’utilizzatore, b. dichiarazione della conoscenza legata a una classe di problemi in lin- guaggio quasi naturale,
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c. acquisizione delle conoscenze necessarie per il loro sviluppo (appren- dimento simbolico). NGS 1-9 Software (software): Raccolta di uno o più programmi o microprogrammi fissata su qualsiasi supporto tangibile di espressione. Nota: Microprogramma (microprogramme): sequenza di istruzioni elementari, contenuta in una memoria speciale, la cui esecuzione è comandata dall’introduzione della sua istruzione di riferimento in un registro di istruzioni.
1 Sottounità di tossina (sub-unit toxin):
Componente strutturalmente e funzionalmente separato di una tossina intera.
6 Specchi deformabili (deformable mirrors):
Specchi: a. aventi una sola superficie di riflessione ottica continua che è deformata in modo dinamico con l’applicazione di coppie o di forze individuali al fine di compensare le distorsioni presenti nella forma d’onda ottica in- cidente sullo specchio; o b. aventi elementi ottici multipli di riflessione che possono essere riposi- zionati in modo individuale e dinamico con l’applicazione di coppie o di forze al fine di compensare le distorsioni presenti nella forma d’onda ottica incidente sullo specchio. Gli specchi deformabili sono anche conosciuti come specchi ottici adatti- vi.
5 Spettro esteso (spread spectrum):
Tecnica con la quale l’energia di un canale di comunicazione a banda re- lativamente stretta è estesa su uno spettro di energia molto più largo.
6 Spettro esteso radar (radar spread spectrum):
Qualsiasi tecnica di modulazione tendente a ripartire l’energia emessa da un segnale con una banda di frequenza relativamente ristretta, su una banda di frequenza molto più ampia, utilizzando ad esempio una codifica casuale o pseudo casuale.
7 Stabilità (stability):
Deviazione standard (1 sigma) della variazione di un particolare parame- tro rispetto al suo valore di calibrazione misurato in condizioni termiche stabili. Questa variazione può essere espressa come funzione di tempo.
2 Stampaggio idraulico ad azione diretta (direct acting hydraulic pressing):
Processo di deformazione che utilizza un serbatoio flessibile riempito di fluido, in contatto diretto con il pezzo da lavorare.
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7, 9 Stato partecipante (participating state): Stato che partecipa al regime Wassenaar. Nota Gli Stati che attualmente partecipano al regime Wassenaar sono: Argentina, Australia, Austria, Belgio, Bulgaria, Canada, Corea (Sud), Danimarca, Germania, Giappone, Federazione russa, Finlandia, Francia, Grecia, Irlanda, Italia, Lussemburgo, Norvegia, Nuova Zelanda, Paesi Bassi, Polonia, Portogallo, Regno Unito, Repubblica Ceca, Repubblica Slovacca, Romania, Spagna, Stati Uniti d’America, Svezia, Svizzera, Turchia, Ucraina, Ungheria.
3 Substrato (substrate):
Strato di materiale di base con o senza tracciato di interconnessione e sul quale o entro il quale possono essere sistemati componenti discreti, cir- cuiti integrati o entrambi. Nota:
1. Componente discreto (discrete component): elemento di circuito in contenitore
separato avente connessioni esterne proprie. 2. Elemento di circuito (circuit element): unità funzionante singola, attiva o passi- va di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una ca- pacità ecc.
6 Substrato grezzo (substrate blanks):
Composti monolitici di dimensioni adatte per la fabbricazione di elementi ottici, come gli specchi o le finestre ottiche. 1, 3, Superconduttori (superconductive): 6, 8, Materiali (cioè metalli, leghe o composti) che possono perdere tutta la MB 18 resistenza elettrica (ossia possono raggiungere una conduttività elettrica MB 20 infinita e trasportare grandissime correnti elettriche senza produrre calore per effetto Joule). Nota: Lo stato superconduttore di un materiale è individualmente caratterizzato da una temperatura critica, un campo magnetico critico, che è funzione della temperatu- ra, e una densità di corrente critica, che è funzione sia del campo magnetico che della temperatura.
2, 9 Superleghe (superalloys): Leghe a base di nichelio, cobalto o ferro aventi resistenza superiore a qualsiasi lega della serie AISI 300 a temperature superiori a 649° C (922 K) in severe condizioni ambientali e di funzionamento.
4 Tasso vettoriale (vector rate):
si veda Tasso vettoriale 3-D
4 Tasso vettoriale 3-D (three dimensional vector rate):
Numero di vettori generati al secondo aventi vettori politratto di 10 pixel, in rettangolo, a orientazione casuale con valori di coordinate X-Y-Z interi o in virgola mobile (considerare il valore più elevato fra i tre).
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2 Tavola rotante basculante (compound rotary table):
Tavola che permette al pezzo da lavorare la rotazione e l’inclinazione ri- spetto a due assi non paralleli, che possono essere coordinati simultanea- mente tramite controllo di contornatura. 1, 3, 6 Temperatura critica (critical temperature or transition temperature): Temperatura (talvolta indicata come temperatura di transizione) di uno specifico materiale superconduttore alla quale il materiale perde tutta la resistenza al passaggio di corrente elettrica continua.
3 Tempo di assestamento (settling time):
Tempo richiesto perché il valore di uscita raggiunga il valore finale entro mezzo bit al momento della commutazione fra due livelli qualsiasi del convertitore.
4 Tempo di attesa globale di interruzione (global interrupt latency time):
Tempo necessario a un sistema informatico per riconoscere un’interruzione dovuta a un fenomeno, provvedere all’interruzione ed effettuare una commutazione contestuale verso altra attività alternativa, residente in memoria, in attesa dell’interruzione. 3, 5 Tempo di commutazione della frequenza (frequency switching time): Il tempo massimo (cioè il ritardo) necessario a un segnale qualora si ef- fettui una commutazione da una frequenza di uscita selezionata a un’altra frequenza di uscita selezionata per raggiungere: a. una frequenza entro 100 Hz dalla frequenza finale, o b. un livello di uscita entro 1 dB rispetto al livello di uscita finale.
1 Tempra rapida (splat quenching):
Procedimento per solidificare rapidamente una colata di metallo fuso fa- cendola urtare contro un blocco raffreddato, per ottenere un prodotto sotto forma di pagliuzze. Nota: Solidificare rapidamente (solidify rapidly): solidificazione di materiale fuso a una velocità di raffreddamento superiore a 1000 K/s.
1 Tempra su cilindro (melt spinning):
Procedimento per solidificare rapidamente una colata di metallo fuso ap- poggiandola contro un blocco raffreddato in rotazione per ottenere un prodotto sotto forma di pagliuzze, nastri o barre. Nota: Solidificare rapidamente (solidify rapidly): solidificazione di materiale fuso a una velocità di raffreddamento superiore a 1000 K/s.
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4 Tolleranza ai guasti (fault tolerance):
Capacità di un sistema informatico, in caso di mancato funzionamento di un qualsiasi componente della macchina o del software, di continuare il suo funzionamento senza l’intervento umano a un livello tale da consenti- re la continuità del funzionamento, l’integrità dei dati e la capacità di ri- stabilire il funzionamento entro un certo tempo assegnato. 1, 2 Tossine (toxins): Tossine sotto forma di preparazioni o miscele deliberatamente isolate, comunque prodotte, diverse dalle tossine presenti come contaminanti di altri materiali quali campioni patologici, colture, alimenti o ceppi di mi- crorganismi.
6 Tracce di sistema (systems tracks):
Rilevamento aggiornato della posizione di un aereo in volo, sottoposto a trattamento, correlazione (fusione dei dati del bersaglio radar rispetto alla posizione del piano di volo) disponibile ai controllori del centro di con- trollo del traffico aereo.
2 Trasduttori di pressione (pressure transducers):
Dispositivi che convertono le misurazioni di pressione in segnale elettri- co. 3, 4, Trattamento del segnale (signal processing): 5, 6 Trattamento di segnali esterni portatori di informazioni tramite algoritmi come la compressione di tempo, il filtraggio, l’estrazione, la selezione, la correlazione, la convoluzione o le trasformazioni tra settori (ad esempio, trasformata rapida di Fourier o trasformata di Walsh).
4 Trattamento di flussi multipli di dati (multi-data-stream-processing):
Tecnica di microprogrammi o di architettura dell’apparecchiatura per il trattamento simultaneo di due o più sequenze di dati sotto il controllo di una o più sequenze di istruzioni con mezzi quali: a. le architetture di dati multipli a istruzione singola (SIMD) quali i pro- cessori matriciali o vettoriali; b. le architetture di dati multipli a istruzione singola e istruzioni multiple (MSIMD); c. le architetture di dati multipli a istruzioni multiple (MIMD), comprese quelle strettamente accoppiate, completamente accoppiate o debol- mente accoppiate; o d. reti strutturate di elementi di trattamento, comprese le reti sistoliche. Nota: Microprogramma (microprogramme): sequenza di istruzioni elementari, contenuta in una memoria speciale, la cui esecuzione è comandata dall’introduzione della sua istruzione di riferimento in un registro di istruzioni.
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2, 4, Trattamento in tempo reale (real-time processing): 6, 7 Trattamento di dati mediante un sistema informatico operante a livello di funzionamento necessario, in funzione delle risorse disponibili, entro un tempo di risposta garantito, senza tenere conto delle condizioni di carico del sistema, quando esso è attivato da un fenomeno esterno.
2 Tutte le compensazioni disponibili (all compensation available):
Dopo che sono state considerate tutte le misure disponibili al produttore per ridurre al minimo tutti gli errori di posizionamento sistematici per il particolare modello di macchina utensile.
4 Unità di controllo di accesso alla rete (network access controller):
Interfaccia fisica a una rete di commutazione distribuita. Utilizza un sup- porto comune che funziona in permanenza alla stessa velocità di trasferi- mento numerico mediante arbitraggio (ad esempio rivelazione del gettone o della portante) per la trasmissione. Seleziona, indipendentemente da qualsiasi altro dispositivo, pacchetti di dati o gruppi di dati (per esempio IEEE 802) che gli sono indirizzati. È un insieme che può essere integrato in un’apparecchiatura a calcolatore o di telecomunicazioni per assicurare l’accesso alle comunicazioni.
1 Vaccino (vaccine):
Prodotto medicinale volto a stimolare una risposta immunologica di dife- sa nell’uomo e negli animali per prevenire la malattia. 7, 9 Veicoli spaziali (spacecraft): Satelliti attivi e passivi e sonde spaziali.
7 Velocità di precessione (giroscopi) (drift rate-gyro):
Velocità della deriva all’uscita di un giroscopio rispetto all’uscita deside- rata. Consiste di componenti aleatorie e sistematiche ed è espressa come un equivalente dello spostamento angolare all’ingresso per unità di tempo rispetto allo spazio inerziale.
4 Velocità di trasferimento:
si veda anche: Velocità di trasmissione dei dati Velocità di trasferimento numerica Velocità di trasferimento numerica totale
5 Velocità di trasferimento numerica (digital transfer rate):
Velocità totale binaria delle informazioni che sono direttamente trasferite su qualsiasi tipo di supporto (cfr. anche velocità di trasferimento numeri- ca totale).
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5 Velocità di trasferimento numerica totale (total digital transfer rate):
Numero di bit, compresi i bit di codifica in linea e i bit supplementari ecc., per unità di tempo, che passano tra apparecchiature corrispondenti in un sistema di trasmissione numerico (cfr. anche velocità di trasferimento numerica).
5 Velocità di trasmissione dati (data signalling rate):
Velocità definita dalla Raccomandazione 53-36 dell’UIT, tenuto conto del fatto che per la modulazione non binaria i baud e i bit al secondo non sono equivalenti. Le cifre binarie per le funzioni di codifica, di verifica e di sincronizzazione sono incluse. Nota: 1. Nel determinare la velocità di trasmissione dati, devono essere esclusi i canali di servizio e i canali amministrativi. 2. È la velocità massima in un senso, cioè la velocità massima in trasmissione o in ricezione.
MB 7 Vettori di espressione (expression vectors): Portatori (per es. plasmageni o virus) utilizzati per introdurre materiale genetico in cellule ospitanti.
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Allegato 2
Elenco dei beni utilizzabili a fini civili e militari
Note:
1. Ognuna delle 9 categorie di beni sottoelencate è suddivisa nelle 5 sezioni
seguenti: – Sezione A: Sistemi, apparecchiature e componenti – Sezione B: Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione – Sezione C: Materiali – Sezione D: Software – Sezione E: Tecnologia
2. I regimi di controllo sono indicati nelle colonna «N. elenco (Regime)» come
segue: W = WA –.Regime Wassenaar (Numeri: 001-099) M = MTCR –.Regime di controllo della tecnologia relativa ai missili (Numeri: 101-199) N = NSG –.Gruppo fornitori di articoli nucleari (Numeri: 201-299) A = AG –.Gruppo Australia (Numeri: 301-399)
3. A.4 =.Stati dell’allegato 4
T = Tolleranza (in valore)
Categoria Designazione dei beni
– Nota generale della tecnologia e nota generale del Software (NGT/NGS)
1 Materiali, materiali chimici, microrganismi e tossine
Compositi, leghe metalliche, sostanze lubrificanti, preimpregnati, prefor- mati, macchine per l’avvolgimento di filamenti, macchine per la messa in opera di nastri, macchine per la fabbricazione di preformati, ecc.
2 Trattamento e lavorazione dei materiali
Macchine utensili e macchine di controllo dimensionale, «controllo di contornatura» numerico per macchine utensili, macchine a scarica elettri- ca, cuscinetti antifrizione, robot, presse isostatiche a caldo, tecniche di deposizione, ecc.
3 Materiali elettronici
Circuiti integrati, componenti a microonde, campioni di frequenza atomi- ci, attrezzatura per la fabbricazione e il controllo dei dispositivi semicon- duttori, ecc.
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Categoria Designazione dei beni
4 Calcolatori
Calcolatori elettronici, calcolatori ibridi, calcolatori numerici, calcolatori ottici, calcolatori neurali, calcolatori a reti sistoliche e loro componenti, ecc. 5/Parte 1 Telecomunicazioni Apparecchiature di trasmissione (apparecchiature radio, ecc.), apparec- chiature di commutazione con «controllo a programma registrato», fibre ottiche, preformati di vetro per la fabbricazione di fibre ottiche, ecc. 5/Parte 2 Sicurezza dell’informazione Crittografia
6 Sensori e laser
Acustica, sensori ottici e specchi ottici, apparecchi da ripresa ad alta velo- cità, laser, magnetometri, radar, ecc.
7 Materiale avionico e di navigazione
Aerei d’allenamento, apparecchiature di navigazione, apparecchiature di ricezione di sistemi globali di navigazione via satellite (GPS o GLONASS), bussole, apparecchiature radiogoniometriche, ecc.
8 Materiale navale
Veicoli sottomarini e navi di superficie, apparecchi da ripresa subacquea, robot per l’impiego subacqueo, eliche propulsive, gallerie idrodinamiche, schiuma sintattica, ecc.
9 Sistemi di propulsione, veicoli spaziali e relative apparecchiature
Missili e sistemi di propulsione a razzo, apparecchiature per la fabbrica- zione di motori a turbina a gas, ecc.
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1.nNota generale della tecnologia (NGT) (Da leggersi congiuntamente alla sezione E delle categorie da 1 a 9)
L’esportazione della tecnologia necessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nelle categorie da 1 a 9, è sottoposta ad autorizza- zione dalle disposizioni riportate in ciascuna di queste categorie. La tecnologia necessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’Elenco rimane sottoposta ad autorizzazione anche quando utilizza- bile per merci non specificate nell’Elenco. L’autorizzazione all’esportazione di beni non è richiesta per la quantità minima di tecnologia necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione (verifica) e la riparazione dei beni che non sono sottoposti ad autorizzazione o di cui è stata autorizzata l’esportazione. Nota: La presente disposizione non si applica alla tecnologia di riparazione specificata in 1E002e, L’autorizzazione all’esportazione di tecnologia non è richiesta per le informazioni di pubblico dominio, per la ricerca scientifica di base o per la quantità minima di informazioni necessarie per le domande di brevetto.
2.nNota generale del software (NGS) In base alla presente nota non è sottoposto ad autorizzazione il software specificato alla sezione D delle categorie da 1 a 9 quando è: a) generalmente disponibile al pubblico in quanto:
1. venduto direttamente in stock, senza restrizioni, nei punti di vendita al
dettaglio: a. al banco, b. per corrispondenza o c. su ordinazione telefonica e
2. progettato per essere installato dall’utilizzatore senza ulteriore signifi-
cativa assistenza da parte del fornitore o b) di pubblico dominio.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
1 Materiali, materiali chimici, microrganismi
e tossine 1A Sistemi, apparecchiature e componenti 1A001 Componenti costituiti di composti fluorurati, come A.4 esente (W) segue: T:5000 a) dispositivi di tenuta, guarnizioni, sigillanti o serbatoi elastici per carburante appositamente progettati per applicazioni spaziali o aeronautiche, costituiti da più del 50% di uno qualsiasi dei materiali specificati in b) polimeri e copolimeri piezoelettrici costituiti da fluo- ruro di vinilidene specificati in 1C009a:
1. sotto forma di fogli o pellicole e
2. con spessore superiore a 200 micrometri;
c) dispositivi di tenuta, guarnizioni, sedi di valvole, serbatoi elastici o membrane costituiti da fluoroela- stomeri contenenti almeno un monomero di vini- letere, appositamente progettati per applicazioni spaziali, aeronautiche o per «missili». Nota: Nell’1A001c per «missili» si intendono sistemi completi a raz- zo e sistemi di aeromobili senza equipaggio.
1A002 Strutture o prodotti laminati compositi aventi una A.4 PGO (W,N) qualsiasi delle seguenti caratteristiche: T:1000 Nota: a) aventi una matrice organica e fabbricati con materiali b) aventi una matrice metallica o di carbonio e fabbri- cati con:
1. materiali fibrosi o filamentosi al carbonio con:
a) modulo specifico superiore a 10,15×106 m e b) carico di rottura specifico superiore a 17,7×104 m o
2. materiali specificati in 1C010c.
Note:
1. L’1A002 non sottopone ad autorizzazione strutture o pro-
dotti laminati compositi costruiti con materiali fibrosi o fi- lamentosi al carbonio impregnati con resine epossidiche utilizzati per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aerei, a condizione che la dimensione non superi 1 m2.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
2. L’1A002 non sottopone ad autorizzazione prodotti lavorati
o semilavorati appositamente progettati per solo uso civile, quali: a) articoli sportivi, b) industria automobilistica, c) industria delle macchine utensili, d) settore medico.
1A003 Manufatti realizzati con sostanze polimeriche non A.4 esente (W) fluorurate specificate in 1C008a3, sotto forma di T:5000 pellicole, fogli, nastri o strisce: a) aventi uno spessore superiore a 0,254 mm, o b) rivestiti o laminati con carbonio, grafite, metalli o so- stanze magnetiche. Nota: L’1A003 non sottopone ad autorizzazione i manufatti rivestiti o laminati con rame e progettati per circuiti elettronici stampa- ti.
1A004 Apparecchiature e componenti di protezione e A.4 esente (W) rivelazione diversi da quelli specificati nell’allegato 3, T:5000 come segue: Nota: a) maschere antigas, filtri e apparecchiature di deconta- minazione progettate o modificate per la difesa da agenti biologici o materiali radioattivi modificati per uso bellico o da agenti di guerra chimica e loro com- ponenti appositamente progettati; b) abiti, guanti e calzature protettivi appositamente pro- gettati o modificati per la difesa da agenti biologici o materiali radioattivi modificati per uso bellico o da agenti di guerra chimica; c) sistemi di rivelazione di agenti nucleari, biologici e chimici (ABC) appositamente progettati o modificati per rivelare o individuare agenti biologici, materiali radioattivi modificati per uso bellico o agenti di guer- ra chimica e loro componenti appositamente proget- tati. Nota: L’1A004 non sottopone ad autorizzazione: a) dosimetri per il controllo delle radiazioni assorbite dalle persone;
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
b) apparecchiature esclusivamente destinate, per progettazione o per applicazione, alla protezione dai rischi specifici connessi con le attività industriali civili nei settori estrattivo, agricolo, farmaceutico, medico, veterinario, ambientale, della gestione dei rifiuti e alimentare.
1A005 Indumenti corazzati, e loro componenti apposita- A.4 esente (W) mente progettati, diversi da quelli prodotti secondo T:5000 norme o specifiche militari o aventi prestazioni equi- valenti. Note:
1. L’1A005 non sottopone ad autorizzazione singoli abiti co-
razzati e relativi accessori al seguito dell’utenza a scopo di protezione personale.
2. L’1A005 non sottopone ad autorizzazione gli indumenti
corazzati per la protezione frontale unicamente da fram- menti e onde d’urto provocati da congegni esplosivi non militari. Nota complementare: Confronta anche allegato 3.
1A102 Materiali risaturati pirolizzati carbonio-carbonio A.4 PGO (M) progettati per i veicoli di lancio nello spazio specifi- T:1000 cati in 9A004 o per i razzi sonda specificati in 9A104. 1A202 Strutture composite, diverse da quelle specificate in A.4 PGO (N) 1A002, di forma tubolare e aventi tutte le seguenti T:1000 caratteristiche: Nota: a) un diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm e b) costruite con uno qualsiasi dei materiali fibrosi o fi- con i materiali preimpregnati al carbonio specificati 1A225 Catalizzatori platinati appositamente progettati o A.4 PGO (N) preparati per favorire la reazione di scambio T:1000 dell’isotopo idrogeno tra l’idrogeno e l’acqua per il recupero del trizio dall’acqua pesante o per la pro- duzione di acqua pesante. 1A226 Filtri speciali che possono essere utilizzati per la A.4 PGO (N) separazione dell’acqua pesante dall’acqua comune e T:1000 aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) costituiti da una rete a maglia fitta di bronzo fosforoso trattata chimicamente per migliorarne la bagnabilità e
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b) progettati per essere utilizzati in torri di distillazione sottovuoto. 1A227 Finestre ad alta densità schermate contro le radia- A.4 PGO (N) zioni (p. es. vetri al piombo) aventi tutte le caratte- T:1000 ristiche seguenti, e le loro cornici appositamente progettate: a) una zona fredda di dimensioni superiori a 0,09 m2; b) una densità superiore a 3 g/cm3 e c) uno spessore uguale o superiore a 100 mm e loro cor- nici appositamente progettate. Nota tecnica: In 1A227 con il termine «zona fredda» si intende la zona di vi- sualizzazione esposta al più basso livello di radiazione nella progettazione.
1B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 1B001 Apparecchiature per la produzione di fibre, preim- pregnati, preformati o materiali compositi specificati in 1A002 o 1C010, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: Nota: (W,M,N) a) macchine per l’avvolgimento di filamenti i cui movi- A.4 PGO menti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura T:1000 delle fibre sono coordinati e programmati secondo tre o più assi, appositamente progettate per fabbricare strutture o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi; (W,M) b) macchine per la messa in opera di nastri o per il piaz- A.4 PGO zamento di cavi di filamenti i cui movimenti di posi- T:1000 zionamento e di messa in opera di nastri, di cavi di filamenti o di fogli sono coordinati e programmati se- condo due o più assi, appositamente progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di ae- romobili o di «missili»; Nota tecnica: Nell’1B001b per «missili» si intendono sistemi completi a razzo o sistemi di aeromobili senza equipaggio.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
(W,M) c) macchine per la tessitura e macchine per interallac- A.4 PGO ciare a più dimensioni o direzioni, compresi gli adat- T:1000 tatori e gli assiemi di modifica, per tessere, interallac- ciare o intrecciare le fibre per la fabbricazione di strutture composite; Nota: L’1B001c non sottopone ad autorizzazione le macchine tessili non modificate per le utilizzazioni finali sopra indicate. (W,M) d) apparecchiature appositamente progettate o adattate A.4 PGO per la produzione di fibre di rinforzo come segue: T:1000
1. apparecchiature per la trasformazione di fibre po-
limeriche (quali poliacrilenitrile, rayon, resina o policarbosilano) in fibre di carbonio o in fibre di carburo di silicio, compresi i dispositivi speciali per la tensione della fibra durante il riscaldamento;
2. apparecchiature per la deposizione sotto forma di
vapore con processo chimico di elementi o compo- sti su substrati filamentosi riscaldati per la fabbri- cazione di fibre di carburo di silicio;
3. apparecchiature per la filatura a umido di cerami-
che refrattarie (quali l’ossido di alluminio);
4. apparecchiature per la trasformazione, con tratta-
mento termico, di alluminio contenente fibre di materiali precursori in fibre di allumina; (W,M) e) apparecchiature per la produzione, con il metodo A.4 PGO della fusione a caldo, di preimpregnati specificati T:1000 (W) f) apparecchiature per l’ispezione non distruttiva in A.4 esente grado di rilevare i difetti nelle tre dimensioni, con T:1000 l’impiego dell’ecografia o della tomografia a raggi X ed appositamente progettati per i materiali compositi. 1B002 Sistemi e loro componenti appositamente progettati A.4 PGO (W,M) per evitare le contaminazioni e per la produzione T:1000 di leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o ma- teriali legati specificati in 1C002a2, 1C002b o 1B003 Attrezzature, matrici, forme o montaggi per la A.4 esente (W) formatura superplastica o la saldatura per diffusione T:5000 del titanio, dell’alluminio o di loro leghe, apposita- mente progettati per la fabbricazione di: a) strutture di cellule o strutture aerospaziali, b) motori per aeromobili o motori aerospaziali o
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
c) componenti appositamente progettati per queste strut- ture o motori. 1B101 Apparecchiature, diverse da quelle specificate in 1B001, per la produzione di materiali compositi strutturali, come segue, e loro componenti ed acces- sori appositamente progettati: Nota: I componenti ed accessori specificati in 1B101 comprendono: forme, mandrini, matrici, attrezzature ed utensili per la com- pressione dei preformati, per l’indurimento, per la fusione, per la sinterizzazione o incollaggio di strutture composite, loro la- minati e manufatti. Nota complementare: Confronta anche 1B201. (M,N) a) macchine per l’avvolgimento di filamenti i cui movi- A.4 PGO menti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura T:1000 delle fibre possono essere coordinati e programmati secondo tre o più assi, progettate per fabbricare strutture composite o prodotti laminati utilizzando materiali fibrosi o filamentosi, e controlli di coordi- nazione e di programmazione; (M) b) macchine per la messa in opera di nastri i cui movi- A.4 PGO menti di posizionamento e di messa in opera del T:1000 nastro e dei fogli possono essere coordinati e pro- grammati secondo due o più assi, progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di aeromobili e di missili; (M) c) apparecchiature progettate o modificate per la produ- A.4 PGO zione di materiali fibrosi o filamentosi, come segue: T:1000
1. apparecchiature per la trasformazione di fibre po-
limeriche (quali poliacrilonitrile, rayon, o policar- bosilano) compresi i dispositivi speciali per la ten- sione della fibra durante il riscaldamento;
2. apparecchiature per la deposizione sotto forma di
vapore di elementi o composti su substrati fila- mentosi riscaldati e
3. apparecchiature per la filatura a umido di ceramiche
refrattarie (quali l’ossido di alluminio); (M) d) apparecchiature progettate o modificate per il tratta- A.4 PGO mento speciale della superficie delle fibre o per la T:1000 produzione di preimpregnati o di preformati specifi-
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Nota: In 1B101d sono compresi rulli, tenditori, apparecchiature per rivestimenti, apparecchiature di taglio e matrici di taglio.
1B115 Apparecchiature per la produzione, il maneggio e il A.4 PGO (M) collaudo di accettazione dei propellenti o loro costi- T:1000 tuenti specificati nell’allegato 3, MB 8, in 1C011a, progettati. Note:
1. L’1B115 sottopone ad autorizzazione solo i miscelatori se-
guenti in grado di mescolare sotto vuoto nella gamma di pressioni da 0 a 13,326 kPa e con capacità di controllo della temperatura della camera di miscelazione: a. miscelatori a colata discontinua aventi una capacità vo- lumetrica totale uguale o superiore a 110 litri ed almeno un albero per miscelare/impastare montato fuori centro; b. miscelatori a colata continua aventi due o più alberi per miscelare/impastare e la possibilità di aprire la camera di miscelazione.
2. Per le apparecchiature appositamente progettate per uso
militare, confronta l’allegato 3, MB 8.
3. L’1B115 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiatu-
re per la produzione, il trattamento e la prova di accettazio- ne del carburo di boro.
1B116 Iniettori appositamente progettati per la produzione A.4 PGO (M) di materiali derivati per pirolisi formati su stampo, T:1000 anima o altro supporto a partire da gas precursori che si decompongono nella gamma di temperatura da
1573 K (1300°C) a 3173 K (2900°C) a pressioni da
130 Pa a 20 kPa.
1B201 Macchine per l’avvolgimento di filamenti, diverse da A.4 PGO (N) quelle specificate in 1B001 o 1B101, e attrezzature T:1000 connesse, come segue: a) macchine per l’avvolgimento di filamenti aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. movimenti di posizionamento, avvolgimento e bo-
binatura delle fibre coordinati e programmati se- condo due o più assi;
2. appositamente progettate per fabbricare strutture o
prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi e
3. in grado di avvolgere rotori cilindrici di diametro
compreso tra 75 mm e 400 mm e lunghezze uguali o superiori a 600 mm;
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b) controlli di coordinamento e di programmazione per le macchine per l’avvoglimento di filamenti specifi- c) mandrini di precisione per le macchine per l’avvolgimento di filamenti specificate in 1B201a. 1B225 Celle elettrolitiche per la produzione di fluoro, con A.4 PGO (N) capacità di produzione superiore a 250 g/h di fluoro. T:1000 1B226 Separatori elettromagnetici di isotopi, progettati od A.4 PGO (N) equipaggiati con sorgenti ioniche singole o multiple T:1000 in grado di assicurare una corrente totale del fascio ionico uguale o superiore a 50 mA. Note:
1. Nell’1B226 sono compresi i separatori in grado di arricchire
gli isotopi stabili.
2. Nell’1B226 sono compresi i separatori aventi le sorgenti io-
niche ed i collettori immersi entrambi nel campo magnetico e le configurazioni nelle quali entrambi risultino esterni al campo.
1B227 Convertitori di sintesi di ammoniaca o unità di sintesi A.4 PGO (N) di ammoniaca nei quali il gas di sintesi (azoto ed T:1000 idrogeno) è estratto da una colonna di scambio ad al- ta pressione ammoniaca/idrogeno e l’ammoniaca sin- tetizzata è riportata nella suddetta colonna. 1B228 Colonne di distillazione criogenica dell’idrogeno A.4 PGO (N) aventi tutte le caratteristiche seguenti: T:1000 a) progettate per funzionare con temperature interne uguali o inferiori a 35 K (–238°C), b) progettate per funzionare con pressioni interne da 0,5 MPa a 5 MPa, c) costruite con:
1. «acciai inossidabili a grana fine» appartenenti alla
serie 300 con basso tenore di zolfo o con indice di dimensioni della grana austenitica ASTM (o norma equivalente) n. 5 o superiore o
2. materiali equivalenti che sono insieme criogenici e
compatibili con H2 e d) aventi un diametro interno uguale o superiore ad 1 m e lunghezza effettiva uguale o superiore a 5 m. 1B229 Colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solfo- A.4 PGO (N) rato e contattori interni, come segue: T:1000
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a) colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solfo- rato, aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. in grado di funzionare a pressioni di 2 Mpa o supe-
riori;
2. costruite con acciaio al carbonio avente un indice di
dimensione della grana austenitica ASTM (o norma equivalente) n. 5 o superiore e
3. di diametro uguale o superiore a 1,8 m;
b) «contattori interni» delle colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato specificate in Nota tecnica:
1. I contattori interni delle colonne sono piatti segmentati con
diametro effettivo di assemblaggio uguale o superiore a 1,8 m, sono progettati per facilitare il contatto controcorrente e sono costruiti con acciaio inossidabile a grana fine con un contenuto di carbonio dello 0,03% o inferiore. Possono es- sere costituiti da piatti a crivello, piatti a valvola, piatti a campana di gorgogliamento o piatti di turbogriglia.
1B230 Pompe per la circolazione di soluzioni di catalizzatori A.4 PGO (N) di ammide di potassio diluite o concentrate in ammo- T:1000 niaca liquida (KNH2/NH3), aventi tutte le caratteri- stiche seguenti: a) a tenuta di aria (cioè sigillate ermeticamente); b) portata superiore a 8,5 m3/h e c) una delle caratteristiche seguenti:
1. per le soluzioni di ammide di potassio concentrate
(1% o superiore), pressione di funzionamento com- presa tra 1,5 e 60 Mpa
2. per soluzioni di ammide di potassio diluite (inferiori
all’1%), pressione di funzionamento compresa tra 20 e 60 Mpa. 1B231 Attrezzature, impianti o apparecchiature per il trizio, A.4 PGO (N) come segue: T:1000 a) attrezzature o impianti per la produzione, il recupero, l’estrazione, la concentrazione o la manipolazione del trizio; b) apparecchiature per attrezzature o impianti per il tri- zio, come segue:
1. unità di refrigerazione a idrogeno o ad elio in gra-
do di raffreddare ad una temperatura inferiore o uguale a 23° K (-250°C), con capacità di assorbi- mento del calore superiore a 150 W o
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
2. sistemi di immagazzinamento e di purificazione
dell’isotopo di idrogeno che impiegano idruri me- tallici come mezzo di immagazzinamento o di pu- rificazione. 1B232 Turbine di espansione o gruppi turbina di espansio- A.4 PGO (N) ne-compressore aventi tutte le caratteristiche seguen- T: 1000 ti: a) progettati per funzionare a una temperatura all’uscita uguale o inferiore a 35 K (–238°C) e b) progettati con un flusso di idrogeno-gas uguale o su- periore a 1000 Kg/h. 1B233 Attrezzature o impianti e relative apparecchiature A.4 PGO (N) per la separazione degli isotopi del litio, come segue: T:1000 a) attrezzature o impianti per la separazione degli isoto- pi del litio; b) apparecchiature per la separazione degli isotopi del litio, come segue:
1. colonne di scambio liquido-liquido a riempimento
appositamente progettate per gli amalgami di litio;
2. pompe per amalgami di mercurio e/o litio;
3. cellule di elettrolisi degli amalgami di litio;
4. evaporatori per soluzione concentrata di idrossido
di litio.
1C Materiali Nota tecnica: Metalli e leghe: Ove non altrimenti specificato i termini «metalli» e «leghe» in 1C001-1C012 coprono le forme grezze e semilavorate, come segue: Forme grezze: anodi, sfere, barre (comprese barrette intagliate e barre da filo), billette, blocchi, blumi, mattoni, panelli, catodi, cristalli, cubi, dadi, grani, granuli, lingotti, pezzi, palline, pani, polveri im- palpabili, rondelle, graniglie, lastre, spezzoni, spugne, bac- chette; Forme semilavorate (rivestite, placcate e forate, punzonate o meno):
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
a) materiali forgiati o lavorati ottenuti mediante laminazione, stiratura, estrusione, fucinatura, estrusione per urto, stam- paggio, granitura, atomizzazione e molatura, cioè: angoli, profilati ad U, pezzi circolari, dischi, polveri, pagliuzze, la- mine e foglie, fucinati, lamiere, polveri impalpabili, stam- pati e imbutiti, nastri, anelli, aste (compresi bacchette nude per saldatura, tondini e fili laminati), profilati, sagomati, fo- gli, reggette, tubi (anche tondi, quadri e concavi), fili trafi- lati e fili estrusi; b) getti colati in forme di sabbia, conchiglie, forme di metallo, di gesso e di altro tipo, comprese colate ad alta pressione, forme sinterizzate e forme ottenute mediante procedimenti di metallurgia delle polveri. Sono sottoposte ad autorizzazione per l’esportazione le forme non contenute nel precedente elenco presentate come prodotti finiti ma consistenti in realtà in forme grezze o semilavorate.
1C001 Materiali appositamente progettati per assorbire le A.4 PGO (W,M) onde elettromagnetiche, o polimeri intrinsecamente T:1000 conduttori, come segue: Nota: Confronta anche 1C101. a) materiali per l’assorbimento di frequenze superiori a 2×108 Hz e inferiori a 3×1012 Hz; Note:
1. L’1C001a non sottopone ad autorizzazione:
a) materiali assorbenti di tipo filiforme costituiti da fibre naturali o sintetiche, a carica non magnetica per consen- tire l’assorbimento; b) materiali assorbenti senza perdita magnetica e con super- ficie incidente non planare, comprendenti piramidi, coni, prismi e superfici spiraliformi; c) materiali assorbenti di tipo planare, aventi tutte le carat- teristiche seguenti:
1. costituiti da almeno uno dei seguenti materiali:
a) materiali in schiuma plastica (flessibili o non fles- sibili) a carica di carbonio, o materiali organici, compresi i leganti, in grado di produrre una eco che superi il 5% del valore dell’eco del metallo su lar- ghezza di banda superiore al ± 15% della frequenza centrale dell’energia incidente, e non in grado di resistere a temperature superiori a 450 K (177°C) o b) materiali ceramici in grado di produrre una eco che superi il 20% del valore dell’eco del metallo su lar- ghezza di banda superiore al ± 15% della frequenza centrale dell’energia incidente e non in grado di re- sistere a temperature superiori a 800 K (527°C);
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
Nota tecnica: I campioni per le prove di assorbimento in 1C001a nota 1c1 dovranno essere di forma quadrata con un lato di almeno 5 lunghezze d’onda (corrispondente alla frequenza centrale) situati lontano dal campo prodotto dalla sorgente radiante.
2. resistenza alla trazione inferiore a 7×106 N/m2 e
3. resistenza alla compressione inferiore a 14×106 N/m2;
d) materiali assorbenti di tipo planare costituiti da ferrite sinterizzata, con:
1. densità specifica superiore a 4,4 e
2. temperatura massima di funzionamento di 548 K
(275°C); NB: I materiali magnetici che permettono l’assorbimento delle onde elettromagnetiche, quando contenuti nelle vernici, restano sottoposti ad autorizzazione secondo b) materiali per l’assorbimento di frequenze superiori a 1,5×1014 Hz e inferiori a 3,7×1014 Hz e non traspa- renti nel dominio visibile; c) materiali polimerici intrinsecamente conduttivi con conduttività elettrica di volume superiore a 10i000 S/m (Siemens per metro) o resistività superficiale in- feriore a 100 ohm/m2, basati su uno qualsiasi dei po- limeri seguenti:
1. polianilina,
2. polipirrolo,
3. politiofene,
4. polifenilene-vinilene,
5. politienilene-vinilene.
Nota tecnica: La conduttività elettrica di volume e la resistività superfi- ciale sono determinate con l’ausilio della norma ASTM D-
257 o norme nazionali equivalenti.
1C002 Leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o materiali legati, come segue: Nota: L’1C002 non sottopone ad autorizzazione le leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o materiali legati per il rivestimento di substrati. Nota complementare: Confronta anche 1C202. a) leghe metalliche, come segue: (W) 1. leghe di nichelio o di titanio sotto forma di A.4 esente alluminuri, come segue, in forme grezze o di T:1000 semilavorati:
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a) alluminuri di nichelio contenenti in peso almeno il 15% e non oltre il 38% di alluminio e almeno un elemento di lega supplementare; b) alluminuri di titanio contenenti in peso il 10% o più di alluminio e almeno un elemento di lega supplementare;
2. leghe costituite da polveri o particelle di leghe
metalliche specificate in 1C002b, come segue: (W) a) leghe di nichelio con: A.4 esente
1. vita fino alla rottura sotto sforzo di 10i000 T:1000
ore o più alla temperatura di 923 K (650°C) e sotto un carico di 676 Mpa o
2. resistenza alla fatica oligociclica di 10 000 ci-
cli o più a 823 K (550°C) e sotto un carico massimo di 1095 Mpa; (W) b) leghe di niobio con: A.4 esente
1. vita fino alla rottura sotto sforzo di 10 000 T:1000
ore o più alla temperatura di 1073 K (800°C) e sotto un carico di 400 MPa o
2. resistenza alla fatica oligociclica di 10i000 ci-
cli o più alla temperatura di 973 K (700°C) e sotto un carico massimo di 700 MPa; (W) c) leghe di titanio con: A.4 esente
1. vita fino alla rottura sotto sforzo di 10i000 T:1000
ore o più alla temperatura di 723 K (450°C) e sotto un carico di 200 MPa o
2. resistenza alla fatica oligociclica di 10i000 ci-
cli o più alla temperatura di 723 K (450°C) e sotto un carico massimo di 400 MPa; (W,N) d) leghe di alluminio aventi resistenza alla trazio- A.4 PGO ne: T:1000
1. uguale o superiore a 240 MPa alla temperatu-
ra di 473 K (200°C) o
2. uguale o superiore a 415 MPa alla temperatu-
ra di 298 K (25°C); (W) e) leghe di magnesio aventi resistenza alla trazione A.4 esente uguale o superiore a 345 MPa e tasso di corro- T:1000 sione inferiore a 1 mm/anno in una soluzione acquosa di cloruro di sodio al 3% misurata conformemente alla norma ASTM G-31 o nor- me equivalenti; Note tecniche:
1. Le leghe metalliche specificate in 1C002a sono leghe con-
tenenti una percentuale in peso del materiale indicato più elevata rispetto a qualsiasi altro elemento.
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2. La vita fino alla rottura sotto sforzo deve essere misurata
conformemente alla norma ASTM E-139 o norme nazionali equivalenti.
3. La resistenza alla fatica oligociclica deve essere misurata
conformemente alla norma ASTM E-606 “Recommanded Practice for Constant- Amplitude Low-Cycle Fatigue Te- sting” o norme nazionali equivalenti. La prova deve essere assiale con un rapporto di carico medio uguale a 1 e coeffi- ciente di concentrazione dei carichi (K) uguale ad 1. Il cari- co medio è definito come carico massimo meno carico mi- nimo diviso il carico massimo. (W) b) polveri o particelle di leghe metalliche per i materiali A.4 esente specificati in 1C002a, come segue: T:1000
1. costituite da uno qualsiasi dei sistemi di composi-
zione seguenti: Nota tecnica: Nelle formule che seguono X=uno o più elementi della lega. a) leghe di nichelio (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualifi- cate per parti o componenti di motori a turbina, cioè con meno di 3 particelle non metalliche (introdotte nel corso del processo di fabbrica- zione) con dimensioni superiori a 100 µm per
109 particelle di lega;
b) leghe di niobio (Nb-Al-X o Nb-X- Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti); c) leghe di titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al); d) leghe di alluminio (Al-Mg-X o Al- X-Mg, Al- Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe- X o Al-X-Fe) o e) leghe di magnesio (Mg-Al-X o Mg- X-Al) e
2. ottenute in ambiente controllato con uno qualsiasi
dei processi seguenti: a) atomizzazione sottovuoto, b) atomizzazione a gas, c) atomizzazione centrifuga, d) tempra rapida, e) tempra su cilindro e polverizzazione, f) estrazione in fusione e polverizzazione o g) lega meccanica; (W) c) materiali legati sotto forma di pagliuzze, nastri o bac- A.4 esente chette sottili, non polverizzati, ottenuti in ambiente T:1000 controllato con tempra rapida (splat quenching), tempra su cilindro o estrazione in fusione, utilizzati per la fabbricazione di polveri o di particelle di leghe metalliche specificate in 1C002b.
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1C003 Metalli magnetici di qualsiasi tipo e forma, aventi al- A.4 esente (W) meno una delle caratteristiche seguenti: T:1000 a) permeabilità iniziale relativa (initial relative permeabi- lity) di 120 000 o più e spessore di 0,05 mm o inferio- re; Nota tecnica: La misura della permeabilità iniziale deve essere effettuata sui materiali dopo completa ricottura. b) leghe magnetostrittive aventi una qualsiasi delle ca- ratteristiche seguenti:
1. magnetostrizione di saturazione superiore a 5×10-4
o
2. fattore di accoppiamento magnetomeccanico (k)
superiore a 0,8 o c) strisce di leghe amorfe o nanocristalline aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. composizione avente almeno il 75% in peso di fer-
ro, cobalto o nichelio,
2. induzione magnetica di saturazione (Bs) di 1,6 T o
superiore e
3. una delle caratteristiche seguenti:
a) spessore della striscia di 0,02 mm o inferiore o b) resistività elettrica di 2×10-4 ohm/cm o più; Nota tecnica: I materiali «nanocristallini» di cui al punto 1C003c sono i materiali aventi una grana cristallina pari o inferiore a 50 nm, determinata mediante diffrazione di raggi X.
1C004 Leghe di uranio titanio o leghe di tungsteno con una A.4 esente (W) matrice a base di ferro, nichelio o rame, aventi le ca- T:1000 ratteristiche seguenti: a) densità superiore a 17,5 g/cm3, b) limite di elasticità superiore a 880 MPa, c) carico di rottura superiore a 1270 MPa e d) allungamento superiore all’8%. 1C005 Conduttori compositi (composite conductors) super- A.4 esente (W) conduttori di lunghezza superiore a 100 m o con mas- T:1000 sa superiore a 100 g, come segue: a) conduttori compositi (composite conductors) super- conduttori a filamenti multipli contenenti uno o più filamenti al niobio-titanio:
1. integrati in una matrice diversa da una matrice di
rame o di una miscela a base di rame o
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2. con sezione trasversale della superficie inferiore a
0,28×10-4 mm2 (6 µm di diametro per i filamenti circolari); b) conduttori compositi (composite conductors) super- conduttori costituiti da uno o più filamenti supercon- duttori diversi dal niobio-titanio aventi le caratteristi- che seguenti:
1. temperatura critica, ad induzione magnetica nulla,
superiore a 9,85 K (–263,31°C) ma inferiore a 24 K (–249,16°C);
2. sezione trasversale inferiore a 0,28×10-4 mm2 e
3. mantenimento dello stato superconduttore ad una
temperatura di 4,2 K (–268,96°C), quando esposti ad un campo magnetico corrispondente ad una in- duzione magnetica di 12 T. 1C006 Fluidi e sostanze lubrificanti, come segue: A.4 esente (W) a) fluidi idraulici che contengono come ingredienti prin- T:1000 cipali uno qualsiasi dei composti o delle sostanze se- guenti:
1. oli di idrocarburi al silicone aventi tutte le caratte-
ristiche seguenti: a) punto di infiammabilità superiore a 477 K (204°C), b) punto di scorrimento a 239 K (-34°C) o inferio- re, c) indice di viscosità di 75 o superiore e d) stabilità termica a 616 K (343°C) o Nota: Ai fini dell’1C006a1, gli oli di idrocarburi al silicone con- tengono esclusivamente silicio, idrogeno e carbonio.
2. clorofluorocarburi con:
a) nessun punto di infiammabilità, b) temperatura di autoaccensione superiore a 977 K (704°C), c) punto di scorrimento a 219 K (-54°C) o inferio- re, d) indice di viscosità di 80 o superiore e e) punto di ebollizione a 473 K (200°C) o superio- re; Nota: Ai fini dell’1C006a2, i clorofluorocarburi contengono esclusivamente carbonio, fluoro e cloro.
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b) sostanze lubrificanti contenenti come ingredienti principali uno qualsiasi dei composti o sostanze se- guenti:
1. eteri o tio-eteri di fenilene o di alchilfenilene o loro
miscele contenenti più di due funzioni etere o tio- etere o loro miscele o
2. fluidi fluorurati al silicone, aventi viscosità cine-
matica, misurata a 298 K (25°C), inferiore a 5000 mm2/s (5000 centistokes); c) fluidi di ammortizzamento o di flottazione aventi pu- rezza superiore al 99,8%, contenenti meno di 25 par- ticelle di dimensione uguale o superiore a 200 µm per
100 ml e costituiti per l’85% almeno di uno qualsiasi
dei composti o delle sostanze seguenti:
1. dibromotetrafluoroetano,
2. policlorotrifluoroetilene (solo modificazioni oleose
e cerose) o
3. polibromotrifluoroetilene;
d) fluidi di raffreddamento ai fluorocarburi per parti elettroniche, aventi tutte le seguenti caratteristiche:
1. contenuto in peso pari all’85% o più di uno qual-
siasi dei seguenti elementi o loro miscele: a) forme monomeriche di perfluoropo- lialchiletertriazine o perfluoro-eteri- alifatici, b) perfluoroalchilammine, c) perfluorocicloalcani o d) perfluoroalcani;
2. densità uguale o superiore a 1,5 g/ml a 298 K
(25°C);
3. stato liquido a 273 K (0°C) e
4. contenuto in peso del 60% o più di fluoro;
Nota tecnica: Ai fini dell’1C006: a) il punto di infiammabilità è determinato con il metodo Cle- veland a vaso aperto, indicato nella norma ASTM D-92 o norme nazionali equivalenti; b) il punto di scorrimento è determinato con il metodo de- scritto nella norma ASTM D-97 o norme nazionali equiva- lenti; c) l’indice di viscosità è determinato con il metodo descritto nella norma ASTM D-2270 o norme nazionali equivalenti; d) la stabilità termica secondo la norma ASTM D-2160 (-85) è determinata con la procedura di prova seguente o con altre procedure nazionali equivalenti:
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20 ml di fluido da provare sono introdotti in una camera
d’acciaio inossidabile tipo 317 di 46 ml contenente una sfe- ra di ciascuno dei materiali seguenti: acciaio per utensili M- 10, acciaio 52.100 e bronzo di qualità marina (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn), ciascuna sfera con diametro (nominale) di 12,5 mm. La camera è pulita con azoto, sigil- lata alla pressione atmosferica e la temperatura viene portata a 644 ± 6 K (371 ± 6°C) e mantenuta a questo livello per ore. Il campione è considerato termicamente stabile se al termine del processo sopra descritto sono verificate tutte le condizioni seguenti:
1. la perdita di peso di ciascuna sfera è inferiore a 10
mg/mm2 della superficie della sfera;
2. la diminuzione della viscosità iniziale, stabilita a 311 K
(38°C), è inferiore al 25% e
3. l’indice di basicità o di acidità totale è inferiore a 0,40;
e) la temperatura di autoaccensione è determinata con il meto- do descritto nella norma ASTM E-659 o norme nazionali equivalenti.
1C007 Materiali ceramici di base, materiali ceramici non A.4 PGO (W,M) compositi, materiali compositi a matrice ceramica e T:1000 materiali precursori, come segue: Nota: Confronta anche 1C107. a) materiali di base di boruri di titanio semplici o com- plessi, aventi impurità metalliche totali, non compre- se le aggiunte intenzionali, minori di 5000 ppm, di- mensione media della particella uguale o inferiore a 5 µm, e non più del 10% di particelle superiori a 10 µm; b) materiali ceramici non compositi, sotto forma grezza o semilavorata, composti di boruri di titanio con den- sità uguale o superiore al 98% del valore teorico; Nota: L’1C007b non sottopone ad autorizzazione gli abrasivi. c) materiali compositi ceramica-ceramica, a matrice di vetro o di ossido, rinforzati con fibre corrispondenti a uno qualsiasi dei sistemi seguenti:
1. Si-N,
2. Si-C,
3. Si-AI-O-N o
4. Si-O-N
con un carico di rottura specifico superiore a 12,7×103 m;
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d) materiali compositi ceramica-ceramica, con o senza fase metallica continua, contenenti particelle, mate- riale filiforme o fibre nei quali i carburi o i nitruri di silicio, di zirconio o di boro costituiscono la matrice; e) materiali precursori (cioè materiali speciali polimerici o metallo-organici), per la produzione di qualsiasi fa- se o fasi di materiali specificati in 1C007c, come se- gue:
1. polidiorganosilani (per la produzione di carburo di
silicio),
2. polisilazani (per la produzione di nitruro di silicio),
3. policarbosilazani (per la produzione di ceramiche
comprendenti componenti di silicio, di carbonio e di azoto); f) materiali compositi ceramica-ceramica a matrice di vetro o di ossido, rinforzati con fibre continue corri- spondenti a uno qualsiasi dei sistemi seguenti:
2. Si-C-N.
Nota: L’1C007f non sottopone ad autorizzazione i materiali compo- siti contenenti fibre corrispondenti a detti sistemi con un carico di rottura specifico della fibra inferiore a 700 MPa a 1273 K (1000°C) o una resistenza allo scorrimento della fibra superio- re all’1% dell’allungamento da scorrimento ad un carico di 100 MPa e ad una temperatura di 1273 K (1000°C) per un periodo di 100 ore.
1C008 Sostanze polimeriche non fluorurate, come segue: A.4 esente (W) a) 1. bismaleimmidi, T:1000
2. poliammidi-immidi aromatiche,
3. poliimmidi aromatiche,
4. polieteriimmidi aromatiche aventi temperatura di
transizione vetrosa (T g) superiore a 513 K (240°C) misurata con processo per via secca con- formemente alla norma ASTM D-3418; Nota: L’1C008a non sottopone ad autorizzazione le polveri non fondibili per stampaggio a pressione o le casseformi non fon- dibili a pressione. b) copolimeri cristalli liquidi termoplastici aventi una temperatura di distorsione superiore a 523 K (250°C) misurata in conformità alla norma ASTM D-648, me- todo A, o norme nazionali equivalenti, sotto un carico di 1,82 N/mm2, e composti da:
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1. una delle sostanze seguenti:
a) fenilene, bifenilene o naftalene o b) metile, butile terziario o fenile sostituiti al fenile- ne, bifenilene o naftalene e
2. uno degli acidi seguenti:
a) acido tereftalico, b) 6-idrossi-2-acido naftoico o c) 4-acido idrossibenzoico; c) poliarilene eteri chetoni, come segue:
1. polieteri eteri chetoni (PEEK),
2. polieteri chetoni chetoni (PEKK),
3. polieteri chetoni (PEK),
4. polieteri chetoni eteri chetoni chetoni (PEKEKK);
d) poliarilene chetoni; e) poliarilene solfuri, dove il gruppo arilene è costituito da bifenilene, trifenilene o una loro combinazione; f) polibifenilenetere solfone. Nota tecnica: La temperatura di transizione vetrosa (Tg) per i materiali di cui al punto 1C008 è determinata con il metodo descritto nella nor- ma ASTM D-3418 utilizzando il processo per via asciutta.
1C009 Composti fluorurati, non trattati, come segue: A.4 esente (W) a) copolimeri di fluoruro di vinilidene aventi struttura T:1000 cristallina beta del 75% o più senza stiramento; b) poliimmidi fluorurate, contenenti in peso 10% o più di fluoro combinato; c) elastomeri di fosfazene fluorurato, contenenti in peso 30% o più di fluoro combinato. 1C010 Materiali fibrosi o filamentosi suscettibili di essere uti- A.4 PGO lizzati in strutture o prodotti laminati compositi a ma- T:1000 trice organica, a matrice metallica o a matrice di car- bonio, come segue: Nota: Confronta anche 1C210. (W,N) a) materiali fibrosi o filamentosi organici aventi le due A.4 PGO caratteristiche seguenti: T:1000
1. modulo specifico superiore a 12,7×106 m e
2. carico di rottura specifico superiore a 23,5×104 m;
Nota: L’1C010a non sottopone ad autorizzazione il polietilene.
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(W,N) b) materiali fibrosi o filamentosi al carbonio, aventi le A.4 PGO due caratteristiche seguenti: T:1000
1. modulo specifico superiore a 12,7×106 m e
2. carico di rottura specifico superiore a 23,5×104 m;
Nota tecnica: Le proprietà dei materiali descritti in 1C010b devono essere de- terminate con il metodo SRM 12 fino a 17 raccomandato dalla SACMA o norme nazionali equivalenti per il collaudo di cavi di filamenti, quale ad esempio Japanese Industrial Standard (JIS- R-7601, par. 6.6.2), e basate sulla media dei lotti. Nota: L’1C010b non sottopone ad autorizzazione tessuti costruiti con materiali fibrosi o filamentosi per la riparazione di prodotti la- minati o di strutture di aerei, nei quali la dimensione dei singoli fogli non superi 50 cm×90 cm. (W) c) materiali fibrosi o filamentosi inorganici aventi le due A.4 PGO caratteristiche seguenti: T:1000
1. modulo specifico superiore a 2,54×106 m e
2. punto di fusione, rammollimento, decomposizione o
sublimazione superiore a 1922 K (1649°C) in am- biente inerte; Nota: L’1C010c non sottopone ad autorizzazione:
1. le fibre di allumina policristallina, polifasata e discontinua,
a forma di fibre tagliate o di piastre irregolari, contenenti il 3% o più in peso di silice ed aventi modulo specifico infe- riore a 10×106 m;
2. le fibre di molibdeno e leghe di molibdeno;
3. le fibre di boro;
4. le fibre di ceramiche discontinue il cui punto di fusione,
rammollimento, decomposizione o sublimazione in am- biente inerte è inferiore a 2043 K (1770°C); (W) d) materiali fibrosi o filamentosi: A.4 PGO
1. costituiti da uno qualsiasi degli elementi seguenti: T:1000
a) polieteriimmidi specificate in 1C008a o
2. costituiti da materiali specificati in 1C010d1a o
1C010d1b e miscelati (commingled) con altre fibre specificate in 1C010a, b o c; e) fibre impregnate di resina o di catrame (preimpregnati), fibre rivestite di metallo o di carbo- nio (preformati) o preformati di fibre di carbonio come segue: (W,N) 1. costituiti da materiali fibrosi o filamentosi specifi- A.4 PGO
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(W,M) 2. costituiti da materiali fibrosi o filamentosi organici A.4 PGO o al carbonio, aventi tutte le caratteristiche seguenti: T:1000 a) carico di rottura specifico superiore a 17,7×104 m; b) modulo specifico superiore a 10,15×106 m, c) non specificati in 1C010a o b; e d) temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 383 K (110°C) quando impregnati con mate- riali specificati in 1C008 o 1C009b o temperatu- ra di transizione vetrosa (Tg) pari o superiore a
418 K (145°C) quando impregnati con resine
fenoliche o epossidiche. Nota: L’1C010e non sottopone ad autorizzazione:
1. i materiali fibrosi o filamentosi al carbonio impregnati in
una matrice di resina epossidica (preimpregnati) per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aerei, nei quali la dimensione dei singoli fogli preimpregnati non superi 50 cm×90 cm;
2. i preimpregnati quando impregnati con resine fenoliche o
epossidiche aventi una temperatura di transizione vetrosa (Tg) inferiore a 433 K (160°C) e una temperatura di in- durimento inferiore alla temperatura di transizione vetro- sa. Nota tecnica: La temperatura di transizione vetrosa (Tg) dei materiali contemplati al punto 1C010e è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM D-3418 utilizzando il processo per via asciutta. La temperatura di transizione vetrosa (Tg) delle resine fenoliche ed epossidiche è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM D-4065 ad una fre- quenza di 1 Hz e ad una velocità di riscaldamento di 2 K (°C) al minuto, utilizzando il processo per via asciutta.
1C011 Metalli e composti aventi le caratteristiche seguenti: A.4 PGO (W,M) T:1000 Nota: Confronta anche allegato 3 e 1C111. a) metalli con particelle di dimensioni inferiori a
60 µm di forma sferica, atomizzata, sferoidale, in
scaglie o macinate, ricavate da materiali costituiti per il 99% o più di zirconio, magnesio e loro leghe; Nota: I metalli o le leghe di cui al punto 1C011a sono sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che siano in- capsulati in alluminio, magnesio, zirconio o berillio. b) boro o carburo di boro aventi un grado di purezza dell’85% o superiore e particelle di dimensioni pari o inferiori a 60 µm;
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Nota: I metalli o le leghe di cui al punto 1C011b sono sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che siano in- capsulati in alluminio, magnesio, zirconio o berillio. c) nitrato di guanidina. 1C012 Materiali per sorgenti di calore nucleari, come segue: A.4 PGO (W) T:nessuna a) plutonio sotto qualsiasi forma, con tenore isotopico di plutonio 238 superiore al 50% in peso; Nota: L’1C012a non sottopone ad autorizzazione:
1. le spedizioni contenenti un grammo di plutonio o meno;
2. le spedizioni contenenti tre grammi effettivi se contenuti
in un componente sensibile di strumenti. b) nettunio 237 precedentemente separato sotto qualsia- si forma. Nota: L’1C012b non sottopone ad autorizzazione le spedizioni contenenti un grammo di nettunio 237 o meno.
1C101 Materiali e dispositivi per la riduzione di caratteri- A.4 PGO (M) stiche osservabili quali la riflettività radar, la segna- T:1000 tura ultravioletta/infrarossa e la segnatura acustica, diversi da quelli specificati in 1C001, utilizzabili in missili e loro sottosistemi. Note:
1. L’1C101 comprende:
a) materiali strutturali e rivestimenti appositamente proget- tati per ridurre la riflettività radar; b) rivestimenti, incluse le vernici, appositamente progettati per ridurre od adattare opportunamente la capacità di emissione o di riflessione negli spettri a microonde, in- frarosso o ultravioletto dello spettro elettromagnetico.
2. L’1C101 non comprende i rivestimenti appositamente uti-
lizzati per il controllo termico dei satelliti.
1C107 Grafite e materiali ceramici, diversi da quelli di cui al A.4 PGO (M) punto 1C007, come segue: T:1000 a) grafiti a massa ricristallizzata a grani fini con densità di massa uguale o superiore a 1,72 g/cm3 misurata a
288 K (15°C) ed aventi una dimensione delle parti-
celle uguale o inferiore a 100 micrometri, grafiti otte- nute per pirolisi o grafiti rinforzate con fibre, utiliz- zabili per ugelli di razzi o per punte di ogive di veicoli di rientro;
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b) materiali ceramici compositi (con costante dielettrica inferiore a 6 per le frequenze comprese tra 100 Hz e
10 000 MHz), utilizzabili anche per cupole di prote-
zione di antenne (radome) e ceramiche rinforzate al carburo di silicio non ossidate lavorabili a macchina, utilizzabili per punte di ogive. 1C111 Propellenti e costituenti chimici per propellenti di- A.4 PGO (M) versi da quelli di cui al punto 1C011, come segue: T:1000 a) sostanze propulsive:
1. polvere sferica di alluminio, diversa da quella spe-
cificata nell’allegato 3, con particelle di diametro uniforme inferiore a 500 µm e contenuto di allu- minio in peso uguale o superiore al 97%;
2. combustibili metallici, diversi da quelli specificati
nell’allegato 3, con particelle di dimensioni infe- riori a 500 µm, di forma sferica, atomizzata, sfe- roidale, in scaglie o macinate, costituite per il 97% o più in peso da uno qualsiasi degli elementi se- guenti: a) zirconio, b) berillio, c) boro, d) magnesio o e) leghe dei metalli specificati dalle lettere a-d;
3. ossidanti liquidi, come segue:
a) triossido di diazoto, b) diossido di azoto/tetraossido di diazoto, c) pentossido di diazoto; b) sostanze polimeriche:
1. polibutadiene con radicali carbossilici terminali
(CTPB),
2. polibutadiene con radicali ossidrilici terminali
(HTPB), diverso da quello specificato nell’allegato 3,
3. polibutadiene – acido acrilico (PBAA),
4. polibutadiene – acido acrilico – acrilonitrile
(PBAN); c) altri additivi e agenti per propellenti:
1. butacene,
2. trietileneglicoldinitrato (TEGDN),
3. 2-nitrodifenilammina,
4. trimetiloletano trinitrato (TMETN)
5. dinitrato glicol dietilenico (DEGDN).
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6. derivati del ferrocene diversi da quelli specificati
nell’allegato 3. Nota: Per i propellenti e costituenti chimici non specificati in 1C111, confronta l’allegato 3, numero ML 8.
1C116 Acciai Maraging (acciai generalmente caratterizzati A.4 PGO (M,N) da alto contenuto di nichelio, contenuto molto basso T:1000 di carbonio e l’uso di elementi sostitutivi o precipitati per ottenere un aumento di durezza per invecchia- mento) aventi carico di rottura uguale o superiore a
1500 MPa, alla temperatura di 293 K (20°C), sotto
forma di fogli, lamiere o tubi con spessore delle la- miere o delle pareti uguale o inferiore a 5 mm. Nota: Confronta anche 1C216.
1C117 Tungsteno, molibdeno e leghe di questi metalli sotto A.4 PGO (M) forma di particelle uniformemente sferiche o atomiz- T:1000 zate di diametro uguale o inferiore a 500 µm con pu- rezza uguale o superiore al 97% per la fabbricazione di componenti di motori a razzo, cioè scudi termici, substrati di ugelli, colli di ugelli, e superfici di con- trollo della spinta del vettore. 1C202 Leghe diverse da quelle specificate in 1C002a2c o A.4 PGO (N) 1C002a2d, come segue: T:1000 a) leghe di alluminio aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. carico di rottura uguale o superiore a 460 MPa alla
temperatura di 293 K (20°C) e
2. in forma di tubi o altre forme cilindriche piene
(compresi i forgiati) con diametro esterno superiore a 75 mm; b) leghe di titanio aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. carico di rottura uguale o superiore a 900 MPa alla
temperatura di 293 K (20°C) e
2. in forma di tubi o altre forme cilindriche piene
(compresi i forgiati) con diametro esterno superiore a 75 mm. Nota tecnica: L’1C202 comprende le leghe prima o dopo il trattamento ter- mico. 1C210 Materiali fibrosi o filamentosi o materiali preimpre- A.4 PGO (N) gnati diversi da quelli specificati in 1C010a, C010b T:1000 oppure C010e, come segue:
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a) materiali fibrosi o filamentosi al carbonio o aramidici aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. un modulo specifico uguale o superiore a 12,7×106
m; o
2. un carico di rottura specifico uguale o superiore a
235×103 m; Nota: L’1C210a non comprende materiali fibrosi o filamentosi ara- midici contenenti lo 0,25% o più in peso di un modificatore di superficie di fibre a base di estere. b) materiali fibrosi o filamentosi di vetro aventi tutte le caratteristiche seguenti::
1. un modulo specifico uguale o superiore a 3,18×106
m; e
2. un carico di rottura specifico uguale o superiore a
76,2×103 m c) filati, fasci di fibre (rovings), cavi o nastri continui impregnati di resina termoindurente di larghezza non superiore a 15 mm (materiali preimpregnati costituiti dai materiali fibrosi o filamentosi di vetro o di car- Nota tecnica: La resina costituisce la matrice del materiale composito. Nota: Ai fini di 1C210 i materiali fibrosi o filamentosi sono limitati a monofilamenti (monofilaments), filati, fasci di fibre (rovings), cavi, o nastri continui.
1C216 Acciaio Maraging diverso da quello specificato in A.4 PGO (N) 1C116, avente carico di rottura uguale o superiore a T:1000
2050 MPa alla temperatura di 293 K (20°C).
Nota: L’1C216 non comprende le forme nelle quali tutte le dimen- sioni lineari sono uguali o inferiori a 75 mm. Nota tecnica: L’1C216 comprende l’acciaio Maraging prima o dopo il trat- tamento termico.
1C225 Boro arricchito in isotopo di boro –10 (10B) oltre al A.4 PGO (N) tenore isotopico normale, come segue: boro elemen- T:1000 tare, composti, miscele contenenti boro, relativi ma- nufatti, scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi Nota: Nell’1C225 le miscele contenenti boro includono i materiali caricati di boro. Nota tecnica: Il tenore isotopico naturale del boro –10 è pari a circa il 18,5 percento in peso (20% di atomi).
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1C226 Tungsteno, carburo di tungsteno e leghe di tungsteno A.4 PGO (N) contenenti in peso più del 90% di tungsteno, aventi T:1000 tutte le caratteristiche seguenti: a) in forme aventi una simmetria cilindrica della parte cava (compresi segmenti di cilindro) con diametro interno superiore a 100 mm ma inferiore a 300 mm e b) una massa maggiore di 20 kg. Nota: L’1C226 non comprende manufatti appositamente progettati per essere utilizzati come contrappesi o collimatori a raggi gamma.
1C227 Calcio avente tutte le caratteristiche seguenti: A.4 PGO (N) a) meno di 1000 ppm in peso di impurità metalliche T:1000 tranne il magnesio; e b) meno di 10 ppm in peso di boro. 1C228 Magnesio avente tutte le caratteristiche seguenti: A.4 PGO (N) a) meno di 220 ppm in peso di impurità metalliche tran- T:1000 ne il calcio; e b) meno di 10 ppm in peso di boro. 1C229 Bismuto avente tutte le caratteristiche seguenti: A.4 PGO (N) a) purezza uguale o superiore al 99,99% in peso; e T:1000 b) contenuto di argento inferiore a 10 ppm in peso. 1C230 Berillio metallo, leghe contenenti in peso più del 50% A.4 PGO (N) di berillio, composti di berillio, relativi manufatti e T:1000 scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: L’1C230 non comprende: a) finestre di metallo per apparecchiature a raggi X o per di- spositivi di profilo stratigrafico dei pozzi; b) forme di ossido finite o semilavorate, appositamente pro- gettate per parti di componenti elettronici o come substrati per circuiti elettronici; c) berillo (silicato di berillio e alluminio) sotto forma di sme- raldi o acquamarine. 1C231 Afnio metallo, leghe e composti contenenti in peso A.4 PGO (N) più del 60% di afnio, relativi manufatti e scarti o T:1000 avanzi di uno dei suddetti elementi. 1C232 Elio-3 (3He), miscele contenenti elio-3 e prodotti o di- A.4 PGO (N) spositivi contenenti uno dei suddetti elementi. T:1000
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Nota: L’1C232 non comprende prodotti o dispositivi contenenti me- no di 1 g di elio-3.
1C233 Litio arricchito in isotopo 6 (6Li) con tenore isotopico A.4 PGO (N) superiore a quello naturale e prodotti o dispositivi T:1000 contenenti litio arricchito come segue: litio elementa- re, leghe, composti, miscele contenenti litio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti ele- menti. Nota: L’1C233 non comprende dosimetri termoluminescenti. Nota tecnica: Il tenore isotopico naturale del litio è pari a circa il 6,5 per- cento in peso (7,5 percento di atomi).
1C234 Zirconio con un contenuto di afnio inferiore a 2000 A.4 PGO (N) ppm in peso come segue: metallo, leghe contenenti T:1000 più del 50% di zirconio in peso, loro manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: L’1C234 non include zirconio in lamine aventi spessore uguale o inferiore a 0,10 mm.
1C235 Trizio, composti e miscele contenenti trizio nei quali A.4 PGO (N) il rapporto in atomi trizio/idrogeno è superiore a T:1000 1/1000, e prodotti o dispositivi contenenti uno dei suddetti elementi. Nota: L’1C235 non comprende prodotti o dispositivi contenenti me- no di 1,48×103 GBq (40 Ci) di trizio.
1C236 Specie nucleari radioattive emettitrici di radiazioni A.4 PGO (N) alfa aventi un periodo di dimezzamento della radia- T:1000 zione alfa uguale o superiore a 10 giorni ma inferiore a 200 anni, nelle seguenti forme: a) elementare; b) composti aventi attività totale alfa uguale o superiore c) miscele aventi attività totale alfa uguale o superiore a d) prodotti o dispositivi contenenti uno degli elementi summenzionati. Nota: L’1C236 non comprende prodotti o dispositivi contenenti me- no di 3,7 GBq (100 millicurie) di attività alfa.
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1C237 Radio-226 (226Ra), leghe di radio-226, composti di A.4 PGO (N) radio-226, miscele contenenti radio-226, relativi ma- T:1000 nufatti e prodotti o dispositivi contenenti uno degli elementi summenzionati. Nota: L’1C237 non comprende: a) applicazioni mediche, b) prodotti o dispositivi contenenti non più di 0,37 GBq (10 millicurie) di radio-226.
1C238 Trifluoruro di cloro (CIF 3). A.4 PGO (N) T:1000 1C239 Esplosivi ad alto potenziale, diversi da quelli specificatiA.4 PGO (N) nell’allegato 3, o sostanze o miscele contenenti più del T:1000 2% di qualsiasi esplosivo con densità dei cristalli supe- riore a 1,8 g/cm3 ed aventi una velocità di detonazione superiore a 8000 m/s. Nota: Confronta anche allegato 3.
1C240 Polvere di nichelio o nichelio metallo poroso, come se- A.4 PGO (N) gue: T:1000 a) polvere di nichelio avente tutte le caratteristiche se- guenti:
1. con un contenuto di nichelio puro in peso uguale o
superiore al 99% in peso; e
2. dimensione media delle particelle inferiore a 10 µm
misurata secondo la norma ASTM B330; b) nichelio metallo poroso prodotto con materiali specifi- Nota: L’1C240 non comprende: a) polveri di nichelio filamentoso; b) fogli singoli di nichelio poroso con area uguale o inferiore a 1000 cm2 per foglio. Nota tecnica: L’1C240b fa riferimento al metallo poroso fabbricato tramite compressione e agglomerazione dei materiali di cui alla voce 1C240a per formare un materiale metallico con pori di pic- cole dimensioni comunicanti in tutta la struttura. 1C350 Prodotti chimici, che possono essere utilizzati come A.4 PGO (A) precursori per agenti tossicologici, come segue: T:nessuna Nota: Sono incluse pure le miscele in cui almeno uno dei prodotti chi- mici di seguito riportati supera il 25% in peso della miscela.
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Miscele contenenti le suddette sostanze chimiche in quanto in- gredienti ordinari e imballati per la vendita al dettaglio per uso personale. Nota complementare: Confronta anche allegato 3. ..1.tiodiglicole (111-48-8), ..2.ossicloruro di fosforo (10025-87-3), 3.metilfosfonato di dimetile (756-79-6), ..4.per il difluoruro di metil-fosfonile (676-99-3) Nota: vedi allegato 3, 5.dicloruro di metil-fosfonile (676-97-1), 6.fosfito di dimetile (868-85-9), 7.tricloruro di fosforo (7719-12-2), 8.fosfito di trimetile (121-45-9), 9.cluoruro di tionile (7719-09-07), 10.3-idrossi-1-metilpiperidina (3554-74-3), 11.cloruro di N,N-diisopropile-2-amminoetile (96-79- 7), 12.N,N-diisopropile-2-amminoetanetiolo (5842-07-9), 13.chinuclidin-3 olo (1619-34-7), 14.fluoruro di potassio (7789-23-3), 15.2-cloroetanolo (107-07-3), 16.dimetilammina (124-40-3), 17.etilfosfonato di dietile (78-38-6), 18.N,N-dimetilfosforammidato di dietile (2404-03-7), 19.fosfito di dietile (762-04-9),
20. cloridrato di dimetilammina (506-59-2),
21.dicloruro di etilfosfinile (1498-40-4), 22.dicloruro di etilfosfonile (1066-50-8), 23.difloruro di etilfosfonile (753-98-0), 24.acido fluoridrico (7664-39-3), 25.benzilato di metile (76-89-1), 26.dicloruro di metilfosfinile (676-83-5), 27.N,N-diisopropile-2-amminoetanolo (96-80-0), 28.alcool pinacolilico (464-07-3),
29. o-etil-2-diisopropilammino-etil-metilfosfonato
(57856-11-8) Nota: vedi allegato 3, 30.fosfito di trietile (122-52-1), 31.tricloruro di arsenico (7784-34-1), 32.acido benzilico (76-93-7), 33.metilfosfonito di dietile (15715-41-0), 34.etilfosfonato di dimetile (6163-75-3), 35.difluoruro di etilfosfinile (430-78-4), 36.difluoruro di metilfosfinile (753-59-3), 37.3-chinuclidinone (3731-38-2),
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38.pentacloruro di fosforo (10026-13-8), 39.pinacolone (75-97-8), 40.cianuro di potassio (151-50-8), 41.bifluoruro di potassio (7789-29-9), 42.bifluoruro di ammonio (1341-49-7), 43.fluoruro di sodio (7681-49-4), 44.bifluoruro di sodio (1333-83-1), 45.cianuro di sodio (143-33-9), 46.trietanolammina (102-71-6), 47.pentasolfuro di fosforo (1314-80-3), 48.diisopropilammina (108-18-9), 49.dietilamminoetanolo (100-37-8), 50.solfuro di sodio (1313-82-2). 51.monocloruro di zolfo (10025-67-9), 52.dicloruro di zolfo (10545-99-0), 53.cloridrato di trietanolamina (637-39-8), 54.cloridrato di N,N-diisoproprile-2-amminoetilcloruro (4261-68-1). 1C351 Agenti patogeni per l’uomo, zoonosi e tossine, come A.4 PGO (A) segue: T:nessuna a) virus (naturali, potenziati o modificati, sia nella for- ma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture) come segue:
1. virus Chikungunya,
2. virus della febbre emorragica del Congo- Crimea,
3. virus delle rompiossa o dengue,
4. virus dell’encefalite orientale equina,
5. virus di Ebola,
6. virus di Hantaan,
7. virus di Junin,
8. virus della febbre di Lassa,
9. virus della coriomeningite linfatica,
10. virus di Machupo,
11. virus di Marburg,
12. virus del vaiolo delle scimmie,
13. virus della febbre valle del Rift,
14. virus dell’encefalite da zecche (virus del-
l’encefalite russa primaverile-estiva),
15. virus del vaiolo,
16. virus dell’encefalite equina venezuelana,
17. virus dell’encefalite equina occidentale,
18. virus del vaiolo bianco,
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19. virus della febbre gialla,
20. virus dell’encefalite giapponese;
b) rickettsiae (naturali, potenziate o modificate, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture) come segue:
1. coxiella burnetii,
2. bartonella quintana (rochalimaea quintana, rickett-
sia quintana),
3. rickettsia prowasecki,
4. rickettsia rickettsii;
c) batteri (naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di mate- riale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture) come segue:
1. bacillus anthracis,
2. brucella abortus,
3. brucella melitensis,
4. brucella suis,
5. chlamydia psittaci,
6. clostridium botulinum,
7. francisella tularensis,
8. burkholderia mallei (pseudomonas mallei),
9. burkholderia pseudomallei (pseudomonas pseu-
domallei),
10. salmonella typhi,
11. shigella dysenteriae,
12. vibrio cholerae,
13. yersinia pestis;
d) tossine e le loro sottounità come segue:
1. tossine Botulinum,
2. tossine Clostridium,
3. conotossina,
4. ricino,
5. saxitossina,
6. tossina Shiga,
7. tossina dello staffilococco aureo,
8. tetrodotossina,
9. verotossina,
10. microcistina (Cyanginosin);
11. Aflatossine
Nota: L’1C351 non include i vaccini o le immunotossine.
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1C352 Agenti patogeni per gli animali, come segue: A.4 PGO (A) a) virus, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma T:nessuna di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali coltu- re, come segue:
1. virus della febbre suina africana,
2. virus dell’influenza avicola, come segue:
a) non caratterizzato o b) appartenente a quelli definiti nella direttiva 92/40/CEE (GU n. L 167 del 22.06.1992, p. 1) ed aventi elevata patogenicità, come segue:
1. virus di tipo A con un IVPI (indice di pato-
genicità intravenosa) superiore a 1,2 nei polli di 6 settimane o
2. virus di tipo A del sottotipo H5 o H7 per i
quali la sequenza nucleotide ha dimostrato amminoacidi multipli di base dal lato di sfaldatura di emoagglutinina;
3. virus della lingua blu,
4. virus della malattia del piede e della bocca,
5. virus della malattia esantematica della capra,
6. virus dell’herpes porcino (morbo di Aujesz-
ky),
7. virus della febbre suina (virus della peste
suina),
8. virus di Lissa,
9. virus della malattia di Newcastle,
10. virus della peste dei piccoli ruminanti,
11. enterovirus porcino tipo 9 (virus
dell’esantema vescicolare dei suini),
12. virus della peste bovina,
13. virus della malattia esantematica delle peco-
re,
14. virus della malattia di Teschen,
15. virus della stomatite vescicolare;
b) micoidi di micoplasma, naturali, potenziati o modifi- cati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali micoidi di micoplasma. Nota: L’1C352 non include alcun vaccino.
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1C353 Microrganismi geneticamente modificati, come segue: A.4 PGO (A) a) microrganismi modificati geneticamente o elementi T:nessuna genetici che contengono sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità di organismi specificati in b) microrganismi modificati geneticamente o elementi genetici che contengono sequenze di acido nucleico che codificano una qualsiasi delle tossine specificate in 1C351d o le relative sottounità di tossine. 1C354 Agenti patogeni per le piante, come segue: A.4 PGO (A) a) batteri, naturali, potenziati o modificati, sia nella T:nessuna forma di colture vive isolate che in quella di mate- riale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:
1. Xanthomonas albilineans;
2. Xanthomonas campestris pv. citri compresi i ceppi
definiti come Xanthomonas campestris pv. citri tipi A, B, C, D, E o invece classificati come Xantho- monas citri, Xanthomonas campestris pv. auranti- folia o Xanthomonas campestris pv. citrumelo; b) funghi, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di mate- riale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:
1. Colletotrichum coffeanum var. virulans
(Colletotrichum kahawae),
2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium o-
ryzae),
3. Microcyclus ulei (sin. Dothidella ulei),
4. Puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f. sp.
tritici),
5. Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum),
6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia
oryzae).
1D Software 1D001 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W,N) lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione delle appa- T:nessuna
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1D002 Software per lo sviluppo di prodotti laminati o di ma- A.4 PGO (W) teriali compositi a matrice organica, a matrice metal- T:nessuna lica o a matrice di carbonio. 1D101 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (M) delle apparecchiature specificate in 1B101 T:nessuna 1D103 Software appositamente progettato per l’analisi di A.4 PGO (M) caratteristiche osservabili ridotte, quali riflettività T:nessuna radar, segnatura ultravioletta/infrarossa e segnatura acustica. 1D201 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (N) delle apparecchiature specificate in 1B201. T:nessuna
1E Tecnologia 1E001 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di appa- T:nessuna (N,A) recchiature o materiali specificati in 1A001b, 1E002 Altre tecnologie, come segue: (W) a) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di poli- A.4 esente benzotiazoli o polibenzossiazoli; T:nessuna b) tecnologia per lo sviluppo e la produzione di compo- A.4 esente sti fluoroelastomeri contenenti almeno un monomero T:nessuna di viniletere; c) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di mate- A.4 esente riali di base o di materiali ceramici non compositi, T:nessuna come segue:
1. materiali di base aventi tutte le caratteristiche se-
guenti: a) una qualsiasi delle composizioni seguenti:
1. ossidi semplici o complessi di zirconio e os-
sidi complessi di silicio o di alluminio,
2. nitruri semplici di boro (forme cristalline cu-
biche),
3. carburi semplici o complessi di silicio o di
boro o
4. nitruri semplici o complessi di silicio;
b) impurità metalliche totali, escluse le aggiunte intenzionali, inferiori a:
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1. 1000 ppm per gli ossidi semplici o i carburi
semplici o
2. 5000 ppm per i composti complessi o i nitruri
semplici, e c) aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. dimensione della particella media uguale o
inferiore a 5 µm, e non più del 10% delle particelle con dimensione superiore a 10 µm o Nota: Per l’ossido di zirconio, questi limiti sono rispetti- vamente 1 µm e 5 µm.
2. aventi le caratteristiche seguenti:
a) placchette con il rapporto lunghezza- spessore superiore a 5; b) materiali filiformi con il rapporto lunghez- za-diametro superiore a 10 per diametri inferiori a 2 µm e c) fibre continue o tagliate con diametro infe- riore a 10 µm;
2. materiali ceramici non compositi, composti da
materiali descritti in 1E002c1; Nota: L’1E002c2 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la progettazione o la produzione di abrasivi. d) tecnologia per la produzione di fibre di poliam- A.4 esente midi aromatiche; T:nessuna e) tecnologia per l’installazione, la manutenzione o A.4 PGO la riparazione di materiali specificati in 1C001; T:nessuna f) tecnologia per la riparazione di strutture compo- A.4 PGO site, laminati o materiali specificati in 1A002, T:nessuna Nota: L’1E002f non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la riparazione di strutture di aeromobili civili con l’impiego di materiali fibrosi o filamentosi al carbonio e resine epossidiche, contenuta nei manuali del costruttore degli aeromobili.
1E101 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia per l’utilizzazione di merci specificate in T:nessuna
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1E102 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della tec- A.4 PGO (M,N) nologia per lo sviluppo di software specificato in T:nessuna 1E103 Tecnologia per la regolazione di temperatura, pres- A.4 PGO (M) sione o atmosfera in autoclavi o idroclavi quando T:nessuna utilizzate per la produzione di materiali compositi o materiali compositi parzialmente lavorati. 1E104 Tecnologia per la produzione di materiali derivati per A.4 PGO (M) pirolisi formati su stampo, anima o altro supporto a T:nessuna partire da gas precursori che si decompongono nella gamma di temperature da 1573 K (1.300°C) a 3173 K (2900°C) e pressioni da 130 Pa a 20 kPa. Nota: L’1E104 comprende la tecnologia per la composizione dei gas precursori, della velocità di flusso e del controllo temporale del processo e dei relativi parametri.
1E201 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (N) tecnologia per l’utilizzazione di merci o software spe- T:nessuna 1E202 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (N) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di merci T:nessuna 1E203 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (N) tecnologia per lo sviluppo di software specificato in T:nessuna
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2 Trattamento e lavorazione dei materiali
2A Sistemi, apparecchiature e componenti Nota al punto 2A: Cuscinetti a funzionamento silenzioso: confronta allegato 3.
2A001 Sistemi di cuscinetti e cuscinetti antifrizione e loro A.4 esente (W) componenti, come segue: T:5000 Nota: Il 2A001 non sottopone ad autorizzazione sfere aventi tolleran- ze classificate di grado 5 o meno precisate dal fabbricante se- condo la norma ISO 3290. a) cuscinetti a sfere e cuscinetti a rulli pieni aventi tolle- ranze specificate dal fabbricante secondo ABEC7, ABEC7P, ABEC7T o norma ISO classe 4 o migliori (o norme nazionali equivalenti) e aventi anelli, sfere o rulli costruiti con metallo Monel o berillio; Nota: Il 2A001a non sottopone ad autorizzazione i cuscinetti a rulli conici. b) altri cuscinetti a sfere e cuscinetti a rulli pieni aventi tolleranze specificate dal fabbricante secondo ABEC9, ABEC9P o norma ISO classe 2 o migliori (o norme nazionali equivalenti); Nota: Il 2A001b non sottopone ad autorizzazione i cuscinetti a rulli conici. c) sistemi di cuscinetti magnetici attivi costituiti da uno dei seguenti elementi:
1. materiali con densità di flusso uguali o superiori a
2,0 T e resistenza allo snervamento superiore a 414 MPa;
2. tutti i tipi progettati per la polarizzazione omopolare
di elettromagneti tridimensionali per attuatori o
3. sensori di posizione ad alta temperatura (450 K
(177°C) e superiore). 2A225 Crogioli costruiti con materiali resistenti ai metalli A.4 PGO (N) attinidi liquidi, come segue: T:1000 a) crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. volume compreso tra 150 cm3 e 8.000 cm3 e
2. costruiti o rivestiti con uno dei materiali seguenti,
aventi una purezza del 98% o superiore in peso: a. fluoruro di calcio (CaF2, b. zirconato di calcio (Ca2ZrO3), c. solfuro di cerio (Ce2S3),
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d. ossido di erbio (Er2O3), e. ossido di afnio (HfO2, f. ossido di magnesio (MgO), g. lega nitruro di niobio-titanio-tungsteno (circa 50% Nb, 30% Ti, 20%W), h. ossido di ittrio (Y2O3) o i. ossido di zirconio (ZrO2; b) crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. volume compreso tra 50 cm3 e 2.000 cm3 e
2. costruiti o rivestiti con tantalio, avente una purezza
del 99,9% o superiore in peso: c) crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. volume compreso tra 50 cm3 e 2.000 cm3
2. costruiti o rivestiti con tantalio, avente una purezza
del 98% o superiore in peso e
3. ricoperti con carburo di tantalio, nitruro di tantalio
o boruro di tantalio, o una loro combinazione. 2A226 Valvole aventi tutte le caratteristiche seguenti: A.4 PGO (N) T:1000 a) una dimensione nominale uguale o superiore a 5 mm, b) tenuta a soffietti e c) interamente costruite o rivestite con alluminio, leghe di alluminio, nichelio o leghe di nichelio contenenti oltre il 60% in peso di nichelio. Nota: Per le valvole con diametri di entrata e di uscita differenti, la dimensione nominale in 2A226 si riferisce al diametro più pic- colo.
2B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche:
1. Gli assi di contornatura secondari paralleli (ad es. un asse W
su fresalesatrici orizzontali o un asse di rotazione seconda- rio con l’asse di riferimento parallelo a quello dell’asse di rotazione principale) non sono conteggiati nel numero totale degli assi di contornatura.
Nota complementare: Gli assi di rotazione non devono necessariamente ruotare su 360°. Un asse di rotazione può essere mosso da un dispositivo lineare (ad es. una vite o una cremagliera).
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2. La nomenclatura degli assi deve essere conforme alla norma
internazionale ISO 841, «Macchine a controllo numerico – Nomenclatura degli assi e dei movimenti».
3. Ai fini dei punti da 2B001 a 2B009 un mandrino bascu-
lante è conteggiato come asse di rotazione.
4. Per ciascun modello di macchina utensile possono essere
impiegati livelli di precisione di posizionamento conse- guenti a misurazioni effettuate secondo la norma ISO 230/2 (1988) o ISO 230/2 (1997), anziché le prove con le singole macchine. Nota: Per precisione di posizionamento dichiarata si intende il livello di precisione, rappresentativo della precisione del modello di macchina, fornito alle competenti autorità dello Stato membro in cui l’esportatore è stabilito. Determinazione dei valori dichiarati:
1. scegliere cinque macchine del modello da valutare;
2. misurare le precisioni degli assi lineari secondo la norma
ISO 230/2 (1988) o ISO 230/2 (1997);
3. determinare i valori A per ciascun asse di ciascuna macchi-
na. Il metodo di calcolo del valore A è indicato nella norma ISO;
4. determinare il valore medio del valore A di ciascun asse. Il
valore medio  è il livello dichiarato di ciascun asse del modello in questione (Âx, Ây, …);
5. poiché l’elenco della categoria 2 si riferisce a ciascun asse
lineare, vi saranno tanti valori dichiarati quanti sono gli assi lineari;
6. se un asse qualsiasi di un modello di macchina non sottopo-
sto ad autorizzazione da 2B001-2B001c o da 2B201 ha una precisione dichiarata  di 6 micron per le macchine di retti- fica e di 8 micron per le macchine di fresatura e di tornitura, o più, il costruttore è tenuto a riaffermare il livello di preci- sione ogni diciotto mesi.
2B001 Macchine utensili per l’asportazione (o il taglio) di metalli, ceramiche o materiali compositi, come segue, e qualsiasi loro combinazione, che, conformemente alle specifiche tecniche del costruttore, possono esse- re equipaggiate con dispositivi elettronici per il con- trollo numerico: Nota: Confronta anche 2B201. (W,N) a) macchine utensili di tornitura aventi tutte le seguenti A.4 PGO caratteristiche: T:5000
1. precisione di posizionamento con tutte le compen-
sazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 0,006 mm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o di 0,0045 mm secondo la norma ISO 230/2 (1977) su uno qualsiasi degli assi lineari e
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2. due o più assi che possono essere coordinati si-
multaneamente per il controllo di contornatura; Nota: Il 2B001a non sottopone ad autorizzazione le macchine di tor- nitura appositamente progettate per la produzione di lenti a contatto. (W,N) b) macchine utensili di fresatura aventi una delle se- A.4 PGO guenti caratteristiche: T:5000
1. a) precisione di posizionamento con tutte le com-
pensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 6 µm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o di 4,5 µm secondo la norma ISO 230/2 (1977) su uno qualsiasi degli assi lineari e b) tre assi lineari più un asse di rotazione che pos- sono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;
2. cinque o più assi che possono essere coordinati
simultaneamente per il controllo di contornaturao
3. precisione di posizionamento per alesatrici a coor-
dinate con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 4 µm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o di 3 µm secondo la norma ISO 230/2 (1977) su uno qualsiasi degli assi lineari; (W,N) c. macchine utensili di rettifica aventi una qualsiasi delle A.4 PGO seguenti caratteristiche: T:5000
1. a) precisione di posizionamento con tutte le com-
pensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 4 µm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o di 3 µm secondo la norma ISO 230/2 (1977) su uno qualsiasi degli assi lineari e b) tre o più assi che possono essere coordinati si- multaneamente per il controllo di contornatura o
2. cinque o più assi che possono essere coordinati si-
multaneamente per il controllo di contornatura;
Note: Il 2B001c non sottopone ad autorizzazione le seguenti macchi- ne di rettifica:
1. macchine di rettifica esterna, interna, ed esterna-interna di
cilindri, aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) limitate alla rettifica di cilindri e b) limitate ad una capacità massima del pezzo da lavorare di 150 mm di diametro esterno o di lunghezza;
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2. macchine appositamente progettate come rettificatrici a co-
ordinate, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) l’asse C utilizzato per assicurare la perpendicolarità tra la mola e la superficie o b) l’asse A configurato per rettificare tamburi a camme;
3. macchine per affilare gli utensili o gli utensili di taglio li-
mitate alla produzione di utensili o di utensili di taglio;
4. macchine di rettifica con albero a gomito o albero a camme;
5. rettificatrici per piani;
(W,N) d) macchine a scarica elettrica diverse dal tipo a filo A.4 PGO aventi possibilità di coordinazione simultanea per T:5000 controllo di contornatura su due o più assi di rota- zione; (W) e) macchine utensili per asportazione di metalli, A.4 esente ceramiche o materiali compositi: T:5000
1. per mezzo di:
a) getti di acqua o di altri liquidi, compresi quelli utilizzanti additivi abrasivi, b) fascio elettronico o c) fascio laser e
2. aventi due o più assi di rotazione che:
a) possono essere coordinati simultaneamente per controllo di contornatura e b) abbiano una precisione di posizionamento mino- re (migliore) di 0,003°; (W) f) macchine foratrici per fori profondi e tornitrici modi- A.4 PGO ficate per la foratura profonda in grado di eseguire fo- T:5000 ri di lunghezza superiore a 5000 mm e loro compo- nenti appositamente progettati. 2B003 Macchine utensili a controllo numerico o manuale e A.4 PGO (W) loro componenti, controlli ed accessori apposita- T:5000 mente progettati, appositamente progettate per sbar- bare, finire, rettificare o levigare gli ingranaggi dritti induriti (Rc = 40 o superiore) a dentatura elicoidale e doppia-elicoidale aventi passo diametrale superiore a
1250 mm e larghezza del dente del 15% o più del
passo diametrale, con qualità di finitura uguale o mi- gliore della qualità AGMA 14 (equivalente alla ISO
1328 classe 3).
2B004 Presse isostatiche a caldo aventi tutte le caratteristi- A.4 PGO (W,M) (N) che seguenti e loro componenti e accessori apposita- T:1000 mente progettati: Nota:
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a) un ambiente termicamente controllato nella cavità chiusa ed una cavità di lavoro con diametro interno uguale o superiore a 406 mm e b) una delle caratteristiche seguenti:
1. pressione di lavoro massima di 207 MPa;
2. ambiente termicamente controllato a temperature
superiori a 1773 K (1500°C) o
3. capacità di impregnazione con idrocarburi ed eli-
minazione dei prodotti di decomposizione gassosa risultanti. Nota tecnica: La dimensione interna della cavità di lavoro si riferisce alla dimensione della cavità nella quale sono realizzate la tempe- ratura e la pressione di lavoro senza considerare i dispositivi di montaggio. Tale dimensione sarà la più piccola tra il diametro interno della cavità sotto pressione o il diametro interno della camera isolata del forno, a seconda di quale delle due cavità è inserita nell’altra. Nota complementare: Per stampi, matrici e utensili appositamente progettati, vedere
2B005 Apparecchiature appositamente progettate per la de- A.4 esente (W) posizione, il processo ed il controllo durante il pro- T:5000 cesso, di strati inorganici, rivestimenti e modificazio- ni superficiali, come segue, per substrati non elettronici mediane processi riportati nella Tavola 1 e relative Note di 2E003f, e loro componenti apposita- mente progettati per la movimentazione, posiziona- mento, manipolazione controllo automatici: a) apparecchiature di produzione per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD = chemical vapour deposition) con controllo a programma regi- strato aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. processo modificato per:
a) CVD pulsante; b) deposizione termica a nucleazione controllata (CNTD = controlled nucleation thermal decom- position) o c) CVD intensificata o assistita per mezzo di pla- sma e
2. avente una delle caratteristiche seguenti:
a) comprendenti dispositivi di tenuta rotanti a vuoto spinto (minore o uguale a 0,01 Pa) o
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b) comprendenti un controllo di spessore dello strato in situ; b) apparecchiature di produzione con processo di im- piantazione ionica con controllo a programma regi- strato con correnti di fascio uguali o superiori a 5 mA; c) apparecchiature di produzione con processo di depo- sizione fisica in fase di vapore (PVD = physical va- pour deposition) per mezzo di fascio elettronico (EB- PVD) con controllo a programma registrato com- prendenti sistemi di alimentazione previsti per poten- za superiore a 80kW, che presentano uno degli ele- menti seguenti:
1. un sistema di controllo a laser del livello del poz-
zetto liquido per regolare in modo preciso il ritmo di ingresso dei lingotti o
2. un indicatore di velocità basato su calcolatore fun-
zionante sul principio della fotoluminescenza degli atomi ionizzati nel flusso evaporante per controlla- re la velocità di deposizione di uno strato conte- nente due o più elementi; d) apparecchiature di produzione con processo di polve- rizzazione per mezzo di plasma con controllo a pro- gramma registrato aventi una delle caratteristiche se- guenti:
1. funzionanti in atmosfera controllata a pressione ri-
dotta (inferiore o uguale a 10 kPa misurata al di sopra ma non oltre 300 mm dall’uscita del polve- rizzatore della torcia) in una camera a vuoto in grado di produrre vuoto fino a 0,01Pa prima del processo di polverizzazione o
2. comprendenti un controllo di spessore dello strato
in situ; e) apparecchiature di produzione con processo di depo- sizione per polverizzazione catodica con controllo a programma registrato in grado di sopportare densità di corrente uguali o superiori a 0,1 mA/mm2 con ve- locità di deposizione uguale o superiore a 15 µm/h; f) apparecchiature di produzione con processo di depo- sizione per arco catodico (cathodic arc deposition) con controllo a programma registrato comprendenti una griglia di elletromagneti per controllare la dire- zione dell’area di impatto dell’arco sul catodo;
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g) apparecchiature di produzione di placcatura ionica con controllo a programma registrato che permetto- no la misura in situ di una delle caratteristiche se- guenti:
1. spessore del rivestimento sul substrato e controllo
della velocità di deposizione o
2. caratteristiche ottiche.
Nota: Il 2B005g non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per la deposizione di vapore con processo chimico, per la de- posizione ad arco catodico, per mezzo di polverizzazione cato- dica, per la produzione di placcatura ionica, o le apparecchia- ture con processo di impiantazione ionica appositamente progettate per utensili di taglio o di lavorazione.
2B006 Sistemi o apparecchiature di controllo dimensionale o di misura, come segue: (W,N) a) macchine di controllo dimensionale con controllo a A.4 PGO calcolatore, con controllo numerico o con controllo T:5000 a programma registrato aventi incertezza di misura della lunghezza (volumetrica) tridimensionale uguale o minore (migliore) di (1,7+ L/1000) µm (L rappre- senta la lunghezza misurata espressa in mm), misu- rata in base alla norma ISO 10360-2; Nota: Confronta anche 2B206. (W,N) b) strumenti di misura dello spostamento lineare e an- A.4 PGO golare come segue: T:5000
1. strumenti di misura lineare aventi una delle caratte-
ristiche seguenti: a) sistemi di misura del tipo non a contatto con ri- soluzione uguale o minore (migliore) di 0,2 µm nella gamma di misura fino a 0,2 mm; b) sistemi trasformatori differenziali a tensione li- neare aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. linearità inferiore (migliore)/uguale a 0,1%
nella gamma di misura fino a 5 mm e
2. deriva uguale o minore (migliore) di 0,1% al
giorno alla temperatura normale dell’ambiente di collaudo di ± 1 K o c) sistemi di misura aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. contenenti un laser e
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2. in grado di mantenere per almeno 12 ore, en-
tro ± 1 K della temperatura normale e ad una pressione normale tutte le caratteristiche se- guenti: a) una risoluzione a fondo scala di 0,1 mi- crometri o minore (migliore) e b) una incertezza di misura uguale o minore (migliore) di (0,2+L/2000) µm (L rappre- senta la lunghezza misurata espressa in mm); Nota: Il 2B006b1 non sottopone ad autorizzazione i sistemi interferometrici di misura senza retroazione a circuito chiuso od aperto, contenenti un laser per misurare gli er- rori di movimento del carrello delle macchine utensili, delle macchine di controllo dimensionale o di apparec- chiature similari.
2. strumenti di misura angolare aventi deviazione di
posizione angolare uguale o minore (migliore) di 0,00025°. Nota: Il 2B006b2 non sottopone ad autorizzazione gli strumenti ottici quali gli autocollimatori che utilizzano la luce col- limata per rivelare lo spostamento angolare di uno spec- chio. (W) c) apparecchiature per la misura delle irregolarità delle A.4 esente superfici con sensibilità di 0,5 nm o minore T:5000 (migliore), che effettuano la misura della dispersione ottica in funzione dell’angolo. Note:
1. Le macchine utensili che possono essere usate come mac-
chine di misura sono sottoposte ad autorizzazione se corri- spondono ai criteri stabiliti per la funzione di macchine utensili o per la funzione di macchine di misura o se oltre- passano tali limiti.
2. Una macchina descritta in 2B006 è sottoposta ad autorizza-
zione se supera la soglia di controllo in un punto qualunque della sua gamma di funzionamento.
2B007 Robot aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro unità di controllo e dispositivi di estremità apposita- mente progettati: Nota: Confronta anche 2B207. (W) a) aventi una capacità di trattamento in tempo reale A.4 esente dell’immagine in tre dimensioni reali o di una analisi T:5000 di scena in tre dimensioni reali al fine di creare o mo- dificare programmi o dati numerici di programma;
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Nota: La limitazione della capacità di “analisi della scena” non comprende l’approssimazione della terza dimensione tra- mite la ripresa della scena sotto un angolo prestabilito né una ridotta interpretazione della scala dei grigi per la perce- zione della profondità o della trama nell’ambito degli obiet- tivi operativi approvati (2 1/2 D). (W,N) b) appositamente progettati per rispondere alle norme A.4 PGO nazionali di sicurezza relative ad ambienti contenenti T:1000 esplosivi per munizionamento, (W,N) c) appositamente progettati o classificati per resistere A.4 PGO alle radiazioni ad un livello superiore a 5×103 Gy (Si) T:1000 senza degradazione funzionale o Nota tecnica: Il termine Gy (silicio) si riferisce all’energia, espressa in Joule per Kg, assorbita da un campione di silicio non schermato esposto a radiazioni ionizzanti. (W) d) appositamente progettati per il funzionamento ad al- A.4 esente titudini superiori a 30000 m. T:5000 2B008 Assiemi, unità o inserti appositamente progettati per A.4 PGO (W,N) le macchine utensili o per apparecchiature specificate T:1000 a) unità di ritrasmissione di posizione di tipo lineare (p. es. dispositivi di tipo induttivo, scale graduate, siste- mi a laser o all’infrarosso), aventi una precisione globale minore (migliore) di [800 +(600×L×10-3)] nm (L rappresenta la lunghezza effettiva espressa in mm); Nota: Per i sistemi a laser confronta anche nota relativa al punto b) unità di ritrasmissione di posizione di tipo rotativo (cioè dispositivi di tipo induttivo, scale graduate, si- stemi a laser o all’infrarosso) aventi una precisione migliore di ± 0,00025°; Nota: Per i sistemi a laser confronta anche nota relativa al punto c) tavole rotanti basculanti e mandrini basculanti in grado di migliorare, conformemente alle specifiche tecniche del costruttore, le macchine utensili fino a livelli uguali o superiori a quelli specificati in 2B.
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2B009 Macchine per tornitura in lastra e per fluotornitura A.4 PGO (W,N) che possono essere equipaggiate, sulla base delle spe- T:5000 cifiche tecniche del costruttore, con unità di controllo numerico o unità di controllo a calcolatore e aventi le caratteristiche seguenti: Nota: a) due o più assi controllati, almeno due dei quali pos- sano essere coordinati simultaneamente per il con- trollo di contornatura e b) una forza di rotazione superiore a 60 kN. Nota tecnica: Ai fini del punto 2B009 sono considerate macchine di fluotor- nitura anche le macchine che combinano la funzione di torni- tura in lastra e di fluotornitura.
2B104 Apparecchiature e controlli di processo, progettati o A.4 PGO (M,N) modificati per l’addensamento e la pirolisi dei com- T:1000 positi strutturali di ugelli per razzi e di ogive per vei- coli di rientro. Nota: Le uniche presse isostatiche e forni specificati in 2B104 sono i seguenti: a) presse isostatiche diverse da quelle specificate in 2B004, aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. pressione massima di funzionamento uguale o superiore
a 69 MPa;
2. progettate per raggiungere e mantenere un ambiente a
temperatura controllata uguale o superiore a 873 K (600°C) e
3. cavità di lavoro con diametro interno uguale o maggiore
di 254 mm; b) forni per la deposizione in fase di vapore di elementi chimi- ci, progettati o modificati per l’addensamento di compositi carbonio-carbonio.
2B109 Macchine per fluotornitura diverse da quelle specifi- A.4 PGO (M,N) cate in 2B009 e loro componenti appositamente pro- T:5000 gettati, che: Nota: Confronta anche 2B209. a) possano essere equipaggiate, sulla base delle specifi- che tecniche del costruttore, con unità di controllo numerico o unità di controllo a calcolatore, anche se non ne sono equipaggiate e b) aventi più di due assi coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura.
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Note tecniche:
1. Ai fini del punto 2B109 sono considerate macchine di
fluotornitura anche le macchine che combinano la funzione di tornitura in lastra e di fluotornitura.
2. Il 2B109 non sottopone ad autorizzazione macchine non
utilizzabili nella produzione di componenti ed apparec- chiature per propulsione (cioè corpi di contenimento di motori) per sistemi specificati in 9A005, 9A007a o 9A105a.
2B116 Sistemi di collaudo a vibrazioni, apparecchiatura e A.4 PGO (M,N) loro componenti come segue: T:1000 a) sistemi di collaudo a vibrazione che impiegano tecni- che a retroazione o ad anello chiuso e incorporano un controllore numerico, in grado di far vibrare un si- stema ad un valore uguale o superiore a 10 g*) valore efficace nell’intera gamma tra 20 Hz e 2000 Hz ed in grado di imprimere spinte uguali o superiori a 50 kN, misurate a «tavola vuota»; b) controllori numerici, combinati con software di col- laudo a vibrazione appositamente progettato, con banda in tempo reale superiore a 5 kHz e progettati per essere utilizzati con i sistemi di collaudo a vibra- zione specificati in 2B116a; c) dispositivi di spinta per vibrazione (unità di vibrazio- ne), con o senza amplificatori associati, in grado di impartire una forza uguale o superiore a 50 kN, misu- rata a «tavola vuota», ed utilizzabili nei sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116a; d) strutture di supporto del pezzo da collaudare ed unità elettroniche progettate per combinare più unità di vi- brazione in un sistema completo in grado di fornire una forza effettiva combinata uguale o superiore a 50 kN, misurata a «tavola vuota», ed utilizzabili nei si- stemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116a. Nota: In 2B116 per «tavola vuota» si intende una tavola o superficie piatta priva di accessori o di attrezzi di fissaggio.
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2B201 Macchine utensili, diverse da quelle specificate in A.4 PGO (N) 2B001, per l’asportazione o il taglio di metalli, cera- T:5000 miche o materiali compositi, come segue, che, con- formemente alle specifiche tecniche del costruttore, possono essere equipaggiate con dispositivi elettronici per il controllo di contornatura simultaneo su due o più assi: a) macchine utensili di fresatura aventi una delle se- guenti caratteristiche:
1. precisioni di posizionamento con tutte le compen-
sazioni disponibili uguali o inferiori (migliori) a 6 µm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o 4,5 µm secondo la norma ISO 230/2 (1997) su uno qual- siasi degli assi lineari o
2. due o più assi di rotazione di contornatura.
Nota: Il 2B201a non sottopone ad autorizzazione le macchine di fresatura aventi le caratteristiche seguenti: a) corsa dell’asse x superiore a 2000 mm e b) precisione di posizionamento globale sull’asse × maggio- re (o meno precisa) di 30 µm. b) macchine utensili di rettifica aventi una delle caratte- ristiche seguenti:
1. precisioni di posizionamento con tutte le compen-
sazioni disponibili uguali o minori (migliori) di 4 µm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o 3 µm secondo la norma ISO 230/2 (1997) su uno qual- siasi degli assi lineari o
2. due o più assi di rotazione di contornatura.
Nota: Il 2B201b non sottopone ad autorizzazione le seguenti mac- chine di rettifica: a) le macchine di rettifica esterna, interna, ed esterna- interna di cilindri, aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. limitate alla rettifica di cilindri;
2. diametro esterno o lunghezza massimi del pezzo da
lavorare di 150 mm;
3. coordinazione simultanea di non più di 2 assi per
controllo di contornatura e
4. non aventi asse c di contornatura;
b) rettificatrici a coordinate aventi assi limitati agli assi x, y, c ed a, essendo l’asse c utilizzato per assicurare la per- pendicolarità tra la mola e la superficie e l’asse a confi- gurato per rettificare tamburi a camme; c) macchine per affilare gli utensili o gli utensili di taglio con software appositamente progettato per la produzione di utensili o di utensili di taglio o
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d) macchine di rettifica con albero a gomito o albero a camme.
2B204 Presse isostatiche, diverse da quelle specificate in A.4 PGO (N) 2B004 o 2B104, e relative apparecchiature come T:1000 segue: a. Presse isostatiche aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. in grado di assicurare una pressione di lavoro mas-
sima uguale o superiore a 69 Mpa e
2. cavità di lavoro con diametro interno superiore a
152 mm;
b. Loro matrici, stampi e controlli appositamente pro- gettati per presse isostatiche specificati in 2B204a. Nota tecnica: In 2B204 la dimensione della camera interna è quella della camera in cui vengono raggiunte sia la temperatura di lavoro che la pressione di lavoro e non include gli accessori. La di- mensione sarà quella minore tra il diametro interno della came- ra pressurizzata e il diametro interno della camera di combu- stione isolata, a seconda di quale delle due si trova all’interno dell’altra.
2B206 Macchine, dispositivi o sistemi di controllo dimensio- A.4 PGO (N) nale diversi da quelli specificati in 2B006, come se- T:5000 gue: a) macchine di controllo dimensionale con controllo a calcolatore o con controllo numerico aventi le due ca- ratteristiche seguenti:
1. due assi o più e
2. incertezza di misura della lunghezza secondo una
dimensione uguale o minore (migliore) di (1,25+L/1000) µm misurata con un tastatore di precisione minore (migliore) di 0,2 µm (L rappre- senta la lunghezza misurata espressa in mm) (Rif.: VDI/VDE 2617 parti 1 e 2); b) sistemi per il controllo simultaneo lineare- angolare di semigusci, aventi le due caratteristiche seguenti:
1. incertezza di misura lungo un asse lineare qualsiasi
uguale o minore (migliore) di 3,5 µm per 5 mm e
2. deviazione di posizione angolare uguale o minore
di 0,02°.
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Note:
1. Le macchine utensili che possono essere usate come mac-
chine di misura sono sottoposte ad autorizzazione se corri- spondono ai criteri stabiliti per la funzione di macchine utensili o per la funzione di macchine di misura o se oltre- passano tali limiti.
2. Una macchina descritta in 2B206 è sottoposta ad autorizza-
zione se supera la soglia di controllo in un punto qualunque della sua gamma di funzionamento. Note tecniche:
1. Il tastatore utilizzato per determinare l’incertezza di misura
di un sistema di controllo dimensionale deve essere confor- me a quello descritto nella norma VDI/VDE 2617 parti 2, 3 e 4.
2. Tutti i parametri dei valori di misura in 2B206 si intendono
±, cioè non si intendono come banda di escursione totale.
2B207 Robot, dispositivi di estremità e unità di controllo di- A.4 PGO (N) versi da quelli specificati in 2B007 come segue: T:1000 a) robot o dispositivi di estremità appositamente pro- gettati per rispondere alle norme nazionali di sicurez- za applicabili al maneggio di esplosivi ad alto poten- ziale (ad es. rispondenti alla classifica del codice elettrico per gli esplosivi ad alto potenziale); b) unità di controllo appositamente progettate per robot o dispositivi di estremità specificati in 2B207a. 2B209 Macchine di fluotornitura o macchine di tornitura in A.4 PGO (N) lastra in grado di eseguire funzioni di fluotornitura T:5000 diversa da quelle specificate in 2B009 o 2B109, o mandrini, come segue: a) macchine aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. tre o più rulli (attivi o di guida) e
2. previste per essere equipaggiate, conformemente
alle specifiche tecniche del costruttore, con unità di controllo numerico o di controllo a calcolatore; b) mandrini, appositamente progettati per sagomare ro- tori cilindrici di diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm. Nota: 2B209 include macchine con un unico rullo progettate per de- formare il metallo più due rulli ausiliari che sostengono il mandrino ma non partecipano direttamente al processo di de- formazione.
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2B225 Manipolatori a distanza che possono essere usati per A.4 PGO (N) azioni a distanza nelle operazioni di separazione ra- T:1000 diochimica o nelle celle calde, aventi una delle carat- teristiche seguenti: a) capacità di penetrazione uguale o superiore a 0,6 m della parete della cella calda (funzionamento attra- verso la parete) o b) capacità di superare la sommità della parete di una cella calda di spessore uguale o superiore a 0,6 m (funzionamento sopra la parete). Nota: I manipolatori a distanza consentono di effettuare una trasla- zione delle azioni di un operatore umano ad un braccio ope- rante a distanza e a dispositivi terminali. Possono essere del ti- po «asservito» o azionati tramite leva di comando o tastiera.
2B226 Forni ad induzione in atmosfera controllata A.4 PGO (N) (sottovuoto o gas inerte), e loro sistemi di alimenta- T:1000 zione elettrica, come segue: Nota: confronta anche 3B. a) forni aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. in grado di funzionare a temperature superiori a 1123 K
(850°C);
2. aventi bobine di induzione di diametro uguali o superiori
a 600 mm e
3. progettati per potenze di ingresso uguali o superiori a 5
kW; b) alimentatori aventi potenza di uscita specifica uguale o su- periore a 5 kW, appositamente progettati per forni specifi- Nota: Il 2B226 non riguarda i forni progettati per il trattamento di placchette di semiconduttori.
2B227 Forni di fusione e di colata di metalli, sottovuoto o in A.4 PGO (N) altra atmosfera controllata, e relative apparecchiatu- T:1000 re, come segue: a) forni ad arco di rifusione e di colata aventi tutte le ca- ratteristiche seguenti:
1. ad elettrodo consumabile di capacità compresa tra
2. in grado di funzionare con temperature di colata
superiori a 1973 K (1700°C); b) forni di fusione a fascio elettronico e forni di atomiz- zazione e fusione a plasma, aventi tutte le caratteristi- che seguenti:
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1. potenza uguale o superiore a 50 kW e
2. in grado di funzionare con temperature di fusione
superiori a 1473 K (1200°C). c) sistemi di controllo e monitoraggio a calcolatore ap- positamente configurati per i forni specificati in 2B228 Apparecchiature di assemblaggio e di fabbricazione A.4 PGO (N) di rotori, apparecchiature di raddrizzatura del roto- T:1000 re, mandrini e matrici di formatura di soffietti, come segue: a) apparecchiature di assemblaggio del rotore per l’assemblaggio delle sezioni del tubo, di diaframmi e di coperchi terminali del rotore di centrifughe a gas, Nota: Il 2B228a comprende i mandrini di precisione, i morsetti e le macchine di accoppiamento per forzatura. b) apparecchiature di raddrizzatura del rotore per l’allineamento delle sezioni del tubo rotore di cen- trifughe a gas su un asse comune; Nota tecnica: In 2B228b tali apparecchiature consistono in sonde di misura di precisione collegate ad un calcolatore che controlla di con- seguenza, ad esempio, l’azione di pistoni pneumatici usati per l’allineamento delle sezioni del tubo rotore. c) mandrini e matrici di formatura di soffietti, per la produzione di soffietti a spira singola. Nota tecnica: In 2B228c i soffietti hanno tutte le caratteristiche seguenti:
1. diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm;
2. lunghezza uguale o superiore a 12,7 mm;
3. profondità della singola spira maggiore di 2 mm e
4. costruiti con leghe di alluminio ad alta resistenza, con ac-
ciaio Maraging o materiali fibrosi o filamentosi ad alta resi- stenza. 2B229 Macchine fisse o portatili, orizzontali o verticali, per A.4 PGO (N) il bilanciamento centrifugo su più piani, come segue: T:5000 a) macchine di bilanciamento centrifugo progettate per il bilanciamento di rotori flessibili di lunghezza uguale o superiore a 600 mm ed aventi tutte le carat- teristiche seguenti:
1. diametro del perno o dell’asse uguale o superiore a
75 mm;
2. capacità di massa compresa tra 0,9 e 23 kg e
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3. capacità di bilanciamento con velocità di rotazione
superiori a 5000 giri/min; b) macchine di bilanciamento centrifugo progettate per il bilanciamento di componenti di rotori cilindrici ca- vi ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. diametro del perno uguale o superiore a 75 mm;
2. capacità di massa compresa tra 0,9 e 23 kg;
3. in grado di bilanciare fino ad uno sbilanciamento
residuo uguale o inferiore (migliore) di 0,01 kg mm/kg per piano e
4. azionamento a cinghia.
2B230 Trasduttori di pressione in grado di misurare pressio- A.4 PGO (N) ni assolute in qualsiasi punto della gamma compresa T:1000 tra 0 e 13 kPa, e aventi tutte le caratteristiche se- guenti: a. elementi sensibili alla pressione costituiti di o protetti da alluminio, leghe di alluminio, nichelio, leghe di nichelio con più del 60% di nichelio in peso e b. aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. fondo scala inferiore a 13 kPa e precisione miglio-
re di ± 1% (fondo scala) o
2. fondo scala di 13 kPa o maggiore e precisione mi-
gliore di ± 130 Pa. Nota tecnica: Ai fini del 2B230, la precisione include la non linearità, l’isteresi e la ripetibilità a temperatura ambiente.
2B231 Pompe a vuoto aventi tutte le caratteristiche A.4 PGO (N) seguenti: T:1000 a. dimensione della sezione minima di ingresso uguale o superiore a 380 mm; b. velocità di pompaggio uguale o superiore a 15 m3/s e c. in grado di produrre un vuoto finale migliore di 13 mPa. Note tecniche:
1. La velocità di pompaggio è determinata al punto di misura-
zione con azoto o aria.
2. Il vuoto finale è determinato all’ingresso della pompa con
l’ingresso della pompa completamente ostruito.
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2B232 Cannoni multistadio a gas leggero od altri sistemi di A.4 PGO (N) cannoni ad alta velocità (dei tipi a bobina, ellettro- T:1000 magnetici, elettrotermici e altri sistemi avanzati) in grado di accelerare proiettili ad una velocità uguale o superiore a 2 km/s. 2B350 Apparecchiature e mezzi di produzione di sostanze A.4 PGO (A) chimiche, come segue: T:5000 a) contenitori per reazioni o reattori, con o senza agita- tori di volume totale interno (geometrico) superiore a tutte le superfici di contatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno qualsiasi dei materiali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
5. tantalio o leghe di tantalio;
6. titanio o leghe di titanio o,
7. zirconio o leghe di zirconio;
b) agitatori per l’impiego in contenitori per reazioni o in reattori aventi tutte le superfici dell’agitatore in con- tatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno qualsiasi dei materiali se- guenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
5. tantalio o leghe di tantalio;
6. titanio o leghe di titanio o
7. zirconio o leghe di zirconio;
c) serbatoi di stoccaggio, contenitori o serbatoi di ac- cumulo di volume totale interno (geometrico) supe- riore a 0,1 m3 (100 l), aventi tutte le superfici di con- tatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:
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1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
5. tantalio o leghe di tantalio;
6. titanio o leghe di titanio o
7. zirconio o leghe di zirconio;
d) scambiatori di calore o unità di condensazione aventi l’area della superficie di trasferimento del calore infe- riore a 20 m2 e le superfici di contatto diretto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. grafite;
5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
6. tantalio o leghe di tantalio;
7. titanio o leghe di titanio o
8. zirconio o leghe di zirconio;
e) colonne di distillazione o torri di assorbimento di diametro interno superiore a 0,1 m, aventi tutte le su- perfici di contatto diretto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. grafite;
5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
6. tantalio o leghe di tantalio;
7. titanio o leghe di titanio o
8. zirconio o leghe di zirconio;
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f) apparecchiature di riempimento manovrate a distanza aventi tutte le superfici in diretto contatto con le so- stanze chimiche da trattare costruite con uno dei ma- teriali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo o
2. nichelio o leghe di nichelio contenenti in peso più
del 40% di nichelio; g) valvole a tenuta multipla che incorporano una porta di rivelazione delle perdite, valvole a soffietto, val- vole di non ritorno o valvole a diaframma aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimi- che contenute o da trattare costruite con uno dei ma- teriali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
5. tantalio o leghe di tantalio;
6. titanio o leghe di titanio o
7. zirconio o leghe di zirconio;
h) tubazioni a pareti multiple che incorporano una porta di rivelazione delle perdite, aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. fluoropolimeri;
3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati
o rivestiti in vetro);
4. grafite;
5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40% di
nichelio;
6. tantalio o leghe di tantalio;
7. titanio o leghe di titanio o
8. zirconio o leghe di zirconio;
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i) pompe a soffietti o a diaframma, a tenuta multipla, stagne, a comando magnetico aventi una portata mas- sima specificata dal fabbricante superiore a 0,6 m3/h o pompe a vuoto aventi portata massima specificata dal fabbricante superiore a 5 m3/h (alla temperatura standard di 273K [0°C] e pressioni di 101,3 kPa) aventi tutte le superfici in diretto contatto con le so- stanze chimiche da trattare costruite con uno dei ma- teriali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio
e 20% di cromo;
2. materiali ceramici;
3. ferrosilicio;
4. fluoropolimeri;
5. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smal-
tati o rivestiti in vetro);
6. grafite;
7. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40%
di nichelio;
8. tantalio o leghe di tantalio;
9. titanio o leghe di titanio o
10. zirconio o leghe di zirconio;
j) inceneritori progettati per la distruzione di sostanze chimiche specificate in 1C350, aventi sistemi di ali- mentazione dei rifiuti appositamente progettati, at- trezzature speciali per la manipolazione e temperatura media nella camera di combustione superiore a 1273K (1000°C) e tutte le superfici di smaltimento dei rifiuti, in diretto contatto con tali prodotti, co- struite o rivestite con uno dei materiali seguenti:
1. leghe contenenti in peso più del 25% di nichelio e
20% di cromo;
2. materiali ceramici, o
3. nichelio o leghe di nichelio contenenti in peso più
del 40% di nichelio. 2B351 Sistemi di monitoraggio di gas tossico, come segue, e A.4 esente (A) loro rilevatori dedicati: T:5000 a) progettati per funzionamento continuo ed utilizzabili per la rivelazione di agenti di guerra chimica o di so- stanze chimiche specificate in 1C350, con concentra- zioni a 0,3 mg/m3 o b) progettati per rivelare l’attività di inibizione della coli- nesterasi.
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2B352 Apparecchiature utilizzabili nel trattamento dei ma- A.4 esente (A) teriali biologici, come segue: T:5000 a) mezzi di contenimento biologico completi a livello di Nota tecnica: I livelli di contenimento P3 o P4 (BL3, BL4, L3, L4) sono speci- ficati nel manuale WHO «Laboratory Biosafety» (Ginevra 1993, seconda edizione). b) fermentatori, in grado di coltivare microrganismi pato- geni, virus o di produrre tossine, senza la propagazione di aerosol, aventi capacità uguale o superiore a 100 li- tri; Nota tecnica: I fermentatori includono i bioreattori, i chemostati ed i sistemi a flusso continuo. c) separatori centrifughi, in grado di effettuare una sepa- razione continua senza la propagazione di aerosol, aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. flusso superiore a 100 l/h;
2. componenti costruiti con acciaio inossidabile luci-
dato o titanio;
3. giunti a doppia o multipla tenuta entro l’area di
contenimento del vapore e
4. in grado di realizzare la sterilizzazione in situ in
condizione di chiusura; Nota tecnica: I separatori centrifughi includono i decantatori. d) apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (Cross- flow) in grado di effettuare la separazione continua senza la propagazione di aerosol, aventi le due caratte- ristiche seguenti:
1. dimensioni uguali o superiori a 5 m2 e
2. in grado di realizzare la sterilizzazione in situ;
e) apparecchiature di disidratazione per congelamento sterilizzabili a vapore con capacità del condensatore superiore a 50 kg di ghiaccio in 24 ore e inferiore a
1000 kg di ghiaccio in 24 ore;
f) apparecchiatura che incorpora o è contenuta in allog- giamento di contenimento P3 o P4, come segue:
1. abiti protettivi interi o spezzati ventilati in modo in-
dipendente;
2. cabine di sicurezza biologica di classe III o isolatori
con prestazioni di caratteristiche similari;
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Nota: In 2B352f2 gli isolatori comprendono anche gli isolatori flessi- bili, i contenitori asciutti (dry boxes), le camere anaerobiche, le celle a guanti e le cappe a flusso laminare. g) camere progettate per il confronto aerosol con mi- crorganismi o tossine ed aventi una capacità uguale o superiore a 1 m3.
2C Materiali Nessuno
2D Software 2D001 Software, diverso da quello specificato in 2D002, ap- A.4 PGO (W,N) positamente progettato o modificato per lo sviluppo, T:nessuna (M) la produzione o l’utilizzazione di apparecchiature 2D002 Software per dispositivi elettronici, anche integrato in un dispositivo o sistema elettronico, che consenta a tali dispositivi o sistemi di operare come unità di controllo numerico in grado di eseguire una delle se- guenti attività: (W,N) a) coordinare simultaneamente più di quattro assi per il A.4 PGO controllo di contornatura o T:nessuna (W) b) capacità di trattamento in tempo reale di dati per A.4 esente modificare, nel corso dell’operazione di lavorazione, T:nessuna la traiettoria dell’utensile, la velocità di avanzamento ed i dati del mandrino per:
1. il calcolo e la modifica automatici dei dati del pro-
gramma dei pezzi per la lavorazione, secondo due o più assi, a mezzo di cicli di misura e dell’accesso ai dati di base o
2. il controllo adattivo con più di una variabile fisica
misurata e trattamento a mezzo di un modello di calcolo (strategia) per modificare una o più istru- zioni di lavorazione per l’ottimizzazione del pro- cesso. Nota: Il 2D002 non sottopone ad autorizzazione il software apposita- mente progettato o modificato per il funzionamento di macchi- ne utensili non sottoposte ad autorizzazione dalla categoria 2. 2D101 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (M) di apparecchiature specificate in 2B104, 2B109 o T:nessuna
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Nota: Confronta anche 9D004.
2D201 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (N) di apparecchiature specificate in 2B204, 2B206, T:nessuna 2D202 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (N) lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione delle appa- T:nessuna recchiature specificate in 2B201.
2E Tecnologia 2E001 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia per lo sviluppo di apparecchiature o di T:nessuna 2E002 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia per la produzione di apparecchiature T:nessuna 2E003 Altra tecnologia, come segue: A.4 esente (W) a) tecnologia per lo sviluppo di grafica interattiva come T:nessuna elemento integrato alle unità di controllo numerico per la preparazione o la modifica di programmi pez- zo; b) tecnologia per i processi di fabbricazione per la lavo- razione dei metalli, come segue:
1. tecnologia per la progettazione di utensili, matrici o
montaggi appositamente progettati per i processi se- guenti: a) formatura superplastica, b) saldatura per diffusione o c) stampaggio idraulico ad azione diretta;
2. dati tecnici consistenti in parametri o metodi di pro-
cesso sotto elencati ed utilizzati per controllare: a) la formatura superplastica di leghe di alluminio, di leghe di titanio o superleghe:
1. preparazione delle superfici,
2. velocità di applicazione del carico,
3. temperatura,
4. pressione;
b) la saldatura per diffusione di superleghe o le- ghe di titanio:
1. preparazione delle superfici,
2. temperatura,
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
3. pressione;
c) lo stampaggio idraulico ad azione diretta di le- ghe di alluminio o leghe di titanio:
1. pressione,
2. durata del ciclo;
d) l’addensamento isostatico a caldo di leghe di titanio, leghe di alluminio o superleghe:
1. temperatura,
2. pressione,
3. durata del ciclo;
c) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di mac- chine di stiro-imbutitura idraulica e loro matrici per la fabbricazione di strutture di cellule di aeromobili; d) tecnologia per lo sviluppo di generatori di istruzioni per macchine utensili (ad es. programmipezzo) a par- tire dai dati di progettazione residenti nelle unità di controllo numerico; e) tecnologia per lo sviluppo del software di integrazio- ne per l’incorporazione nelle unità di controllo nume- rico di sistemi esperti per il supporto di decisioni ad un livello elevato delle operazioni in officina; f) tecnologia per l’applicazione di rivestimenti inorga- nici per la ricopertura o per la modifica della superfi- cie (specificati nella colonna 3 della successiva tavo- la) su substrati non elettronici (specificati nella colonna 2 della successiva tavola), con i processi specificati nella colonna 1 della successiva tavola e definiti nella Nota tecnica. Nota: La tavola e la nota tecnica sono riportate dopo il 2E301.
2E101 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M,N) tecnologia per l’utilizzazione di apparecchiature o di T:nessuna 2E201 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (N) tecnologia per l’utilizzazione di apparecchiature o di T:nessuna 2E301 Tecnologia in conformità alla Nota generale della tec- A.4 PGO (A) nologia per l’utilizzazione delle merci specificate in T:nessuna
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Tavola –Metodi di deposizione (cfr. 2E003f) (I numeri tra parentesi si riferiscono alle note in calce alla presente tavola)
Processo di rivestimento1 Substrato Rivestimento 1 2 3
A. Deposizione in fase Superleghe Alluminuri per passaggi di vapore di elementi interni. chimici (CVD) Ceramiche e vetri a bassa Siliciuri dilatazione (14) Carburi Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Materiali compositi Siliciuri, carbonio-carbonio, Carburi, ceramica ed a matrice Metalli refrattari metallica Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Alluminuri Alluminuri legati (2) Nitruro di boro Carburo di tungsteno Carburi, cementato (16) Tungsteni, Carburo di silicio (18) Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe Strati dielettrici (15) di molibdeno Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Materiali per finestre Strati dielettrici (15) di sensori (9) Diamante Carbionio tipo diamante (17)
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Processo di rivestimento Substrato Rivestimento 1 2 3
B. Deposizione fi- sica in fase di vapore per evaporazione ter- mica (TE-PVD)
1. Deposizione fi- Superleghe Siliciuri legati
sica, in fase Alluminuri legati (2) di vapore, MCrAlX (5) per fascio Zirconi modificati (12) elettronico Siliciuri (EB-PVD) Alluminuri Loro miscele (4) Ceramiche (19) e vetri a Strati dielettrici (15) bassa dilatazione (14) Acciaio anticorrosione (7) MCrAlX (5) Zirconi modificati (12) Loro miscele (4) Materiali compositi Siliciuri carbonio-carbonio, Carburi ceramica ed a matrice Metalli refrattari metallica Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Carburo di tungsteno Carburi cementato (16) Tungsteno Carburo di silicio (18) Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe Strati dielettrici (15) di molibdeno Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Boruri Berillio Materiali per finestre Strati dielettrici (15) di sensori (9) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri B. 2. Deposizione Ceramiche (19)e vetri a bassa Strati dielettrici (15) fisica in fase dilatazione (14) Carbonio tipo diamante di vapore (PVD), (17) per riscaldamento con resistenza, as- sistita da fascio io- nico (placcatura io- nica)
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Processo di rivestimento Substrato Rivestimento 1 2 3
Materiali compositi Strati dielettrici (15) carbonio-carbonio, ceramica ed a matrice metallica Carburo di tungsteno Strati dielettrici (15) cementato (16) Carburo di silicio Molibdeno e leghe Strati dielettrici (15) di molibdeno Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Materiali per finestre Strati dielettrici (15) di sensori (9) B. 3. Deposizione Ceramiche (19) e vetri a bassa Siliciuri fisica in fase dilatazione (14) Strati dielettrici (15) di vapore (PVD) Materiali compositi Carbionio tipo diamante per evaporazione carbonio-carbonio, (17) a laser ceramica ed a matrice Strati dielettrici (15) metallica Carburo di tungsteno Strati dielettrici (15) cementato (16) Carburo di silicio Molibdeno e leghe Strati dielettrici (15) di molibdeno Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Materiali per finestre Strati dielettrici (15) di sensori (9) Carbonio tipo diamante B. 4. Deposizione fisica Superleghe Siliciuri legati in fase di vapore Alluminuri legati (2) (PVD): scarica ad MCrAlX (5) arco catodico Polimeri (11) e compositi Boruri a matrice organica Carburi Nitruri Carbonio tipo diamante (17)
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Processo di rivestimento Substrato Rivestimento 1 2 3
C. Cementazione Materiali compositi Siliciuri in cassetta carbonio-carbonio, Carburi (confronta ceramica ed a matrice Loro miscele (4) par. A metallica per cementa- Leghe di titanio (13) Siliciuri zione fuori Alluminuri cassetta) (10) Alluminuri legati (2) Metalli e leghe refrattari Siliciuri (8) Ossidi D.Polverizzazione Superleghe MCrAlX (5) a plasma Zirconi modificati (12) Loro miscele (4) Nichelio-grafie soggetto ad abrasione Materiali contenenti Ni-Cr- Al-soggetti ad abrasione Al-Si-Poliestere soggetto ad abrasione Alluminuri legati (2) Leghe di alluminio (6) MCrAlX (5) Zirconi modificati (12) Siliciuri Loro miscele (4) Metalli e leghe refrattari (8) Alluminuri Siliciuri Carburi Acciaio anticorrosione (7) McrAlX (5) Zirconi modificati (12) Loro miscele (4) Leghe di titanio (13) Carburi Alluminuri Siliciuri Alluminuri legati (2) Nichelio-grafite soggetto ad abrasione Materiali contenenti Ni-Cr- Al soggetti ad abrasione Al-Si-Poliestere soggetto ad abrasione
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Processo di rivestimento Substrato Rivestimento 1 2 3
E. Deposizione Metalli e leghe refrattari Siliciuri fusi ad impasto (8) Alluminuri fusi esclusi liquido gli elementi riscaldatori per resistenze Materiali compositi Siliciuri carbonio-carbonio, Carburi ceramica ed a matrice Loro miscele (4) metallica F. Deposizione per Superleghe Siliciuri legati polverizzazione Alluminuri legati (2) catodica Alluminuri modificati con metallo nobile (3) MCrAlX (5) Zirconi modificati (12) Platino Loro miscele (4) Ceramiche e vetri a Siliciuri bassa dilatazione (14) Platino Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Ossidi Siliciuri Alluminuri Alluminuri legati (2) Carburi Materiali compositi Siliciuri carbonio-carbonio, Carburi ceramica ed a matrice Metalli refrattari metallica Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Carburo di tungsteno Carburi cementato (16) Tungsteno Carburo di silicio Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Molibdeno e leghe Strati dielettrici (15) di molibdeno
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Processo di rivestimento Substrato Rivestimento 1 2 3
Berillio e leghe di berillio Boruri Strati dielettrici (15) Berillio Materiali per finestre Strati dielettrici (15) di sensori (9) Carbonio tipo diamante (17) Metalli e leghe refrattari Alluminuri (8) Siliciuri Ossidi Carburi G.Impiantazione Acciai per cuscinetti Aggiunte di cromo, ionica ad alta temperatura Tantalio o niobio (Columbium) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Berillio e leghe di berillio Boruri Carburo di tungsteno Carburi cementato (16) Nitruri
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Note della Tavola – metodi di deposizione n1. Il termine «processo di rivestimento» comprende sia strati originali, sia riparazione e rimessa a nuovo di strati. n2. Il termine «rivestimento di alluminuri legati» comprende i rivestimenti realizzati in più stadi nei quali uno o più elementi sono depositati prima o durante l’applicazione del rivestimento dell’alluminuro anche se questi elementi sono depositati con altro proces- so di rivestimento. Esso non comprende comunque l’uso multiplo dei processi di «cementazione in cassetta» in un solo stadio, per realizzare gli alluminuri legati. n3. Il termine «rivestimento di alluminuro modificato con un metallo nobile» comprende anche i rivestimenti realizzati in più stadi nei quali uno o più metalli nobili sono depo- sitati con altro processo di rivestimento prima della applicazione del rivestimento dell’alluminuro. n4. Il termine «loro miscele» comprende i materiali infiltrati, le composizioni graduate, i depositi simultanei e i depositi multistrato e le miscele sono ottenute con uno o più dei processi di rivestimento specificati nella tavola. n5. «MCrAlX» rappresenta una lega in cui M equivale a cobalto, ferro, nichelio o combi- nazioni di questi elementi, ed X equivale ad afnio, ittrio, silicio tantalio in qualsiasi quantità od altre aggiunte intenzionali superiori a 0,01% in peso in proporzioni e combinazioni diverse, con l’esclusione: a) dei rivestimenti di CoCrAlY contenenti meno del 22% in peso di cromo, meno del 7% in peso di alluminio e meno del 2% in peso di ittrio; b) dei rivestimenti di CoCrAlY contenenti dal 22 al 24% in peso di cromo, dal 10 al 12% in peso di alluminio e dallo 0,5 allo 0,7% in peso di ittrio o c) dei rivestimenti di NiCrAlY contenenti dal 21 al 23% in peso di cromo, dal 10 al 12% in peso di alluminio e dallo 0,9 all’1,1% in peso di ittrio. n6. Il termine «leghe di alluminio», si riferisce a leghe aventi carico di rottura uguale o su- periore a 190 MPa misurata alla temperatura di 293 K (20°C). n7. Il termine «acciaio anticorrosione» si riferisce agli acciai AISI (American Iron and Steel Institute) della serie 300 o agli acciai corrispondenti a norme nazionali equiva- lenti. n8. Il termine «metalli e leghe refrattari» comprende i metalli seguenti e loro leghe: niobio (columbium), molibdeno, tungsteno e tantalio.
n9. I «materiali per finestre di sensori» sono i seguenti: allumina, silicio, germanio, solfuro di zinco, seleniuro di zinco, arseniuro di gallio, diamante, fosfuro di gallio, zaffiro, ed i seguenti alogenuri metallici: materiali per finestre di sensori aventi un diametro supe- riore a 40 mm per il fluoruro di zirconio ed il fluoruro di afnio. 10. La tecnologia relativa alla cementazione in cassetta in una sola fase dei profili aerodi- namici di un singolo pezzo non è sottoposta ad autorizzazione dalla Categoria 2. 11. I polimeri sono i seguenti: poliimmidi, poliesteri, polisolfuri, policarbonati e poliure- tani. 12. Per «zirconi modificati», si intendono zirconi che hanno subito aggiunte di altri ossidi metallici, cioè ossidi di calcio, di magnesio, di ittrio, di afnio, di terre rare, ecc. al fine di stabilizzare certe fasi cristallografiche e composizioni di queste fasi. I rivestimenti che servono da barriera termica costituiti da zirconi, modificati con l’aiuto di ossido di calcio o di magnesio per miscelazione o fusione, non sono sottoposti ad autorizzazio- ne. 13. Le «leghe di titanio» si riferiscono alle leghe utilizzate nel campo aerospaziale, aventi carico di rottura uguale o superiore a 900 MPa, misurato a 293 K (20°C). 14. I «vetri a bassa dilatazione» si riferiscono a vetri aventi un coefficiente di dilatazione termico uguale o inferiore a 1×10-7 K-1 misurato a 293 K (20°C). 15. Gli «strati dielettrici» sono rivestimenti composti da più strati di materiali isolanti nei quali le proprietà di interferenza di un assieme di diversi materiali aventi indici di ri- frazione diversi sono utilizzati per riflettere, trasmettere o assorbire bande differenti di
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lunghezze d’onda. Gli «strati dielettrici» si riferiscono a più di quattro strati dielettrici o strati compositi dielettrico/metallo. 16. Il «carburo di tungsteno» cementato non comprende i materiali per utensili di taglio e di formatura consistenti in carburo di tungsteno/(cobalto, nichelio) carburo di tita- nio/(cobalto, nichelio), carburo di cromo/nichelio-cromo e carburo di cromo/nichelio. 17. La «tecnologia» destinata specificamente a depositare carbonio tipo diamante su una delle apparecchiature o uno dei materiali appresso elencati non è sottoposta ad auto- rizzazione: unità disco e testine magnetiche, lenti in policarbonato per occhiali, appa- recchiature per la fabbricazione di articoli monouso, apparecchiature per panifici, val- vole per rubinetti, diaframmi acustici per altoparlanti, componenti per motori di automobili, utensili di taglio, matrici di punzonamento/imbutitura, lenti di alta qualità progettate per apparecchi fotografici o telescopi, apparecchiature per l’automazione di uffici, microfoni o dispositivi medici. 18. Il «carburo di silicio» non comprende i materiali per utensili di taglio e di formatura. 19. I substrati ceramici elencati nella tavola non comprendono i materiali ceramici conte- nenti il 5% o più in peso di argilla o cemento, sia come costituenti distinti che in com- binazione.
Note tecniche della Tavola – metodi di deposizione I processi specificati nella colonna 1 della tavola sono definiti come segue: a) La deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) è un processo di rivesti- mento per ricopertura o rivestimento con modifica della superficie per cui un metallo, una lega, un materiale composito, un dielettrico o una ceramica è depositato su uno strato riscaldato. I gas reagenti sono ridotti o combinati in prossimità del substrato provocando il deposito del materiale elementare, della lega o del materiale composito sul substrato. L’energia necessaria a questa decomposizione o reazione chimica può essere fornita dal calore del substrato, da un plasma a scarica luminescente o da una reazione laser. Note:
1. La deposizione in fase di vapore di elementi chimici comprende i processi se-
guenti: deposizione fuori cassetta con flusso di gas diretto, deposizione in fase di vapore di elementi chimici ad impulsi (CVD), deposizione termica per nuclea- zione controllata (CNTD), deposizione in fase di vapore di elementi chimici mi- gliorato a plasma o assistito da plasma.
2. Il termine cassetta indica un substrato immerso in una miscela di polveri.
3. I gas reagenti utilizzati nel processo fuori cassetta sono ottenuti usando le stesse reazioni e parametri elementari del processo di cementazione in cassetta, tranne per il substrato da rivestire che non è in contatto con la miscela di polveri. b) La deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD = thermal evaporation physical vapour deposition) è un processo di rivestimento per ricopertura sotto vuoto con pressione inferiore a 0,1 Pa per cui una sorgente di energia termica è utilizzata per la vaporizzazione del materiale di rivestimento. Questo processo dà luo- go alla condensazione o alla deposizione del materiale evaporato su substrati disposti in modo appropriato. L’aggiunta di gas alla camera sotto vuoto durante il processo di rivestimento al fine di sintetizzare i rivestimenti composti costituisce una variante corrente del processo. L’utilizzazione di fasci di ioni o di elettroni o di plasma, per attivare o assistere la de- posizione del rivestimento è anche una variante corrente di questa tecnica. Si possono anche utilizzare strumenti di controllo per misurare nel corso del processo le caratteri- stiche ottiche e lo spessore dei rivestimenti. Le tecniche specifiche di deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica sono le seguenti:
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1. La deposizione fisica in fase di vapore per fascio di elettroni impiega un fascio di elettroni per riscaldare il materiale costituente il rivestimento e provocarne l’evaporazione. 2. La deposizione fisica in fase di vapore per riscaldamento tramite resistenza im- piega resistenze elettriche come sorgenti di riscaldamento in grado di produrre un flusso controllato ed uniforme di materiali di rivestimento evaporati. 3. L’evaporazione a laser impiega fasci laser a impulsi o in onda continua per va- porizzare il materiale costituente il rivestimento. 4. La deposizione ad arco catodico impiega un catodo consumabile di materiale co- stituente il rivestimento che emette una scarica ad arco sulla superficie innescata da un contatto momentaneo con la massa. I movimenti controllati della formazio- ne dell’arco attaccano la superficie del catodo creando un plasma fortemente io- nizzato. L’anodo può essere sia un cono fissato sull’estremità del catodo tramite un isolatore sia la camera stessa. La polarizzazione del substrato è usata per la deposizione fuori della portata visiva. Nota: Questa definizione non comprende la deposizione casuale ad arco catodico con substrati non polarizzati. 5. La placcatura ionica è una variante particolare di un processo generale di deposi- zione fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD) per cui una sorgente di ioni o un plasma è utilizzato per ionizzare il materiale da depositare; una polarizzazione negativa viene applicata al substrato per facilitare l’estrazione dal plasma del materiale da depositare. L’introduzione di materiali reagenti, l’evaporazione di solidi all’interno della camera di trattamento e l’impiego di strumenti di controllo per misurare nel corso del processo le caratteristiche otti- che e lo spessore dei rivestimenti sono varianti ordinarie di questo processo. c) La cementazione in cassetta è un processo di rivestimento con modifica della superfi- cie o un processo di rivestimento per ricopertura per cui un substrato viene immerso in una miscela di polveri (cassetta) comprendente: 1. le polveri metalliche che devono essere depositate (generalmente alluminio, cro- mo, silicio o combinazioni di questi metalli);
2. un attivatore (generalmente un sale alogenuro) e
3. una polvere inerte (più frequentemente allumina).
Il substrato e la miscela di polveri sono posti in una storta portata ad una temperatura compresa tra 1030 K (757 C) e 1375 K (1102 C) per un tempo sufficiente per permet- tere la deposizione del rivestimento. d) La polverizzazione a plasma è un processo di rivestimento per ricopertura per cui un cannone (torcia di vaporizzazione) che produce e controlla un plasma, riceve materiali di rivestimento sotto forma di polvere o filo, li fa fondere e li proietta su un substrato sul quale si forma un rivestimento integralmente aderente. La polverizzazione a pla- sma può essere una polverizzazione a bassa pressione o una polverizzazione a grande velocità. Note: 1. Per bassa pressione si intende una pressione inferiore alla pressione atmosferica ambiente. 2. Per grande velocità si intende una velocità del gas in uscita dalla torcia superiore a 750 m/s calcolata a 293 K (20°C) e ad una pressione di 0,1 MPa. e) La deposizione ad impasto liquido è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di rivestimento per ricopertura per cui una polvere di metallo o di ceramica, associata ad un legante organico in sospensione in un liquido, viene ap- plicata su un substrato tramite spruzzatura, immersione o verniciatura. L’assieme vie- ne essiccato all’aria o in forno e poi sottoposto ad un trattamento termico per ottenere il rivestimento desiderato. f) La deposizione per polverizzazione catodica è un processo di rivestimento per rico- pertura, basato sul fenomeno di trasferimento di energia cinetica, per cui gli ioni posi-
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tivi sono accelerati da un campo elettrico e proiettati su una superficie di un bersaglio (materiale di rivestimento). L’energia cinetica ottenuta dall’impatto degli ioni è suffi- ciente perché gli atomi della superficie del bersaglio siano liberati per depositarsi sul substrato situato in modo adeguato. Note: 1. La tavola si riferisce solo alla deposizione per polverizzazione catodica tramite un triodo, un magnetron o un reagente utilizzato per aumentare l’aderenza del rive- stimento e la velocità di deposizione nonché alla deposizione per polverizzazione catodica aumentata con radiofrequenze, utilizzata per permettere la vaporizzazio- ne di materiali di rivestimento non metallici. 2. Fasci ionici a bassa energia (minore di 5 keV) possono essere utilizzati per attiva- re la deposizione. g)mL’impiantazione ionica è un processo di rivestimento con modifica della superficie per cui l’elemento da legare è ionizzato, accelerato da un gradiente di potenziale e im- piantato nella zona superficiale del substrato. Ciò comprende i processi nei quali l’impiantazione ionica viene effettuata contemporaneamente alla deposizione fisica in fase di vapore per fascio elettronico o alla deposizione per polverizzazione catodica.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
3 Materiali elettronici
3A Sistemi, apparecchiature e componenti Note relative al n. 3A::
1. La condizione di esportabilità delle apparecchiature, dispo-
sitivi e componenti descritti in 3A001 o 3A002, tranne positamente progettati o aventi le stesse caratteristiche fun- zionali di altre apparecchiature, è determinata dalle condi- zioni stabilite per queste altre apparecchiature.
2. La condizione di esportabilità dei circuiti integrati descritti
gettati in maniera non modificabile per una specifica fun- zione di altre apparecchiature, è determinata dalle condizio- ni stabilite per queste altre apparecchiature. Nota complementare:
1. Se il fabbricante o il richiedente non è in grado di deter-
minare la condizione di esportabilità delle altre apparec- chiature, la condizione di esportabilità dei circuiti inte- grati è allora determinata in 3A001a3- 3A001a9 o in
2. Se il circuito integrato è un microcircuito microcalcolato-
re o un microcircuito microcontrollore a base di silicio descritto in 3A001a3 avente una lunghezza di parola di operando (dati) di 8 bit o meno, la condizione di esporta- bilità del circuito integrato è determinata in 3A001a3.
3A001 Dispositivi e componenti elettronici, come segue: a) circuiti integrati di uso generale, come segue: Note:
1. La condizione di esportabilità delle placchette (finite o
non finite) nelle quali la funzione sia stata determinata, deve essere valutata in funzione dei parametri definiti in
2. I circuiti integrati comprendono i tipi seguenti:
– circuiti integrati monolitici, – circuiti integrati ibridi, – circuiti integrati a micropiastrine multiple, – circuiti integrati a film compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro, – circuiti integrati ottici; (W,M) 1. circuiti integrati progettati o previsti come circuiti A.4 PGO resistenti alle radiazioni per sopportare: T:1000 a) una dose totale di 5 × 103 Gy (Si) o più o b) un tasso della dose di 5×106 Gy (Si)/s o più;
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
(W) 2. Microcircuiti microprocessori, microcircuiti micro- A.4 esente calcolatori, microcircuiti microcontrollori, memorie T:1000 a circuiti integrati fabbricate a partire da un semi- conduttore composto, convertitori analogico- nu- merici, convertitori numerico-analogici, circuiti elettro-ottici o circuiti integrati ottici per il tratta- mento del segnale, reti di porte programmabili dall’utilizzatore, reti logiche programmabili dall’utilizzatore, circuiti integrati per reti neurali, circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente per i quali non è conosciuta la funzione o la condizione di esportabilità dell’apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, processori di tra- sformata rapida di Fourier (FFT, fast Fourier tran- sform), memorie di sola lettura cancellabili e pro- grammabili elettricamente (EEPROM), memorie flash o memorie statiche ad accesso casuale (SRAM), aventi una delle caratteristiche seguenti: a) previsti per funzionare ad una temperatura am- biente superiore a 398 K (125°C); b) previsti per funzionare ad una temperatura am- biente inferiore a 218 K (–55°C); o c) previsti per funzionare nell’intera gamma di temperatura da 218 K (–55°C) a 398 K (125°C); Nota: Il 3A001a2 non si applica ai circuiti integrati per applica- zioni automobilistiche o ferroviarie civili. (W) 3. Microcircuiti microprocessori, microcircuiti micro- A.4 esente calcolatori e microcircuiti microcontrollori, aventi T:1000 una qualsiasi delle caratteristiche seguenti: Nota: Il 3A001a3 comprende i processori di segnali numerici, i processori matriciali numerici ed i coprocessori nume- rici. a) prestazione teorica composita (PTC) uguale o superiore a 260 Mopt/s (milioni di operazioni teoriche al secondo) e unità logica aritmetica (ALU) con larghezza di accesso uguale o supe- riore a 32 bit; b) fabbricati a partire da un semiconduttore com- posto e funzionanti con frequenza di orologio superiore a 40 MHz o
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
c) più di un bus di dati o di istruzioni o di una porta di comunicazioni seriali destinata all’interconnessione esterna in un processore parallelo avente una velocità di trasferimento superiore a 2,5 Mbyte/s; (W) 4. memorie a circuiti integrati fabbricate a partire da A.4 esente un semiconduttore composto; T:1000 (W,M) 5. convertitori a circuiti integrati analogico- numeri- A.4 PGO ci e numerico-analogici, come segue: T:1000 a) convertitori analogico-numerici, aventi una qualsiasi delle caratteristiche seguenti:
1. risoluzione uguale o superiore a 8 bit, ma
inferiore a 12 bit, e tempo totale di conver- sione, alla risoluzione massima, inferiore a
10 ns;
2. risoluzione di 12 bit e tempo totale di con-
versione, alla risoluzione massima, inferiore a 200 ns o
3. risoluzione superiore a 12 bit e tempo totale
di conversione, alla risoluzione massima, inferiore a 2 µs; b) convertitori numerico-analogici aventi risolu- zione uguale o superiore a 12 bit e tempo di as- sestamento (settling time) inferiore a 10 ns; (W) 6. circuiti integrati ottici o elettro-ottici per il trat- A.4 esente tamento del segnale, aventi tutte le caratteristiche T:1000 seguenti: a) uno o più diodi laser interni; b) uno o più elementi interni di rilevazione della luce e c) guide d’onda ottiche; (W) 7. reti di porte programmabili dall’utilizzatore, A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:1000 a) numero di porte di conteggio equivalenti utiliz- zabili (equivalent usable gate count) superiore a 30000 (porte a 2 ingressi) o b) ritardo di propagazione della porta di base ti- pico (basic gate propagation delay time), infe- riore a 0,4 ns; (W) 8. reti logiche programmabili dall’utilizzatore, A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:1000
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
a) numero di porte di conteggio equivalenti utiliz- zabili (equivalent usable gate count) superiore a 30000 (porte a 2 ingressi) o b) frequenza di commutazione (toggle frequency) di stato superiore a 133 MHz; (W) 9. circuiti integrati per reti neurali; A.4 esente T:1000 (W) 10. circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente, A.4 esente per i quali non è conosciuta dal fabbricante né la T:1000 funzione né la condizione di esportabilità dell’apparecchiatura nella quale tali circuiti inte- grati saranno usati, aventi una qualsiasi delle ca- ratteristiche seguenti: a) più di 208 terminali di uscita; b) ritardo di propagazione della porta di base ti- pico (basic gate propagation delay time), infe- riore a 0,35 ns; o c) frequenza di funzionamento superiore a 3 GHz; (W) 11. circuiti integrati numerici diversi da quelli de- A.4 esente scritti in 3A001a3 fino a 3A001a10 e in T:1000 3A001a12 basati su qualsiasi composto semicon- duttore ed aventi una delle caratteristiche seguen- ti: a) più di 300 porte di conteggio equivalenti (equivalent gate count) (porte a 2 ingressi) o b) frequenza di commutazione (toggle frequency) di stato superiore a 1,2 GHz; (W) 12. processori di trasformata rapida di Fourier (FFT) A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:1000 a) tempo si esecuzione nominale per una FFT di
1024 punti complessi inferiore a 1 ms;
b) tempo di esecuzione nominale per una FFT di N punti complessi, diversi da 1.024 punti, infe- riore a N log2n/10240 ms, essendo N il numero dei punti o c) tasso della struttura a farfalla superiore a 5,12 Mhz; (W) b) componenti a microonde o ad onde millimetriche, co- A.4 esente me segue: T:5000
1. tubi elettronici a vuoto e catodi come segue:
Nota: Il 3A001b1 non sottopone ad autorizzazione i tubi pro- gettati o previsti per funzionare nelle bande UIT asse- gnate a frequenze non superiori a 31 GHz.
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a) tubi ad onde progressive, ad impulsi o ad onda continua, come segue:
1. funzionanti a frequenze superiori a 31 GHz;
2. aventi l’elemento riscaldante del catodo con
un tempo inferiore a 3 secondi tra l’accensione e l’emissione di potenza a RF (Radio Frequenza) nominale;
3. tubi a cavità accoppiate o loro derivati con
banda passante istantanea superiore al 7% o con potenza di picco superiore a 2,5 kW;
4. tubi ad elica, o loro derivati, aventi una qual-
siasi delle caratteristiche seguenti: a) banda passante istantanea superiore a una ottava, e prodotto della potenza media (espressa in kW) e della frequenza (espressa in GHz) superiore a 0,5; b) banda passante istantanea uguale o infe- riore a una ottava, e prodotto della potenza media (espressa in kW) e della frequenza (espressa in GHz) superiore a 1 o c) qualificati per impiego spaziale; b) tubi amplificatori a campi incrociati con guada- gno superiore a 17 dB; c) catodi impregnati progettati per tubi elettronici, aventi una qualsiasi delle caratteristiche seguen- ti:
1. tempo tra l’accensione e l’emissione nomi-
nale inferiore a 3 secondi o
2. in grado di produrre una densità di corrente in
emissione continua nelle condizioni di fun- zionamento nominali superiore a 5 A/cm2;
2. circuiti integrati a microonde o moduli aventi tutte
le caratteristiche seguenti: a) contenenti circuiti integrati monolitici e b) funzionanti a frequenze superiori a 3 GHz Nota: Il 3A001b2 non sottopone ad autorizzazione circuiti o moduli destinati ad apparecchiature progettate o previste per funzionare nelle bande UIT assegnate a frequenze non superiori a 31 GHz.
3. transistor a microonde previsti per funzionare a
frequenze superiori a 31 GHZ;
4. amplificatori a microonde a semiconduttore, aventi
una delle caratteristiche seguenti:
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
a) frequenze operative superiori a 10,5 GHz ed una banda passante istantanea superiore a una se- mi-ottava o b) frequenze operative superiori a 31 GHZ;
5. filtri passa banda o eliminatori di banda accorda-
bili elettronicamente o magneticamente, aventi più di 5 risonatori accordabili in grado di accordarsi su una banda di frequenza di 1,5:1 (fmax/fmin) in meno di 10 µs aventi una delle caratteristiche seguenti: a) banda passante superiore allo 0,5% della fre- quenza centrale o b) banda passante dell’eliminatore di banda infe- riore allo 0,5% della frequenza centrale;
6. assiemi a microonde in grado di funzionare a fre-
quenze superiori a 31 GHz;
7. miscelatori e convertitori progettati per estendere
la gamma di frequenza delle apparecchiature de- scritte in 3A002c, 3A002e o 3A002f oltre i limiti ivi indicati;
8. amplificatori di potenza a microonde contenenti
tubi specificati al punto 3A001b e aventi tutte le caratteristiche seguenti: a) frequenze operative superiori a 3 GHz; b) densità media di potenza di uscita superiore a 80 c) volume inferiore a 400 cm3. Nota: Il 3A001b8 non sottopone ad autorizzazione le apparec- chiature progettate o previste per il funzionamento in una banda allocata dall’UIT. (W) c) dispositivi utilizzanti le onde acustiche, come segue, A.4 esente e loro componenti appositamente progettati: T:5000
1. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di superfi-
cie (surface acoustic waves) e le onde acustiche ra- senti (poco profonde) [surface skimming (shallow bulk) acoustic waves] (cioè dispositivi di tratta- mento del segnale utilizzanti le onde elastiche nei materiali ), aventi una qualsiasi delle caratteristiche seguenti: a) frequenza portante superiore a 2,5 GHz; b) frequenza portante superiore a 1 GHz ma uguale o inferiore a 2,5 GHz, avente una delle caratteri- stiche seguenti:
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
1. reiezione del lobo laterale di frequenza supe-
riore a 55 dB;
2. prodotto del ritardo massimo (espresso in ms)
per la banda passante (espressa in MHz) supe- riore a 100 o
3. bande a passante superiore a 250 MHz o
4. ritardo di dispersione superiore a 10 µs o
c) frequenza portante inferiore o uguale a 1 GHz avente una delle caratteristiche seguenti:
1. prodotto del ritardo massimo (espresso in µs)
e banda passante (espressa in MHz) superiore a 100;
2. ritardo di dispersione superiore a 10 µs o
3. reiezione del lobo laterale di frequenza supe-
riore a 55 dB e banda passante superiore a 50 MHz;
2. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di volume
(cioè dispositivi di trattamento del segnale utiliz- zanti le onde elastiche) che permettono il tratta- mento diretto di segnali a frequenze superiori a 1 GHz;
3. dispositivi di trattamento del segnale acustico-
ottici basati sull’interazione tra onde acustiche (di volume o di superficie) e onde luminose che per- mettono il trattamento diretto di segnali o immagi- ni, compresa l’analisi spettrale, la correlazione o la convoluzione; (W) d) dispositivi o circuiti elettronici contenenti compo- A.4 esente nenti, fabbricati a partire da materiali superconduttori T:5000 appositamente progettati per funzionare a temperature inferiori alla temperatura critica di almeno uno dei costituenti superconduttori, aventi una qualsiasi delle funzioni seguenti:
1. amplificazione elettromagnetica:
a) a frequenze uguali o inferiori a 31 GHz con cifra di rumore inferiore a 0,5 dB; o b) a frequenze superiori a 31 GHz;
2. commutazione di corrente per circuiti numerici che
impiegano porte superconduttrici con prodotto del ritardo per porta (espresso in secondi) per la po- tenza dissipata per porta (espressa in W) inferiore a 10-14 J o
3. selezione di frequenza a tutte le frequenze con cir-
cuiti risonanti aventi fattori Q superiori a 10 000;
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(W) e) dispositivi ad alta energia, come segue: A.4 esente
1. batterie e generatori fotovoltaici (photovoltaic ar- T:5000
rays) come segue: Nota: Il 3A001e1 non sottopone ad autorizzazione le batterie il cui volume è uguale o inferiore a 27 cm3 (ad es. batterie standard C o R14). a) elementi di batterie e batterie primarie aventi «densità di energia» superiore a 480 Wh/kg e previsti per funzionare in una gamma di tempe- rature da quelle inferiori a 243 K (- -30°C) fino a quelle superiori a 343 K (70°C); b) elementi di batterie ricaricabili e batterie ricari- cabili aventi «densità di energia» superiore a una corrente di scarica uguale a C/5 ore (C rap- presenta la capacità nominale in ampere ora) quando fatti funzionare in una gamma di tempe- rature da quelle inferiori a 253 K (–20°C) fino a quelle superiori a 333 K (60°C); Nota tecnica: La «densità di energia» è ottenuta moltiplicando la potenza media espressa in watt (uguale al prodotto della tensione media espressa in volt per la corrente media espressa in ampere) per la durata della scarica, espressa in ore, al 75% della tensione a circuito aperto e dividendo il prodotto ottenuto per la massa totale dell’elemento (o della batteria) espressa in kg. c) mosaici di generatori fotovoltaici qualificati per impiego spaziale (space qualified) e resistenti alle radiazioni aventi potenza specifica superiore a 160 W/m2 ad una temperatura di funziona- mento di 301 K (28°C) sotto un flusso luminoso di 1 kW/m2 proveniente da un filamento di tungsteno portato a 2800 K (2527°C); (W,N) 2. condensatori con elevata capacità di immagazzinare A.4 PGO energia, come segue: T:1000 Nota: Confronta anche 3A201a. a) condensatori con cadenza di ripetizione inferiore a 10 Hz (condensatori a scarica in un solo colpo [single shot capacitors]) aventi tutte le caratteri- stiche seguenti:
1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV;
2. densità di energia uguale o superiore a 250
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3. energia totale uguale o superiore a 25 kJ;
b) condensatori con cadenza di ripetizione uguale o superiore a 10 Hz (a scariche successive [repetition rated capacitors]) aventi tutte le ca- ratteristiche seguenti:
1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV;
2. densità di energia uguale o superiore a 50
3. energia totale uguale o superiore a 100 J e
4. durata di vita uguale o superiore a 10000 cicli
carica/scarica; (W,N) 3. elettromagneti o solenoidi superconduttori appo- A.4 PGO sitamente progettati per un tempo di carica o di T:1000 scarica completo inferiore ad un secondo, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: Il 3A001e3 non sottopone ad autorizzazione gli elettro- magneti o solenoidi superconduttori appositamente pro- gettati per le apparecchiature mediche ad immagine a ri- sonanza magnetica (Magnetic Resonance Imaging). Nota complementare: Confronta anche 3A201b. a) energia fornita durante la scarica superiore a 10 kJ nel primo secondo; b) diametro interno degli avvolgimenti percorsi da corrente superiore a 250 mm e c) previsti per una induzione magnetica superiore a
8 T o per una densità di corrente globale
(overall current density) nell’avvolgimento su- periore a 300 A/mm2; (W) f) codificatori di posizione assoluta ad asse primario di A.4 esente tipo rotante, aventi una qualsiasi delle caratteristiche T:5000 seguenti:
1. risoluzione migliore di 1 su 265i000 (risoluzione
di 18 bit) a fondo scala o
2. precisione migliore di ± 2,5 secondi d’arco.
3A002 Apparecchiature elettroniche di uso generale, come A.4 esente (W) segue: T:5000 a) apparecchiature di registrazione, come segue, e loro nastri di collaudo appositamente progettati:
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1. registratori analogici per strumentazione a nastro
magnetico, compresi quelli che consentono la regi- strazione di segnali numerici (ad es. mediante l’impiego di un modulo di registrazione ad alta densità («high density digital recording» HDDR)), aventi una qualsiasi delle caratteristiche seguenti: a) banda passante superiore a 4 MHz per canale elettronico o pista; b) banda passante superiore a 2 MHz per canale elettronico o pista ed aventi più di 42 piste o c) errore (di base) di spostamento del tempo (time displacement error), misurato in conformità ai documenti IRIG o EIA pertinenti, inferiore a ± 0,1 µs; Nota: I registratori analogici a nastro magnetico appositamente progettati per usi di video-registrazione civili non sono considerati registratori per strumentazione a nastro se- condo il numero 3A002a1.
2. registratori numerici video a nastro magnetico con
velocità di trasferimento numerico massimo di in- terfaccia superiore a 360 mio bit/s; Nota: Il 3A002a2 non sottopone ad autorizzazione i registratori numerici video a nastro magnetico appositamente pro- gettati per la registrazione televisiva che utilizzano un formato di segnale che può includere un formato di se- gnale compresso, conforme alle norme e alle raccoman- dazioni dell’UIT, del CEI, della SMPTE, dell’UER o dell’IEEE relative alle applicazioni di televisione civile.
3. registratori numerici di dati per strumentazione a
nastro magnetico che utilizzano tecniche di scan- sione elicoidale o tecniche con testine fisse, aventi una delle due caratteristiche seguenti: a) velocità di trasferimento numerico massima di interfaccia superiore a 175 mio bit/s o b) qualificati per impiego spaziale; Nota: Il 3A002a3 non sottopone ad autorizzazione i registratori analogici a nastro magnetico equipaggiati con elettronica di conversione HDDR e configurati per registrare solo dati numerici.
4. apparecchiature con velocità di trasferimento nu-
merico massimo di interfaccia superiore a 175 mio bit/s, progettate per trasformare i registratori nume- rici video a nastro magnetico in registratori nume- rici di dati per strumentazione;
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5. digitalizzatori di forme d’onda (waveform digiti-
sers) e registratori di transitori, aventi le due ca- ratteristiche seguenti: a) velocità di digitalizzazione uguale o superiore a
200 milioni di campioni al secondo e risoluzio-
ne di 10 bit o più e b) flusso continuo di 2 Gbit/s o più. Nota tecnica: Per gli strumenti aventi una architettura a bus parallelo, il flusso continuo è la velocità di parola più elevata (word rate) moltiplicata per il numero di bit in una parola. Il flusso continuo è il flusso più veloce dei dati (data rate) che lo strumento può immagazzinare nella memoria di massa senza alcuna perdita di informazione mentre assi- cura la velocità di campionamento e la conversione ana- logico-digitale. b) assiemi elettronici sintetizzatori di frequenza aventi A.4 esente tempo di commutazione della frequenza, da una fre- T:5000 quenza selezionata ad un’altra, inferiore a 1 ms; c) analizzatori di segnali, come segue: A.4 esente
1. in grado di analizzare frequenze superiori a 31 T:5000
GHz;
2. analizzatori dinamici di segnale con banda pas-
sante in tempo reale superiore a 25,6 kHz; Nota: Il 3A002c2 non sottopone ad autorizzazione gli analizzatori dinamici di segnali che utilizzano solo filtri di banda passante (conosciuti anche come filtri di ottava o filtri di frazioni di ot- tava). d) generatori di segnali a sintetizzazione di frequenza in A.4 esente grado di produrre frequenze di uscita la cui stabilità a T:5000 breve e a lungo termine e precisione sono controllate, derivate o regolate dalla frequenza campione interna ed aventi una qualsiasi delle caratteristiche seguenti:
1. frequenza massima sintetizzata superiore a 31
GHz;
2. tempo di commutazione della frequenza, da una
frequenza selezionata ad un’altra, inferiore a 1 ms o
3. rumore di fase in banda laterale unica (SSB), mi-
gliore di –(126 + 20 log10F-20 log10f), espresso in dBc/Hz, dove F rappresenta lo spostamento espresso in HZ rispetto alla frequenza di funzio- namento e f la frequenza di funzionamento espres- sa in MHz;
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Nota: Il 3A002d non sottopone ad autorizzazione le apparec- chiature nelle quali la frequenza di uscita è prodotta dalla addizione o dalla sottrazione di due o più frequenze otte- nute da oscillatori a quarzo, o dalla addizione o dalla sottrazione seguita da una moltiplicazione del risultato. e) analizzatori di rete con frequenza massima di funzio- A.4 esente namento superiore a 40 GHz; T:5000 f) ricevitori di collaudo a microonde aventi le due ca- A.4 esente ratteristiche seguenti: T:5000
1. frequenza di funzionamento massima superiore a
40 GHz e
2. in grado di misurare simultaneamente l’ampiezza e
la fase; g) campioni di frequenza atomici aventi una delle due A.4 PGO caratteristiche seguenti: T:5000
1. stabilità a lungo termine (invecchiamento) inferio-
re a (migliore di) 1×10-11/mese o
2. qualificati per impiego spaziale.
Nota: Il 3A002g1 non sottopone ad autorizzazione i campioni di frequenza al rubidio non qualificati per impiego spaziale.
3A101 Apparecchiature, componenti e dispositivi elettronici, diversi da quelli specificati in 3A001, come segue: (M) a) convertitori analogico-numerici, utilizzabili in missi- A.4 PGO li, progettati per rispondere alle specifiche militari per T:1000 apparecchiature rinforzate (ruggedized); (M) b) acceleratori in grado di fornire radiazione elettroma- A.4 PGO gnetica, prodotta per radiazione di frenamento T:1000 («Bremsstrahlung») di elettroni accelerati, uguale o superiore a 2 MeV, e sistemi contenenti tali accele- ratori. Nota: Il 3A101b non specifica le apparecchiature appositamente progettate per usi medicali.
3A201 Apparecchiature elettroniche, diverse da quelle spe- cificate in 3A001, come segue: (N) a) condensatori aventi una delle serie di caratteristiche A.4 PGO seguenti: T:1000
1. a) tensione nominale superiore a 1,4 kV,
b) capacità superiore a 10 J
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c) capacità superiore a 0,5 µF e d) induttanza serie inferiore a 50 nH o
2. a) tensione nominale superiore a 750 V;
b) capacità superiore a 0,25 µF; c) induttanza serie inferiore a 10 nH (N) b) elettromagneti a bobina superconduttrice aventi tutte A.4 PGO le caratteristiche seguenti: T:1000
1. in grado di produrre campi magnetici superiori a 2
T (20 kGauss);
2. rapporto lunghezza-diametro interno maggiore di
2;
3. diametro interno superiore a 300 mm e
4. uniformità del campo magnetico migliore dell’1%
entro il 50% della parte centrale del volume inter- no; Nota: Il 3A201b non specifica i magneti appositamente progettati ed esportati come parte dei sistemi di immagine della riso- nanza magnetica nucleare per applicazioni mediche (nuclear magnetic resonance imaging systems). Il termine «come parte dei» non significa necessariamente parte fisica nella stessa spedizione. Sono consentite spedizioni separate da diverse provenienze a condizione che i relativi documenti di esportazione dichiarino in maniera esplicita l’appartenenza a sistemi di immagine medicali. (N) c) generatori di raggi X con scarica a lampo o accelera- A.4 PGO tori di elettroni ad impulsi aventi una delle serie di T:1000 caratteristiche seguenti:
1. a. aventi una energia di picco dell’acceleratore di
elettroni uguale o superiore a 500 keV ma inferiore a 25 MeV e b. «cifra di merito» (K) uguale o superiore a 0,25,
2. a. aventi una energia di picco dell’acceleratore di
elettroni uguale o superiore a 25 MeV e b. una potenza di picco superiore a 50 MW . Nota: Il 3A201c non sottopone ad autorizzazione gli acceleratori che sono parti componenti di dispositivi progettati per scopi diversi dal fascio elettronico o dalla radiazione a raggi X (ad es. microscopi elettronici), e quelli progettati per impieghi medicali. Note tecniche:
1. Secondo il 3A201c, la «cifra di merito» K è definita
come segue:
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V = l’energia di picco dell’elettrone espressa in mi- lioni di eV Se la durata dell’impulso del fascio acceleratore è inferiore o uguale a 1µs Q è la carica totale accelerata espressa in coulomb. Se la durata dell’impulso del fascio acceleratore è superiore a 1 µs, Q è la carica accelerata massima in 1 µs Q.= integrale di i rispetto a t scegliendo per t il valo- re più piccolo tra 1 µs e la durata dell’impulso del fascio (Q = idt) in cui i è la corrente del fa- scio espressa in ampère e t è il tempo espresso in secondi).
2. «potenza di picco» = potenziale di picco espresso in
Volt x corrente di picco del fascio espressa in ampère.
3. Secondo il 3A201c nelle macchine basate su cavità di
accelerazione a microonde (microwave accelerating cavities) la durata dell’impulso del fascio è il valore più piccolo tra 1 µs e la durata del pacchetto di un fa- scio a pacchetti risultante da un impulso di un modu- latore a microonde.
4. Nelle macchine basate su cavità di accelerazione a
microonde la corrente di picco del fascio è la corrente media nella durata di tempo di un pacchetto di un fa- scio a pacchetti.
3A225 Variatori di frequenza o generatori aventi tutte le A.4 PGO (N) caratteristiche seguenti: T:1000 a) uscita polifase in grado di erogare una potenza uguale o superiore a 40 W; b) in grado di funzionare in una gamma di frequenze comprese tra 600 Hz e 2000 Hz; c) distorsione armonica totale migliore (inferiore) del 10% e d) controllo di frequenza migliore (inferiore) dello 0,1%. Nota tecnica: I variatori di frequenza in 3A225 sono sconosciuti anche come convertitori o invertitori.
3A226 Alimentatori in corrente continua di elevata potenza A.4 PGO (N) aventi tutte le caratteristiche seguenti: T:1000 a) in grado di erogare costantemente per un periodo di 8 ore, una tensione uguale o superiore a 100 V con cor- rente di uscita uguale o superiore a 500 A e b) regolazione della tensione o della corrente migliore dello 0,1% per un periodo di 8 ore.
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3A227 Alimentatori ad alta tensione in corrente continua A.4 PGO (N) aventi tutte le caratteristiche seguenti: T:1000 a) in grado di erogare costantemente, per un periodo di
8 ore, una tensione uguale o superiore a 20 kV con
corrente di uscita uguale o superiore a 1 A e b) regolazione della corrente o della tensione migliore dello 0,1% per un periodo di 8 ore. 3A228 Dispositivi di commutazione, come segue: A.4 PGO (N) a) tubi a catodo freddo riempiti o meno di gas, con fun- T:1000 zionamento simile a quello di uno spinterometro ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. contenenti tre o più elettrodi;
2. tensione anodica nominale massima di 2,5 kV o
più;
3. corrente anodica nominale di picco uguale o supe-
riore a 100 A e
4. tempo di ritardo anodico uguale o inferiore a 10
µs; Nota: Il 3a228 comprende i tubi a gas tipo Krytron e i tubi a vuoto tipo Spryton. b) scintillatori pilotati ad impulso aventi tutte le caratte- ristiche seguenti:
1. tempo di ritardo anodico uguale o inferiore a 15 µs
e
2. corrente nominale di picco uguale o inferiore a 500
A; c) moduli o assiemi con funzioni di commutazione rapi- da aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. tensione anodica nominale massima superiore a 2
kV;
2. corrente anodica nominale di picco uguale o supe-
riore a 500 A e
3. tempo di accensione uguale o inferiore a 1 µs.
3A229 Apparecchi di innesco e generatori equivalenti di im- A.4 PGO (N) pulso ad elevata corrente come segue: T:1000 Nota: Confronta anche allegato 3, numero ML 3. a) apparecchi di innesco per detonatori ad esplosioni progettati per azionare detonatori multipli sottoposti ad autorizzazione specificati in 3A232;
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b) generatori modulari di impulso elettrico (pulsers) aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. progettati per uso portatile, mobile o corazzato;
2. racchiusi in un contenitore a tenuta di polvere;
3. in grado di trasferire la loro energia in un tempo
inferiore a 15 µs;
4. corrente di uscita superiore a 100 A;
5. «tempo di salita» inferiore a 10 µs su un carico mi-
nore di 40 ohm
6. dimensioni non superiori a 25,4 cm;
7. peso inferiore a 25 kg e
8. specificati per funzionare in una gamma estesa di
temperatura da 223 K [–50°C] a 373 K [100°C] o specificati come idonei per applicazioni aerospa- ziali. Nota: Il 3A229b comprende le unità di comando delle lampade con lampo allo xenon. Nota tecnica: Il «tempo di salita» è definito com l’intervallo di tempo per passare dal 10% al 90% del valore d’ampiezza della cor- rente su un carico resistivo;
3A230 Generatori di impulsi ad alta velocità aventi tutte le A.4 PGO (N) caratteristiche seguenti: T:1000 a) tensioni di uscita superiori a 6 V su un carico resisti- vo inferiore a 55 ohm e b) «tempo di transizione dell’impulso» inferiore a 500 ps. Nota tecnica: In 3A230, il «tempo di transizione dell’impulso» è definito come l’intervallo di tempo per passare da un valore di tensione del 10% a quello del 90%.
3A231 Sistemi generatori di neutroni, compresi i tubi, aventi A.4 PGO (N) tutte le caratteristiche seguenti: T:1000 a) progettati per funzionare senza sistema esterno a vuoto e b) utilizzanti accelerazione elettrostatica per provocare una reazione nucleare trizio-deuterio. 3A232 Detonatori e sistemi di accensione multipunto, come A.4 PGO (N) segue: T:1000 Nota: Confronta anche allegato 3, numero ML 3.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
a) detonatori esplosivi azionati elettricamente come se- gue:
1. a ponte esplodente (EB);
2. a filo esplodente (EBW);
3. trasmettitore d’impulso (slapper);
4. a lamina esplodente (EFI);
b) congegni che utilizzano detonatori singoli o multipli progettati per innescare quasi simultaneamente una superficie esplosiva superiore ai 5000 mm2 con un unico segnale di accensione con un tempo di innesco, in tutta la superficie, inferiore a 2,5 µs. Nota: Il 3A232 non specifica i detonatori che usano solamente esplo- sivi primari come l’azoturo di piombo. Nota tecnica: I detonatori contemplati in 3A232 utilizzano tutti un piccolo conduttore elettrico (ponte, filo o lamina) che reagisce esplo- dendo quando viene attraversato da un impulso elettrico rapido ad alto voltaggio. Nei tipi non a slapper, il conduttore esplosi- vo innesca una detonazione chimica in un materiale altamente esplosivo al contatto come il PETN (pentrite). Nei detonatori a slapper la reazione esplosiva di un conduttore elettrico spinge una lamina mobile (flyer) o uno slapper attraverso un varco e l’impatto dello slapper su di un esplosivo innesca la detonazio- ne chimica. Lo slapper in alcune realizzazioni è azionato dalla forza magnetica. Il termine detonatore a lamina esplodente può riferirsi sia ad un detonatore EB che di tipo a slapper. Anche il termine innesco è usato a volte al posto della parola detonatore.
3A233 Spettrometri di massa in grado di misurare ioni di A.4 PGO (N) unità di massa atomica uguale o superiore a 230 amu T:1000 (atomic mass units) ed aventi una risoluzione miglio- re di 2 parti su 230 amu, come segue, e loro sorgenti di ioni: a) spettrometri di massa a plasma ad accoppiamento in- duttivo (ICP/MS); b) spettrometri di massa con scarica a bagliore (GDMS); c) spettrometri di massa a ionizzazione termica (TIMS); d) spettrometri di massa a bombardamento di elettroni aventi una camera sorgente realizzata, placcata o ri- vestita con materiali resistenti all’UF6; e) spettrometri di massa a fascio molecolare aventi una delle caratteristiche seguenti:
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
1. dotati di una camera sorgente costruita, placcata o
rivestita con acciaio inossidabile o molibdeno ed aventi una trappola a freddo in grado di raffreddare ad una temperatura uguale o inferiore a 193 K (- 80°C) o
2. dotati di una camera sorgente costruita, placcata o
rivestita con materiali resistenti all’UF6; f) spettrometri di massa equipaggiati con una sorgente ionica di microfluorurazione progettati per essere utilizzati con attinidi o fluoruri di attinidi.
3B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 3B001 Apparecchiature per la fabbricazione di dispositivi o A.4 esente (W) di materiali semiconduttori, come segue, e loro com- T:5000 ponenti ed accessori appositamente progettati: a) apparecchiature per la crescita epitassiale con con- trollo a programma registrato come segue:
1. apparecchiature in grado di realizzare l’uniformità
di spessore dello strato entro ±2,5% su una distan- za di 75 mm o più;
2. reattori di deposito in fase di vapore di elementi
chimici organo-metallici (MOCVD [Metal Organic Chemical Vapour Deposition]) appositamente pro- gettati per la crescita di cristalli semiconduttori composti mediante reazione chimica tra materiali
3. apparecchiature di crescita epitassiale a fascio
molecolare che utilizzano sorgenti gassose o soli- de; b) apparecchiature con controllo a programma regi- A.4 PGO strato progettate per l’impiantazione ionica, aventi T:5000 una delle caratteristiche seguenti:
1. energia del fascio (tensione di accelerazione)
superiore a 1 MeV;
2. appositamente progettate ed ottimizzate per
funzionare come un’energia del fascio (tensione di accelerazione) inferiore a 2 keV;
3. capacità di scrittura diretta o
4. in grado di impiantare ad alta energia ossige-
no in un substrato di materiale semicondutto- re riscaldato;
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c) apparecchiature di incisione con metodi a secco ani- A.4 esente sotropi a plasma con controllo a programma regi- T:5000 strato, come segue:
1. apparecchiature con funzionamento da cassetta a
cassetta e a camera di trasferimento ed aventi una delle caratteristiche seguenti: a) confinamento magnetico (magnetic confine- ment) o b) risonanza elettrociclotrone (ECR);
2. apparecchiature appositamente progettate per le ap-
parecchiature specificate in 3B001e ed aventi una delle caratteristiche seguenti: a) confinamento magnetico (magnetic confinement) o b) ECR; d) apparecchiature per la deposizione in fase di vapore di A.4 esente elementi chimici (CVD) potenziato a plasma con con- T:5000 trollo a programma registrato, come segue:
1. apparecchiature con funzionamento da cassetta a
cassetta e a camera di trasferimento ed aventi una delle caratteristiche seguenti: a) confinamento magnetico (magnetic confinement) o b) ECR;
2. apparecchiature appositamente progettate per le ap-
parecchiature specificate in 3B001.e ed aventi una delle caratteristiche seguenti: a) confinamento magnetico (magnetic confinement) o b) ECR; e) sistemi centrali a camere multiple di manipolazione di A.4 esente placchette a caricamento automatico con controllo a T:5000 programma registrato aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. interfacce per l’ingresso e l’uscita delle placchette,
cui devono essere collegate più di due apparec- chiature di trattamento di semiconduttori e
2. progettati in modo da formare un sistema integrato
per il trattamento sequenziale multiplo delle fette in un ambiente sotto vuoto; Nota: Il 3B001e non sottopone ad autorizzazione i sistemi robotiz- zati automatici di manipolazione delle fette non progettati per funzionare in ambiente sotto vuoto.
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f) apparecchiature di litografia con controllo a program- A.4 esente ma registrato come segue: T:5000
1. apparecchiature di allineamento e di esposizione a
ripetizione in sequenza [(sequenza continua sulla fetta)/(step-and-repeat)] o di scansione in sequenza [(scanner)/(step-and-scan)] per il trattamento delle fette che utilizzano metodi fotoottici o a raggi X, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) lunghezza d’onda della sorgente luminosa infe- riore a 350 nm o b) in grado di produrre un tracciato in cui la «dimensione dell’elemento di risoluzione mini- mo« (ERM) è uguale o inferiore a 0,5 µs; Nota tecnica: la «dimensione dell’elemento di risoluzione minimo» è calcolata con la formula seguente: Lambda × (fattore K) apertura numerica dove il fattore K = 0,7. ERM = dimensione dell’elemento di risoluzione minimo. Lambda = lunghezza d’onda della sorgente luminosa di esposizione in µs
2. apparecchiature appositamente progettate per la
produzione di maschere o per il trattamento di di- spositivi semiconduttori, utilizzanti un fascio elet- tronico focalizzato deflesso, ionico o laser, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) dimensione del punto del fascio inferiore a 0,2 µs; b) in grado di produrre un tracciato con dimensio- ne del tratto inferiore a 1 µs o c) precisione di sovrapposizione (overlay accura- cy) migliore di ± 0,20 µs (3 sigma); g) maschere e reticoli progettati per i circuiti integrati A.4 esente specificati in 3A001; T:5000 h) maschere multistrato con uno strato a spostamento di A.4 esente fase. T:5000 3B002 Apparecchiature di collaudo con controllo a pro- A.4 esente (W) gramma registrato appositamente progettate per col- T:5000 laudare dispositivi semiconduttori finiti o non finiti, come segue, e loro componenti e accessori apposita- mente progettati:
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a) per il collaudo dei parametri S dei transistor a fre- quenze superiori a 31 Ghz; b) per il collaudo di circuiti integrati in grado di esegui- re collaudi funzionali con le tavole della verità (truth tables) ad una cadenza di segnale superiore a 60 MHz. Nota: Il 3B002b non sottopone ad autorizzazione le apparecchia- ture di collaudo appositamente progettate per il collaudo di:
1. assiemi elettronici o categorie di assiemi elettronici per
applicazioni domestiche o per lo svago;
2. componenti elettronici, assiemi elettronici o circuiti in-
tegrati non sottoposti ad autorizzazione. c) per il collaudo di circuiti integrati a microonde a fre- quenze superiori a 3 GHz; Nota: Il 3B002c non sottopone ad autorizzazione le apparecchia- ture di collaudo appositamente progettate per il collaudo di circuiti integrati a microonde destinati ad apparecchiature progettate o previste per funzionare nelle bande allocate dall’UIT a frequenze non superiori a 31 GHz. d) sistemi a fascio elettronico progettati per funzionare a valori inferiori o uguali a 3 keV, o sistemi a fascio la- ser per il controllo senza contatto di dispositivi semi- conduttori sotto tensione, aventi tutte le caratteristi- che seguenti:
1. capacità stroboscopica con spegnimento del fascio
(beam-blanking) o scansione stroboscopica del ri- velatore (detector strobing) e
2. uno spettrometro elettronico per la misura della
tensione con risoluzione inferiore a 0,5 V. Nota: Il 3B002d non sottopone ad autorizzazione i microscopi elettronici a scansione salvo quando questi siano apposita- mente progettati ed equipaggiati per il controllo senza con- tatto di dispositivi semiconduttori sotto tensione.
3C Materiali 3C001 Materiali etero-epitassiali consistenti in un substrato A.4 esente (W) con strati multipli sovrapposti ottenuti per crescita T:5000 epitassiale di uno dei seguenti elementi: a) silicio, b) germanio o c) composti III/V di gallio o di indio.
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Nota tecnica: I composti III/V sono prodotti policristallini o monocristallini binari o complessi costituiti di elementi dei gruppi IIIA e VA della tavola di classificazione periodica di Mendeleyev (p. es. arseniuro di gallio, arseniuro di gallio- alluminio, fosfuro di in- dio, ecc.).
3C002 Resine fotosensibili (resist) come segue, e substrati ri- A.4 esente (W) vestiti di resine fotosensibili sottoposte ad autorizza- T:5000 zione: a) resine fotosensibili (resist) positive progettate per lito- grafia di semiconduttori appositamente adattate (ottimizzate) per l’impiego con lunghezze d’onda infe- riori a 350 nm; b) tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l’effetto di fasci elettronici o ionici, aventi sensibilità di 0,01 µCb/mm2 o migliore; c) tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l’effetto di raggi X, aventi sensibilità di 2,5 mJ/mm2 o migliore; d) tutte le resine fotosensibili (resist) ottimizzate per tec- nologie di formazione di immagini di superficie, com- prese le resine fotosensibili a sililazione (silylated re- sists). Nota tecnica: Le tecniche di «sililazione» sono processi che comportano l’ossidazione della superficie della resina fotosensibile per mi- gliorare le prestazioni di sviluppo sia umido che a secco.
3C003 Composti organici-inorganici come segue: A.4 esente (W) a) composti metallo-organici di alluminio, gallio o indio T:5000 aventi una purezza (purezza del metallo) superiore al 99,999%; b) composti organici di arsenico, antimonio e fosforo aventi una purezza (purezza dell’elemento inorganico) superiore al 99,999%. Nota: Il 3C003 sottopone ad autorizzazione solo i composti il cui ele- mento metallico, parzialmente metallico o non metallico è diret- tamente legato al carbonio nella parte organica della molecola.
3C004 Idruri di fosforo, di arsenico o di antimonio, aventi A.4 esente (W) una purezza superiore al 99,999%, anche se diluiti in T:5000 gas inerti o idrogeno.
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Nota: Il 3C004 non sottopone ad autorizzazione gli idruri contenenti il 20% molare o più di gas inerti o di idrogeno.
3D Software 3D001 Software appositamente progettato per lo sviluppo o A.4 PGO (W) la produzione di apparecchiature specificate in T:nessuna 3D002 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 esente (W) di apparecchiature con controllo a programma regi- T:nessuna strato specificate in 3B. 3D003 Software di progettazione assistita da calcolatore A.4 esente (W) (CAD) per dispositivi semiconduttori o circuiti inte- T:nessuna grati, avente una delle caratteristiche seguenti: a) regole di progettazione o regole di verifica dei circui- ti; b) simulazione dei circuiti fisicamente schematizzati o c) simulatori di trattamento litografico per la progetta- zione. Nota tecnica: Il simulatore di trattamento litografico è un pacchetto di soft- ware usato nella fase di progettazione per definire la sequenza degli stadi di litografia, di attacco e di deposizione per tra- sformare dei tracciati di maschere in specifici tracciati topo- grafici nei materiali conduttori, dielettrici o semiconduttori. Nota: Il 3D003 non sottopone ad autorizzazione il software apposi- tamente progettato per la generazione dello schema, per la si- mulazione logica, il posizionamento e la sbrogliatura, la verifi- ca dello schema o il nastro per la generazione dello schema. Nota complementare: Sono considerati tecnologie le biblioteche, le caratteristiche di progettazione o i dati associati per la progettazione di disposi- tivi semiconduttori o di circuiti integrati.
3D101 Software appositamente progettato per l’utilizza- A.4 PGO (M) zione di apparecchiature specificate in 3A101b. T:nessuna
3E Tecnologia 3E001 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia, per lo sviluppo o la produzione di appa- T:nessuna (N) recchiature o materiali specificati in 3A, 3B o 3C.
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Nota: Il 3E001 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per lo sviluppo o la produzione di: a) transistor a microonde funzionanti a frequenze inferiori a 31 GHz; b) circuiti integrati specificati in 3A001a3 fino a 3A001a12, aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. impiego di una tecnologia uguale o superiore a 0,7 µm e
2. senza incorporazione di «strutture multistrato».
Nota complementare: Il termine «strutture multistrato» di cui al punto b2 della Nota del 3E001 non comprende dispositivi che incorporano un mas- simo di due strati metallici e due strati di silicio policristallino.
3E002 Altre tecnologie per lo sviluppo o la produzione di: A.4 PGO (W) a) dispositivi microelettronici sotto vuoto; T:nessuna b) dispositivi semiconduttori a struttura eterogenea quali i transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT high electron mobility transistors), i transistori etero bipolari (HBT hetero-bipolar transistors), i dispositivi a pozzo quantico (quantum well devices) o a super reticolo (super lattice devices); c) dispositivi elettronici superconduttori; d) substrati di film di diamante per componenti elettro- nici; e) substrati di silicio su isolante (SOI) per circuiti inte- grati in cui l’isolante è il biossido di silicio; f) substrati di carburo di silicio per componenti elettro- nici. 3E101 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia, per l’utilizzazione di apparecchiature o di T:nessuna 3E102 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia, per lo sviluppo di software specificato in T:nessuna 3E201 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (N) tecnologia, per l’utilizzazione di apparecchiature spe- T:nessuna
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4 Calcolatori
Notedella categoria 4:
1. I calcolatori, le apparecchiature collegate e il software che
assicurano funzioni di telecomunicazioni o di reti locali de- vono essere valutati anche a fronte delle caratteristiche di pre- stazione della categoria 5 (parte 1 – Telecomunicazioni). Note complementari:
1. Le unità di controllo che assicurano una interconnessione
diretta dei “bus” o dei canali di unità centrale di tratta- mento, di memoria centrale o di unità di controllo di di- schi non sono considerate come apparecchiature di tele- comunicazione descritte nella categoria 5 (parte 1 – Telecomunicazioni).
2. Per le condizioni di esportabilità del software apposita-
mente progettato per la commutazione di pacchetto, con- fronta la categoria 5D001 (Telecomunicazioni).
2. I calcolatori, le apparecchiature collegate e il software che
assicurano funzioni crittografiche, crittoanalitiche, sicurezza certificabile a più livelli o di isolamento certificabile dell’utilizzatore, o che limitano la compatibilità elettroma- gnetica (EMC), devono essere valutati anche a fronte delle ca- ratteristiche di prestazione definite nella categoria 5 (parte 2 – Sicurezza dell’informazione).
4A Sistemi, apparecchiature e componenti 4A001 Calcolatori elettronici ed apparecchiature collegate, come segue, e loro assiemi elettronici e loro componenti appositamente progettati: Nota: Confronta anche 4A101. (W,M) a) appositamente progettati per presentare una delle ca- A.4 PGO ratteristiche seguenti: T:5000
1. previsti per funzionare ad una temperatura ambiente
inferiore a 228 K (-45°C) o superiore a 358 K (85°C). Nota: Il 4A001a1 non si applica ai calcolatori appositamente progettati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili.
2. capacità di resistere a livelli di radiazione (radiation-
hardened) superiori ad uno dei valori seguenti: a) dose totale 5×103 Gy (Si) b) tasso della dose 5×106 Gy (Si)/s o c) variazione dell’evento singolo 1×10-7 erro- re/bit/giorno
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(W) b) aventi caratteristiche o in grado di svolgere funzioni A.4 PGO superiori ai limiti definiti nella categoria 5 (parte 2 – T:5000 Sicurezza dell’informazione). Nota: Il 4A001b non sottopone ad autorizzazione i calcolatori elettronici e le apparecchiature collegate al seguito dell’utilizzatore e destinati ad uso personale
4A002 Calcolatori ibridi, come segue, assiemi elettronici e lo- A.4 esente (W) ro componenti appositamente progettati: T:5000 Nota: Confronta anche 4A102. a) contenenti calcolatori numerici specificati in 4A003; b) contenenti convertitori analogico/numerici aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. 32 canali o più e
2. risoluzione di 14 bit (più il bit di segno) o più con
velocità di conversione di 200i000 conversioni/s o più. 4A003 Calcolatori numerici, assiemi elettronici e loro appa- (W) recchiature collegate, come segue, e loro componenti appositamente progettati: Note:
1. Il 4A003 comprende quanto segue:
a) processori vettoriali, b) processori matriciali, c) processori numerici di segnale, d) processori logici, e) apparecchiature per il miglioramento dell’immagine, f) apparecchiature per il trattamento del segnale.
2. La condizione di esportabilità dei calcolatori numerici o appa-
recchiature collegate descritti in 4A003 è determinata dalle condizioni di esportabilità di altre apparecchiature o sistemi a condizione che: a) i calcolatori numerici o apparecchiature collegate siano essenziali al funzionamento delle altre apparecchiature o sistemi; b) i calcolatori numerici o apparecchiature collegate non siano un elemento principale delle altre apparecchiature o sistemi e Note complementari:
1. La condizione di esportabilità di apparecchiature per il
trattamento del segnale o il miglioramento dell’imma- gine appositamente progettate per altre apparecchiature, ed aventi funzioni limitate a quelle necessarie al funzio- namento di queste ultime apparecchiature, è determi- nata dalla condizione di esportabilità di queste ultime apparecchiature anche se le apparecchiature eccedono il criterio di elemento principale.
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2. La condizione di esportabilità di calcolatori numerici
o apparecchiature collegate per le apparecchiature di telecomunicazione è regolata dalla categoria 5 (parte 1 – Telecomunicazioni). c) la tecnologia relativa ai calcolatori numerici e apparec- chiature collegate sia determinata dal 4E. a) progettati o modificati per la tolleranza ai guasti; A.4 esente T:5000 Nota: Ai fini del 4A003a, i calcolatori numerici e le apparec- chiature collegate non sono considerati progettati o modifi- cati per la tolleranza ai guasti se usano uno dei seguenti elementi:
1. algoritmi di rivelazione o di correzione di errori nella
memoria centrale;
2. l’interconnessione di due calcolatori numerici, in modo
che se l’unità centrale di trattamento in attività va in ava- ria, l’altra unità centrale di trattamento inattiva ma spe- culare permette al sistema di continuare a funzionare;
3. l’interconnessione di due unità centrali di trattamento
tramite canali di dati o tramite l’impiego di una memoria ripartita, in modo da consentire ad una unità centrale di trattamento di effettuare altri compiti fino a quando la seconda unità centrale non vada in avaria; in quel mo- mento la prima unità centrale di trattamento subentra all’altra consentendo al sistema di continuare a funziona- re o
4. la sincronizzazione di due unità centrali di trattamento
per mezzo di software, in modo che una unità centrale di trattamento sappia quando l’altra unità centrale è in ava- ria e ne assuma i compiti. b) calcolatori numerici aventi una prestazione teorica A.4 PGO composita (PTC) superiore a 2000 milioni di opera- T:1000 zioni teoriche al secondo (Mopt/s); c) assiemi elettronici appositamente progettati o modifi- A.4 PGO cati per essere in grado di migliorare la prestazione T:1000 mediante aggregazione di elementi di calcolo (EC) in modo che la PTC dell’aggregazione superi i limiti di Note:
1. Il 4A003c si applica solo agli assiemi elettronici e inter-
connessioni programmabili che non superano i limiti previsti in 4A003b, quando spediti come assiemi elettro- nici non integrati. Ciò non si applica agli assiemi elettro- nici intrinsecamente limitati per la natura della loro pro- gettazione, per essere impiegati come apparecchiature
2. Il 4A003c non sottopone ad autorizzazione gli assiemi
elettronici appositamente progettati per un prodotto o una famiglia di prodotti la cui configurazione massima non supera i limiti specificati in 4A003b.
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d) acceleratori grafici o coprocessori grafici aventi un A.4 esente tasso vettoriale tridimensionale superiore a T:5000 e) apparecchiature che effettuano conversioni analogi- A.4 esente co-numeriche che superano i limiti specificati in T:5000 f) soppresso; A.4 esente T:5000 g) apparecchiature appositamente progettate per effet- A.4 esente tuare l’interconnessione esterna di calcolatori nume- T:5000 rici o apparecchiature associate in grado di consentire comunicazioni con una velocità trasmissione dati su- periore a 80 Mbyte/s. Nota: Il 4A003g non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di interconnessione interne (cioè pannelli posteriori, bus) o ap- parecchiature di interconnessione passiva.
4A004 Calcolatori, come segue e loro apparecchiature colle- A.4 esente (W) gate, assiemi elettronici e componenti appositamente T:5000 progettati: a) calcolatori a reti sistoliche, b) calcolatori neurali, c) calcolatori ottici. 4A101 Calcolatori analogici, calcolatori numerici o analizza- A.4 PGO (M) tori differenziali numerici, diversi da quelli specifica- T:5000 ti in 4A001a1, di tipo rinforzato (ruggedized) e pro- gettati o modificati per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104. 4A102 Calcolatori ibridi appositamente progettati per mo- A.4 PGO (M) dellare, simulare o effettuare l’integrazione di pro- T:5000 getti di veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o dei razzi sonda specificati in 9A104. Nota: L’autorizzazione per l’esportazione delle apparecchiature spe- cificate in 4A102 deve essere richiesta solo se tali apparec- chiature sono fornite con il software specificato in 7D103 o
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4B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Nessuno
4C Materiali Nessuno
4D Software Nota: La condizione di esportabilità del software per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparecchiature descritte in al- tre categorie è trattata dalla categoria pertinente. La condizione di esportabilità del software per le apparecchiature descritte nella categoria 4 è trattata dalla presente categoria.
4D001 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W) lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparec- T:nessuna chiature o software specificati in 4A001 fino a 4A004 4D002 Software appositamente progettato o modificato a A.4 esente (W) supporto della tecnologia specificata in 4E. T:nessuna 4D003 Software specifico come segue: A.4 esente (W) a) software di sistema operativo, strumenti di sviluppo T:nessuna software e compilatori appositamente progettati per apparecchiature di trattamento di flussi multipli di dati, in codice sorgente; b) sistemi esperti o software per motori inferenziali (interference engines) di sistemi esperti che fornisco- no entrambi:
1. le regole in funzione del tempo e
2. le primitive (primitives) per il trattamento delle ca-
ratteristiche temporali delle regole e dei fatti; c) software avente caratteristiche o in grado di realizza- re funzioni che superano i limiti della categoria 5 (parte 2 – Sicurezza dell’informazione); Nota: Il 4D003c non sottopone ad autorizzazione il software al se- guito dell’utilizzatore e destinato ad uso personale. d) sistemi operativi appositamente progettati per apparec- chiature di trattamento in tempo reale che garantisco- no un tempo di attesa globale di interruzione (global interrupt latencytime) inferiore a 20 µs.
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4E Tecnologia 4E001 Tecnologia in conformità alla Nota generale della tec- A.4 PGO (W, M) nologia per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione T:nessuna di apparecchiature o software specificati in 4A o in 4D.
Nota tecnica relativa alla prestazione teorica composita (PTC) Abbreviazioni: EC elemento di calcolo (generalmente unità logica aritmetica) m virgola mobile f virgola fissa t tempo di esecuzione (in microsecondi) ORX OR esclusivo UCT Unità centrale di trattamento PT Prestazione teorica (di un EC) (in Mopt/s) PTC Prestazione teorica composita (di più EC elementi di calcolo) (in Mopt/s, milioni di operazioni teoriche al secondo) V Velocità effettiva di calcolo LP Lunghezza di parola (in bit) L Adattamento della lunghezza di parola * Segno di moltiplicazione La PTC è una misura della capacità di calcolo espressa in Mopt/s. Le tre operazioni seguenti sono necessarie per il calcolo della PTCdi una aggregazione di elementi di calcolo (EC):
1. Calcolare la velocità effettiva di calcolo (V) per ciascun EC.
2. Applicare l’adattamento della lunghezza di parola (L) alla velocità effettiva
di calcolo (V) per ottenere una prestazione teorica (PT) per ogni EC.
3. Se esiste più di un elemento di calcolo (EC) combinare le PT risultanti in
una PTC per l’aggregazione. Note tecniche: 1. Per le aggregazioni di più EC che hanno sottosistemi con o senza ripartizione di me- moria, il calcolo della PTC sarà effettuato in modo gerarchico in due tempi: a) dapprima effettuare l’aggregazione dei gruppi di EC che si ripartiscono la memo- ria e poi b) calcolare la PTC dei gruppi che utilizzano il metodo di calcolo applicabile agli EC multipli che non ripartiscono la loro memoria. 2. Gli EC che sono limitati alle funzioni entrata/uscita o alle funzioni periferiche (ad es. le unità di controllo delle unità a disco, delle comunicazioni e delle unità video) non sono aggregate per il calcolo della PTC.
Operazione 1: Calcolo della velocità effettiva di calcolo V per ciascun elemento di calcolo (EC).
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Nota complementare: Ciascun EC deve essere valutato indipendentemente.
Per elementi di calcolo che realizzano: Velocità effettiva di calcolo V
Solo operazioni in virgola fissa Vf = –––––––––––
3 * (tf add.)
in assenza di addizioni usare: tf molt. in assenza di addizioni o moltiplicazioni usa- re l’operazione aritmetica più rapida dispo- nibile come segue:
3 * tf
Confronta le note X e Z
Solo operazioni in virgola mobile 1 1 tm add. tm add. Confronta le note X e Y
Operazioni in virgola fissa Calcolare entrambe e virgola mobile Vf, Vm
Per i processori logici semplici 1 che non effettuano nessuna V = ––––––––– delle operazioni aritmetiche 3 * tlog specificate tlog è il tempo di esecuzione dell’ORX o per l’entità logica che non effettua l’ORX, l’operazione logica semplice più rapida Confronta le note X e Z Per i processori logici speciali V = V’ * LP/64 che non effettuano nessuna V’ è il numero dei risultati al secondo, LP è delle operazioni logiche il numero dei bit sui quali si effettua o aritmetiche specificate l’operazione logica e 64 è un fattore di nor- malizzazione a 64 bit
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Operazione 2: PT per ogni lunghezza di parola (LP) eseguibile Adattare la velocità effettiva di calcolo V (o V’) in funzione dell’adattamento della lunghezza di parola L come segue: Nota complementare: La lunghezza di parola LP adoperata nei calcoli anzidetti è la lunghezza in bit dell’operando (per operandi di lunghezze differenti, scegliere la maggiore lunghezza di parola). Per il calcolo della PTC, la combinazione di una unità logica aritmetica a mantissa e di una unità logica aritmetica esponente in un processore o unità in virgola mobile è considerata come un EC avente una lunghezza di parola (LP) uguale al numero di bit nella rappresentazione dei dati (generalmente 32 o 64). Tale adattamento non va applicato ai processori logici specializzati che non usano istruzioni ORX. In questo caso PT = V.
Selezionare il valore massimo di PT ottenuto per: ciascun EC soltanto in virgola fissa (Vf) ciascun EC soltanto in virgola mobile (V m) ciascun EC in virgola fissa e mobile combinate (V) ciascun processore logico semplice che non effettui alcuna delle operazioni aritmeti- che specificate e ciascun processore logico speciale che non effettui alcuna delle operazioni logiche o aritmetiche specificate. Operazione 3: PTC per aggregazioni di EC, comprese le UCT a) Per una UCT avente un solo EC: Nota complementare: Per gli EC che eseguono sia operazioni in virgola fissa che in virgola mobile b) La PTC per le aggregazioni di più EC funzionanti simultaneamente viene calcolata come segue: Nota 1: Per le aggregazioni che non permettono il funzionamento simultaneo di tutti gli EC, deve essere utilizzata la combinazione possibile di EC che fornisce il più elevato valo- re di PTC. La PT di ciascun EC implicato deve essere calcolata al suo valore massimo teoricamente possibile prima che la PTC della combinazione venga valutata. Nota complementare: Per determinare le combinazioni possibili di EC che funzionano simultaneamente, generare una sequenza di istruzioni che dà inizio alle operazioni in EC multipli, ini- ziando con l’EC “più lento” (quello che necessità del maggior numero di cicli per completare la sua operazione) e finendo con l’EC “più veloce”. A ciascun ciclo della sequenza, la combinazione di EC che è in funzionamento durante quel ciclo, è una combinazione possibile. La sequenza dell’istruzione deve tener conto di tutti i vincoli hardware e/o architetturali sulle operazioni in sovrapposizione.
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Nota 2: Una singola piastrina di circuito integrato o una carta di circuiti integrati può conte- nere più EC. Nota 3: Si suppone che esistano operazioni simultanee quando il costruttore del calcolatore dichiara in un manuale o in un opuscolo l’esistenza di funzionamento o di esecuzione in modo concorrente, parallelo o simultaneo del calcolatore. Nota 4: I valori di PTC non devono essere aggregati per combinazioni di EC interconnessi mediante reti locali, reti geografiche, connessioni/dispositivi condivisi di ingres- so/uscita, controllori ingresso/uscita e qualsiasi interconnessione di comunicazioni realizzate da software. Nota 5: I valori di PTC devono essere aggregati per più EC appositamente progettati per au- mentare le prestazioni mediante aggregazione, funzionamento simultaneo e condivi- sione di memoria, o combinazioni di EC a memoria multipla, funzionanti simulta- neamente ed utilizzanti hardware appositamente progettato. Questa aggregazione non si applica agli assiemi elettronici descritti in 4A003 c. dove le PT sono ordinate per valore, per cui PT1 è il valore più elevato, PT2 il valore immediatamente inferiore e PTn è il valore più basso di PT. C1 è un coefficiente de- terminato dal peso dell’interconnessione fra gli EC, come segue:
1. Per l’aggregazione di più EC che funzionano simultaneamente e condivido-
no la memoria: Nota: Gli EC condividono la memoria se accedono ad una sezione comune di memoria a semiconduttori. Tale memoria può includere memoria “cache”, memoria centrale o altra memoria interna. I dispositivi di memoria periferica come unità a disco o a na- stro o dischi RAM non sono inclusi.
2. Per più EC o gruppi di EC che non condividono la memoria ed interconnessi
per mezzo di uno o più canali di dati: Ci = 0,75 * ki (i = 2,...,32) (confronta nota sotto indicata) il valore di Ci è basato sul numero degli EC e non sul numero dei nodi, es- sendo: Kr = fattore di normalizzazione di 20 MByte/s Si = somma delle velocità dati massime (espressa in MByte/s) per tutti i ca- nali dati connessi all’iesimo EC o gruppo di EC che condividono la memo- ria. Nel calcolare un Ci per un gruppo di EC il numero del primo EC in un grup- po determina il particolare limite per Ci.
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Ad esempio: in una aggregazione di gruppi consistenti ciascuno di 3 EC, il 22° gruppo conterrà EC64, EC65 ed EC66. Il particolare limite per Ci per questo gruppo è 0,60. L’aggregazione (di EC o gruppi di EC) dovrebbe essere considerata a partire dal più veloce verso il più lento, cioè: PT1≥PT2≥PT3 ≥ PTn, e nel caso di PTi = PTi + 1 dal più grande al più piccolo, cioè: Ci3 Ci + 1 Nota: Il fattore ki non deve essere applicato dal 2° al 12° EC se la PTi dell’EC o gruppo di EC è maggiore di 50 Mopt/s; cioè Ci per gli EC da 2 a 12 è 0,75. Nota W: Per un EC pipeline in grado di eseguire almeno una operazione aritmetica o logica ogni ciclo di orologio dopo il riempimento del pipeline è possibile definire una ve- locità pipeline. La velocità di calcolo effettiva (V) per tale EC è la più rapida tra velocità pipeline o velocità di esecuzione non pipeline. Nota X: Per un EC che esegue operazioni aritmetiche multiple di tipo specifico in un ciclo singolo (ad es. due addizioni per ciclo o due operazioni logiche identiche per ciclo), il tempo di esecuzione t è il seguente: durata del ciclo n. di operazioni identiche per ciclo macchina Gli EC che eseguono tipi diversi di operazioni aritmetiche o logiche in un solo ciclo macchina dovranno essere trattati come EC separati multipli che funzionano simul- taneamente (ad esempio un EC che esegue una addizione ed una moltiplicazione in un ciclo deve essere trattato come due EC, il primo che esegue una addizione in un ciclo ed il secondo che esegue una moltiplicazione in un ciclo). Se un EC singolo ha sia la funzione scalare che vettoriale, utilizzare il valore del tempo di esecuzione più breve. Nota Y: Se l’EC non esegue alcuna addizione in virgola mobile o moltiplicazione in virgola mobile, ma solo divisioni in virgola mobile: tm div Se l’EC esegue la funzione reciproca in virgola mobile ma non l’addizione in vir- gola mobile, la moltiplicazione in virgola mobile o la divisione in virgola mobile, allora: tm recip Se nessuna delle istruzioni specificate è eseguibile, la velocità effettiva in virgola mobile è uguale a zero.
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Nota Z: Nelle operazioni logiche semplici, un’istruzione singola effettua una manipolazione logica singola di non più di due operandi di una data lunghezza. Nelle operazioni logiche complesse, un’istruzione singola effettua manipolazioni logiche multiple per produrre uno o più risultati a partire da due o più operandi. Le velocità dovranno essere calcolate per tutte le lunghezze di operando eseguibili considerando sia le operazioni pipeline (se presenti), sia le operazioni non pipeline usando l’istruzione di più rapida esecuzione per ciascuna lunghezza di operando basandosi su: 1. Operazioni pipeline o da registro a registro. Escludere i tempi di esecuzione eccezionalmente brevi ottenuti per operazioni su un predeterminato operan- do o più operandi (ad es. moltiplicazione per 0 o per 1). Se non sono ese- guite operazioni da registro a registro, applicare il paragrafo 2.
2. La più rapida delle operazioni, da registro a memoria o da memoria a regi-
stro; se anche queste non esistono, applicare allora il paragrafo 3.
3. Operazioni da memoria a memoria.
In ciascuno dai casi sopra indicati, utilizzare il minor tempo di esecuzione certificato dal costruttore.
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5 Telecomunicazioni e sicurezza
dell’informazione Parte 1 – Telecomunicazioni Note della categoria 5, parte 1:
1. Le condizioni di esportabilità di componenti, laser, appa-
recchiature di collaudo e di produzione e loro materiali e software appositamente progettati per apparecchiature o si- stemi di telecomunicazione sono definite nella presente ca- tegoria.
2. I calcolatori numerici, materiali collegati o software, essen-
ziali al funzionamento e supporto delle apparecchiature di telecomunicazione descritte nella presente categoria, sono considerati componenti appositamente progettati a condi- zione che siano modelli standard normalmente forniti dal fabbricante. Questa disposizione si applica anche ai sistemi di calcolatori destinati al funzionamento, all’amministrazione, alla manutenzione, all’ingegneria o alla fatturazione.
5A1 Sistemi, apparecchiature e componenti 5A001 a) apparecchiature di telecomunicazione di qualsiasi ti- A.4 esente (W) po, aventi una delle caratteristiche, funzioni o ele- T:5000 menti seguenti:
1. appositamente progettate per resistere agli effetti
transitori elettronici o agli effetti di impulsi elet- tromagnetici entrambi conseguenti ad una esplo- sione nucleare;
2. appositamente resistenti alle radiazioni gamma,
neutroniche o ioniche o
3. appositamente progettate per funzionare al di fuori
della gamma di temperature da 218 K (–55°C) a 397 K (124°C); Nota: Il 5A001a3 si applica solo alle apparecchiature elettroni- che. Nota: Il 5A001a2 ed il 5A001a3 non si applicano alle apparec- chiature progettate o modificate per essere utilizzate a bordo di satelliti. b) apparecchiature e sistemi di trasmissione di teleco- municazioni, e loro componenti ed accessori apposi- tamente progettati, aventi una delle caratteristiche, funzioni o elementi seguenti:
1. sistemi di comunicazione subacquei aventi una A.4 esente
delle caratteristiche seguenti: T:5000
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a) frequenza portante acustica situata al di fuori della gamma compresa tra 20 e 60 kHz; b) frequenza portante elettromagnetica inferiore a
30 kHz o
c) impiego di tecniche elettroniche di orientamento del fascio.
2. apparecchiature radio funzionanti nella banda da A.4 esente
1,5 MHz a 87,5 MHz ed aventi una delle caratteri- T:5000 stiche seguenti: a) incorporazione di tecniche adattive che assicu- rano la soppressione di un segnale interferente superiore a 15 dB o b) aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. previsione e selezione automatica delle fre-
quenze e velocità di trasferimento numeriche totali per canale al fine di ottimizzare la tra- smissione e
2. incorporazione di una configurazione di un
amplificatore di potenza lineare avente la ca- pacità di trattare simultaneamente segnali multipli ad una potenza di uscita di 1 kW o più nella gamma di frequenza da 1,5 MHz a
30 MHz o una potenza di 250 Watt o più
nella gamma di frequenza da 30 MHz a 87,5 MHz, su una banda passante istantanea di una ottava o più con un contenuto armonico di uscita e di distorsione migliore di –80 dB;
3. apparecchiature radio basate su tecniche di spettro A.4 PGO
esteso o agilità di frequenza (salti di frequenza), T:5000 ed aventi una delle caratteristiche seguenti: a) codici di estensione programmabili dall’utente o b) banda passante totale di trasmissione di 100 o più volte superiore alla banda passante di uno qualunque dei canali di informazione e superio- re a 50 kHz; Nota: Il 5A001b3b non sottopone ad autorizzazione appa- recchiature radio cellulari funzionanti su bande civili. Nota: Il 5A001b3 non sottopone ad autorizzazione apparec- chiature funzionanti ad una potenza di uscita uguale o in- feriore a 1 Watt.
4. ricevitori radio a controllo numerico aventi tutte le A.4 PGO
caratteristiche seguenti: T:1000 a) più di 1000 canali;
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b) un tempo di commutazione della frequenza infe- riore a 1 ms; c) esplorazione o scansione automatica di una parte dello spettro elettromagnetico e d) identificazione dei segnali ricevuti o del tipo di trasmettitore o Nota: Il 5A001b4 non sottopone ad autorizzazione apparec- chiature radio cellulari funzionanti su bande civili.
5. che utilizzano funzioni di trattamento del segnale A.4 esente
numerico onde assicurare la codifica della voce a T:5000 velocità inferiori a 2400 bit/s. c) cavi di comunicazione a fibre ottiche, fibre ottiche ed A.4 esente accessori, come segue: T:5000
1. fibre ottiche di lunghezza superiore a 500 m e spe-
cificate dal costruttore per sopportare un carico di rottura al collaudo della messa in opera, uguale o Nota tecnica: Collaudo della messa in opera (proof test): collaudo di produzione in linea o fuori linea basato sull’applicazione dinamica di una data sollecitazione a trazione su una fi- bra, di lunghezza da 0,5 a 3 m ad una velocità di sposta- mento da 2 a 5 m/s, al suo passaggio fra rulli di circa 15 cm di diametro. La temperatura ambiente nominale è di
293 K (20°C) e l’umidità relativa nominale del 40%.
Nota complementare: Sono ammesse anche norme nazionali equivalenti per ef- fettuare il collaudo della messa in opera.
2. cavi a fibre ottiche ed accessori progettati per im-
piego subacqueo; Nota: Il 5A001c2 non sottopone ad autorizzazione cavi ed ac- cessori per telecomunicazioni civili standard. Nota complementare:
1. Per i cavi ombelicali e i loro connettori, confronta
2. Per i connettori o i penetratori di scafo a fibre ottiche,
confronta 8A002c. d) antenne ad allineamento di fase a fascio orientabile A.4 esente elettronicamente funzionanti al di sopra di 31 GHz. T:5000 Nota: Il 5A001d non sottopone ad autorizzazione le antenne ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente per sistemi di atterraggio che utilizzano strumenti rispon- denti alle norme dell’ICAO relative ai sistemi di atterraggio a microonde (MLS).
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5A101 Apparecchiature di telemetria e di telecomando uti- A.4 PGO (M) lizzabili per missili. T:1000 Nota: Il 5A101 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature appositamente progettate per essere utilizzate per telecomanda- re modellini di aerei, barche o veicoli, ed aventi una intensità di campo elettrico non superiore a 200 µV/m ad una distanza di 500 metri.
5B1 Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 5B001 a) Apparecchiature, e loro componenti ed accessori ap- A.4 esente (W) positamente progettati, che siano appositamente pro- T:5000 gettate per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparecchiature, funzioni o elementi specificati in Nota: Il 5B001a non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di caratterizzazione delle fibre ottiche che non utilizzano laser a semiconduttori. b) Apparecchiature, e loro componenti o accessori ap- positamente progettati per lo sviluppo di una delle seguenti apparecchiature di trasmissione di teleco- municazioni o di commutazione con controllo a pro- gramma registrato.
1. Apparecchiature utilizzanti tecniche numeriche,
compreso il modo di trasferimento asincrono (MTA), progettate per funzionare ad una velocità di trasferimento numerica totale superiore a 1,5Gbit/s;
2. Apparecchiature utilizzanti un laser ed aventi una
delle caratteristiche seguenti: a) lunghezza d’onda di trasmissione superiore a
1750 nm;
b) in grado di effettuare l’amplificazione ottica; c) basate su tecniche di rilevazione ottica eterodina o omodina oppure d) basate su tecniche analogiche ed aventi banda passante superiore a 2,5 GHz; Nota: Il 5B001b2d non sottopone ad alcuna autorizzazione le apparecchiature appositamente progettate per lo sviluppo di sistemi televisivi commerciali.
3. Apparecchiature utilizzanti la commutazione ottica.
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4. Apparecchiature radio aventi una delle caratteristi-
che seguenti: a) tecniche di modulazione di ampiezza in qua- dratura (QAM) oltre il livello 128 o b) funzionanti a frequenze di ingresso o di uscita superiori a 31 GHz o Nota: Il 5B001b4 non sottopone ad autorizzazione le apparec- chiature progettate e modificate per funzionare in qual- siasi banda assegnata dall’UIT.
5. Apparecchiature utilizzanti segnalazione a canale
comune funzionanti in modo operativo non asso- ciato o quasi associato.
5C1 Materiali Nessuno
5D1 Software 5D001 a) Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W) lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di appa- T:nessuna recchiature, funzioni o elementi specificati in 5A001 b) software appositamente progettato o modificato a A.4 PGO supporto della tecnologia specificata in 5E001; T:nessuna c) software specifico come segue: A.4 esente
1. software appositamente progettato o modificato T:nessuna
per fornire caratteristiche, funzioni o elementi di
2. software che consente di recuperare il codice sor-
gente (source code) del software di telecomunica- zione specificato in 5D001
3. Software, specialmente sviluppato per indirizza-
mento dinamico (dynamic adaptive routing), tranne per il codice di macchina eseguibile. d. Software specialmente sviluppato o modificato per l’elaborazione di uno dei seguenti impianti di trasmis- sione per le telecomunicazioni o impianti di comunica- zione a memoria programmabile:
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1. Impiego di tecniche digitali, compreso il proce-
dimento Asynchronous Transfer Mode (ATM), sviluppato per un densità complessiva di trasmis- sione digitale superiore a ,5 Gbit/s,
2. Impiego di laser con le seguenti caratteristiche:
a. lunghezza d’onda di trasmissione superiore a
1750 nm, oppure
b. larghezza di banda superiore a 2,5 GHz in caso di impiego di tecniche analogiche, Nota: Il sottonumero 5D001d2b non comprende software sviluppato o modificato specialmente per l’elaborazione di sistemi commerciali di TV.
3. Comunicazione ottica, oppure,
4. Trasmettitori radio con una delle seguenti caratte-
ristiche: a. Modulazione di amplitudine quadrata (QAM) superiore al livello 128, oppure b. Frequenza di entrata o di uscita superiore a 31 GHz. Nota: Il sottonumero 5D001d4b non comprende software sviluppato o modificato specialmente per l’elaborazione di apparecchi sviluppati o modificati per essere messi in esercizio delle bande di frequenza stabilite dall’UIT.
5E1 Tecnologia 5E001 a) Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W) tecnologia, per lo sviluppo, la produzione o T:nessuna l’utilizzazione (escluso il funzionamento) di apparec- chiature, funzioni, elementi o software specificati in b) tecnologie specifiche, come segue:
1. tecnologia necessaria per lo sviluppo o la produ- A.4 esente
zione di apparecchiature di telecomunicazione ap- T:nessuna positamente progettate per essere utilizzate a bordo di satelliti;
2. tecnologia per lo sviluppo o l’utilizzazione di tec-
niche di comunicazione laser che permettono l’acquisizione e l’inseguimento automatico di se- gnali ed il mantenimento di comunicazioni attra- verso mezzi al di fuori dell’atmosfera o subacquei;
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3. tecnologia per lo sviluppo di sistemi radio cellulari
numerici;
4. tecnologia per lo sviluppo di tecniche di spettro
esteso o agilità di frequenza (salti di frequenza). c) tecnologia in conformità alla Nota generale della tec- nologia per lo sviluppo o la produzione di una delle seguenti apparecchiature di trasmissione di teleco- municazioni o di commutazione con controllo a pro- gramma registrato con una delle funzioni o degli elementi seguenti:
1. apparecchiature utilizzanti tecniche numeriche,
compreso il modo di trasferimento asincrono (MTA), progettate per funzionare ad una velocità di trasferimento numerica totale superiore a 1,5 Gbit/s;
2. apparecchiature utilizzanti un laser ed aventi una
delle caratteristiche seguenti: a) lunghezza d’onda di trasmissione superiore a
1750 nm;
b) in grado di effettuare l’amplificazione ottica utilizzando amplificatori a fibra fluorata drogata al praseodimio (PDFFA); c) basate su tecniche di rivelazione ottica eterodina o omodina; d) basate su tecniche di multiplazione mediante ri- partizione in lunghezza d’onda superiore a 8 vettori ottici per singola finestra ottica o e) basate su tecniche analogiche ed aventi banda passante superiore a 2,5 GHz; Nota: Il 5E001c2e non sottopone ad autorizzazione la tecnolo- gia per lo sviluppo o la produzione di sistemi televisivi commerciali.
3. apparecchi utilizzanti la commutazione ottica;
4. apparecchiature radio aventi una delle caratteristi-
che seguenti: a) tecniche di modulazione di ampiezza in qua- dratura (QAM) oltre il livello 128 o b) funzionanti a frequenze di ingresso o di uscita superiori a 31 GHz o Nota: Il 5E001c4b non sottopone ad autorizzazione la tecnolo- gia per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature progettate o modificate per funzionare in qualsiasi banda assegnata dall’UIT.
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5. Apparecchiature utilizzanti segnalazione a canale
comune funzionanti in modo operativo non asso- ciato o quasi associato. 5E101 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia per lo sviluppo, la produzione o T:nessuna l’utilizzazione di apparecchiature specificate in
Parte 2 –Sicurezza dell’informazione Note
1. La condizione di esportabilità di apparecchiature, software,
sistemi, assiemi elettronici per applicazioni specifiche, mo- duli, circuiti integrati, componenti o funzioni di sicurezza dell’informazione è definita nella categoria 5, parte 2 anche se si tratta di componenti o di assiemi elettronici di altre apparecchiature.
2. La presente categoria non sottopone ad autorizzazione i
prodotti al seguito dell’utilizzatore per suo uso personale.
3. Nota di crittografia:
Il 5A002 e il 5D002 non sottopongono ad autorizzazione i beni che soddisfano tutte le condizioni seguenti: a) siano generalmente disponibili al pubblico in quanto venduti direttamente, senza restrizioni, nei punti di ven- dita al dettaglio, in uno dei seguenti modi:
1. al banco,
2. per corrispondenza,
3. per transizione elettronica o
4. su ordinazione telefonica;
b) la funzionalità crittografica non possa essere modificata facilmente dall’utilizzatore; c) siano progettati per essere installati dall’utilizzatore sen- za ulteriore significativa assistenza da parte del fornitore; d) non contengano un algoritmo simmetrico utilizzante una lunghezza di chiave superiore a 64 bi e e) ove necessario, informazioni dettagliate relative ai beni siano accessibili e vengano fornite, su richiesta, alle au- torità competenti degli Stati membri in cui è stabilito l’esportatore, al fine di verificare il rispetto delle condi- zioni di cui alle precedenti lettera da a) a d). Nota tecnica: Nella presente categoria, i bit di parità non sono inclusi nella lunghezza di chiave.
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5A2 Sistemi, apparecchiature e componenti 5A002 a) Sistemi, apparecchiature, assiemi elettronici di spe- A.4 PGO (W) cifica applicazione, moduli e circuiti integrati che as- T:5000 sicurano la sicurezza dell’informazione, come segue, e loro altri componenti appositamente progettati: Nota: Per le apparecchiature di ricezione di sistemi globali di na- vigazione via satellite che contengono o utilizzano funzioni di decrittazione (ad es. GPS o GLONASS), confronta il
1. progettati o modificati per utilizzare la crittografia con
l’impiego di tecniche numeriche che effettuano ogni fun- zione crittografica eccetto l’autenticazione o la firma di- gitale aventi una delle caratteristiche seguenti: Note tecniche:
1. le funzioni di autenticazione e di firma digitale com-
prendono la relativa funzione di gestione delle chiavi associate.
2. L’autenticazione comprende tutti gli aspetti del con-
trollo di accesso che non prevedono la cifratura di ar- chivi o testi, salvo che questi non siano collegati alla protezione delle parole d’ordine, dei numeri di identi- ficazione personali (PIN) o di dati similari al fine di prevenire l’accesso non autorizzato.
3. La crittografia non comprende tecniche di compres-
sione o di codifica di dati fissi. Nota: Il 5A002a1 comprende le apparecchiature progettate o mo- dificate per utilizzare la crittografia secondo principi analo- gici laddove questi ultimi vengano attuati con tecniche nu- meriche. a. un algoritmo simmetrico utilizzante una lunghezza di chiave superiore a 56 bit o b. un algoritmo asimmetrico in cui la sicurezza dell’algoritmo sia basata su uno degli elementi seguenti:
1. fattorizzazione degli interi superiori a 2512 (per es.
RSA);
2. calcolo dei logaritmi discreti in un gruppo moltiplica-
tivo di un campo finito di dimensioni superiori a 2 512 (per es. Diffie-Hellman su Z/pz) o
3. logaritmi discreti in un gruppo diverso da quelli men-
zionati nel 5A002a1b2, superiore a 2112 (per es. Dif- fie-Hellman su una curva ellittica);
2. progettati o modificati per effettuare le funzioni crittoa-
nalitiche;
3. soppresso;
4. appositamente progettati o modificati per ridurre le ema-
nazioni compromettenti di segnali portatori di informa- zioni al di là di quanto richiesto dalle norme in materia di salute, di sicurezza o di interferenza elettromagnetica;
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5. progettati o modificati per utilizzare tecniche crittografi-
che per generare il codice di estensione per spettro esteso o il codice per il salto di frequenza per i sistemi di agilità di frequenza;
6. progettati o modificati per assicurare una sicurezza a più
livelli o un isolamento dell’utente certificati o certifica- bili ad un livello superiore alla classe B2 della norma TCSEC (Trusted Computer System Evaluation Criteria) o norma equivalente;
7. sistemi di cavi di telecomunicazioni progettati o modifi-
cati per rivelare intrusioni surrettizie con impiego di mezzi meccanici, elettrici o elettronici. Nota: Il 5A002 non sottopone ad autorizzazione: a) carte personalizzate a microprocessore la cui capa- cità crittografica possa essere usata solo in apparec- chiature o sistemi non sottoposti ad autorizzazione nei punti da b) a f) della presente nota Nota: se una carta personalizzata a microprocessore svolge funzioni molteplici, le condizioni di esportabilità di ciascuna funzione sono valutate separatamente; b) apparecchiature di ricezione della radiodiffusione, della televisione a pagamento o di analoga televisione di tipo consumistico riservata ad un numero limitato di spettatori, senza cifratura numerica eccetto quella usata esclusivamente per rinviare le fatture o le infor- mazioni relative ai programmi ai fornitori di servizi radiotelevisi; c) apparecchiature la cui capacità crittografica non è ac- cessibile all’utente ed è appositamente progettata e li- mitata per consentire una delle operazioni seguenti:
1. esecuzione di software protetto da copiatura;
2. accesso ad uno degli elementi seguenti:
a. supporti a sola lettura protetti da copiatura (read-only media), o b. informazioni memorizzate in modo cifrato su supporti (per es. in relazione alla protezione dei diritti di proprietà intellettuale) qualora questi ultimi siano messi in vendita al pubblico in pez- zi identici o
3. copia unica di dati audio/video protetti dai diritti
d’autore; d) apparecchiature crittografiche appositamente proget- tate e limitate per uso bancario o per transazioni mo- netarie; Nota tecnica: Transazioni monetarie di cui al 5A002a nota d) com- prende anche la raccolta e la liquidazione di tariffe o funzioni creditizie. e) radiotelefoni portatili o mobili destinati all’impiego civile (ad es. all’impiego con i sistemi di radiocomu- nicazioni cellulari commerciali civili), che non ese- guono funzioni di cifratura da punto a punto
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f) apparecchiature telefoniche senza filo che non ese- guono funzioni di cifratura da punto a punto qualora la portata reale massima del funzionamento senza filo non amplificato (vale a dire, un salto unico non ritra- smesso tra il terminale e la stazione di base) sia infe- riore a 400m conformemente alle prescrizioni del fab- bricante.
5B2 Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 5B002 a) Apparecchiature appositamente progettate per: A.4 PGO (W) 1. lo sviluppo di apparecchiature o di funzioni speci- T:5000 se le apparecchiature di misura o di collaudo;
2. la produzione di apparecchiature o di funzioni spe-
prese le apparecchiature di misura, di collaudo, di riparazione o di produzione; b) apparecchiature di misura appositamente progettate per la valutazione e la validazione delle funzioni di sicurezza dell’informazione specificate in 5A002 o
5C2 Materiali Nessuno
5D2 Software 5D002 a) Software appositamente progettato o modificato per lo A.4 PGO (W) sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparec- T:nessuna chiature o di software specificati in 5A002, 5B002 o b) software appositamente progettato o modificato a sup- porto della tecnologia specificata in 5E002; c) software specifico come segue:
1. software avente le caratteristiche o in grado di
eseguire o simulare le funzioni delle apparec-
2. software destinato a certificare il software spe-
cificato in 5D002c1.
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Nota: Il 5D002 non sottopone ad autorizzazione: a) il software necessario per l’utilizzazione di apparecchiature non sottoposte ad autorizzazione nella nota del 5A002; b) il software che fornisce una qualsiasi delle funzioni delle ap- parecchiature non sottoposte ad autorizzazione nella nota del
5E2 Tecnologia 5E002 Tecnologia in conformità alla Nota generale della tec- A.4 PGO (W) nologia per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione T:nessuna di apparecchiature o di software specificati in 5A002,
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6 Sensori e laser
6A Sistemi, apparecchiature e componenti 6A001 Apparecchiature acustiche: (W) a) sistemi o apparecchiature acustiche navali e loro componenti appositamente progettati, come segue:
1. sistemi attivi (trasmettitori o trasmettitori e ricevi-
tori), apparecchiature attive e loro componenti ap- positamente progettati, come segue: Nota: Il 6A001a1 non sottopone ad autorizzazione: a) ecoscandagli che funzionano sulla verticale al di sotto dell’apparato, che non possiedono la funzione di scan- sione di più di ± 20° e limitati alla misura della pro- fondità dell’acqua, della distanza di oggetti immersi o interrati o alla rivelazione di banchi di pesci; b) illuminatori acustici, come segue:
1. illuminatori acustici di emergenza;
2. trasmettitori di impulsi sottomarini appositamente
progettati per ritrovare una posizione subacquea o per ritornarvi; a) sistemi di idrografia batimetrica ad ampio corri- A.4 esente doio per la realizzazione di carte topografiche T:5000 del fondo marino aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. progettati per effettuare misure secondo un
angolo maggiore di 20° dalla verticale;
2. progettati per misurare profondità maggiori di
600 m al di sotto della superficie dell’acqua e
3. progettati per:
a) incorporare fasci multipli ognuno dei quali è minore di 1,9° o b) assicurare precisioni dei dati migliori dello A.4 esente 0,3% della profondità dell’acqua attraverso T:5000 il corridoio, come media delle misure indi- viduali effettuate all’interno del corridoio; b) sistemi di rivelazione o di localizzazione di og- A.4 PGO getti, aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000
1. frequenza di trasmissione inferiore a 10 kHz;
2. pressione sonora superiore a 224 dB (riferita
ad 1 µPa ad 1 m) per le apparecchiature con frequenza di funzionamento nella banda tra
10 kHz e 24 kHz inclusa;
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3. pressione sonora superiore a 235 dB (riferita
ad 1 µPa ad 1 m) per la apparecchiature con frequenza di funzionamento nella banda tra
24 kHz e 30 kHz;
4. formazione di fasci di meno di 1° su qualsiasi
asse e funzionamento su frequenze inferiori a
100 kHz;
5. progettati per funzionare con una portata non
ambigua di visualizzazione superiore a 5120 mo
6. progettati per sopportare, in funzionamento
normale, pressioni di profondità superiori a
1000 m, ed aventi trasduttori con una delle
caratteristiche seguenti: a) compensazione dinamica della pressione o b) dotati di elemento trasduttore diverso dal tita- nato-zirconato di piombo. c) proiettori acustici, compresi i trasduttori basati A.4 esente su elementi piezoelettrici, magneto-strittivi, T:5000 elettrostrittivi, elettrodinamici o idraulici che funzionano individualmente o secondo una de- terminata combinazione, aventi una qualsiasi delle caratteristiche seguenti: Note:
1. La condizione di esportabilità dei proiettori acustici
compresi i trasduttori, appositamente progettati per altre apparecchiature, è determinata dalle condizio- ni stabilite per quelle altre apparecchiature.
2. Il 6A001a1c non sottopone ad autorizzazione le
sorgenti elettroniche con direzione del suono esclu- sivamente verticale, o le sorgenti di rumore mecca- niche (ad es. cannoni pneumatici o cannoni a vapo- re) o chimiche (ad es. esplosivi).
1. «densità di potenza acustica» istantanea irra-
diata superiore a 0,001 mW/mm2 /Hz per i dispositivi che funzionano su fre- quenze inferiori a 10 kHz;
2. densità di potenza acustica continua irradiata
superiore a 0,001 mW/ mm2/Hz per i disposi- tivi che funzionano su frequenze inferiori a
10 kHz;
Nota tecnica: La densità di potenza acustica si ottiene dividendo la potenza acustica di uscita per il prodotto dell’area della superficie irradiante e della frequen- za di funzionamento.
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3. progettati per sopportare, in funzionamento
normale, pressioni di profondità superiori a
1000 m o
4. dotati di soppressione di lobi laterali superio-
re a 22 dB; d) sistemi ed apparecchiature acustici e loro com- A.4 esente ponenti appositamente progettati per determina- T:5000 re la posizione di navi di superficie o di veicoli subacquei aventi una delle caratteristiche se- guenti: Nota: Il 6A001a1d comprende: a) apparecchiature che impiegano il trattamento del segnale coerente tra due o più illuminatori e l’unità idrofonica trasportata dalla nave di superficie o dal veicolo subacqueo; b) apparecchiature in grado di effettuare automatica- mente una correzione degli errori di propagazione della velocità del suono per il calcolo di un punto.
1. progettati per funzionare ad una portata supe-
riore a 1000 m, con precisione di posiziona- mento minore di 10 m valore efficace misu- rata ad una portata di 1000 m o
2. progettati per sopportare pressioni di profon-
dità superiori a 1000 m;
2. sistemi passivi (ricevitori, collegati o meno, in fun- A.4 PGO
zionamento normale, ad una apparecchiatura attiva T:1000 separata), apparecchiature passive e loro compo- nenti appositamente progettati, come segue: a) idrofoni (trasduttori) aventi una delle caratteri- stiche seguenti:
1. che incorporano sensori flessibili continui o
assiemi di elementi di sensori discreti con diametro o lunghezza inferiore a 20 mm e se- parazione tra gli elementi inferiore a 20 mm;
2. aventi uno qualsiasi degli elementi sensibili
seguenti: a) fibre ottiche, b) polimeri piezoelettrici o c) materiali ceramici piezoelettrici flessibili;
3. «sensibilità degli idrofoni» migliore di –180
dB a qualsiasi profondità senza compensazio- ne dell’accelerazione;
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4. «sensibilità degli idrofoni» migliore di –186
dB con compensazione dell’accelerazione quando progettati per funzionare a profondità non superiori a 35 m;
5. «sensibilità degli idrofoni» migliore di –192
dB con compensazione dell’accelerazione quando progettati per funzionare normal- mente a profondità superiori a 35 m;
6. “sensibilità degli idrofoni” migliore di –204
dB quando progettati per funzionare normal- mente a profondità superiori a 100 m; o
7. progettati per funzionare a profondità supe-
riori a 1000 m; Nota tecnica: La «sensibilità di un idrofono» è definita come quella pari a 20 volte il logaritmo in base 10 del rapporto della tensione efficace di uscita riferita ad 1 V, quan- do il sensore dell’idrofono senza preamplificatore è situato in un campo acustico ad onde piane con una pressione efficace pari a 1 µPa. Per esempio, un idro- fono con sensibilità di –160 dB (riferiti ad 1 V per µPa) fornirà una tensione di uscita di 10-8 V in tale campo, mentre un idrofono con sensibilità di –180 dB produrrà una tensione di uscita di 10-9 V. Pertanto, una sensibilità di –160 dB è migliore di una sensibi- lità di –180 dB. b) cortine di idrofoni acustici rimorchiati aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. spaziatura fra gruppi di idrofoni inferiore a
12,5 m;
2. spaziatura fra gruppi di idrofoni uguale o su-
periore a 12,5 m ma inferiore a 25 m e pro- gettati o in «grado di essere modificati» per funzionare a profondità superiori a 35 m; Nota tecnica: Il termine “in grado di essere modificati” di cui al 6A001a2b2 significa che esistono mezzi per modifica- re il cablaggio o le interconnessioni al fine di modifi- care la spaziatura di un gruppo di idrofoni o i limiti di profondità di funzionamento. Questi mezzi sono: cavi di ricambio in quantità superiore al 10% del numero dei cavi, blocchi di variazione della spaziatura di gruppi di idrofoni o dei dispositivi interni di limita- zione della profondità regolabili o in grado di con- trollare più di un gruppo di idrofoni.
3. spaziatura fra gruppi di idrofoni di 25 m o più
e progettati per funzionare a profondità supe- riori a 100 m;
4. sensori di testa specificati in 6A001a2d;
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5. cavi delle cortine rinforzati longitudinalmen-
te;
6. diametro della cortina assemblata inferiore a
40 mm;
7. segnali di gruppi di idrofoni multiplati
(multiplexed) progettati per funzionare a profondità superiori a 35 m o dotati di dispo- sitivo di rilevamento di profondità regolabile o rimovibile per poter funzionare a profondità superiori a 35 m o
8. caratteristiche degli idrofoni specificate in
c) apparecchiature di trattamento appositamente progettate per le cortine di idrofoni acustici ri- morchiati, aventi programmabilità accessibile all’utente e trattamento e correlazione nell’ambito del tempo o della frequenza, com- presi l’analisi spettrale, il filtraggio numerico e la formazione del fascio tramite la trasformata veloce di Fourier o altre trasformate o processi; d) sensori di direzione aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. una precisione migliore di ± 0,5 e
2. una delle caratteristiche seguenti:
a) progettati per essere incorporati nei cavi delle cortine rimorchiate ed in grado di funzionare a profondità superiori a 35 m o aventi un dispositivo di rivelazione della profondità che può essere regolabile o ri- mosso per funzionare a profondità superio- ri a 35 m o b) progettati per essere montati all’esterno dei cavi contenenti le cortine di idrofoni ed aventi un sensore in grado di funzionare con una rotazione di 360° a profondità su- periori a 35 m; e) sistemi di cavi di profondità e di baia (bottom or bay cable systems) aventi una qualsiasi delle ca- ratteristiche seguenti:
1. che incorporano gli idrofoni specificati in
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2. che incorporano gruppi di idrofoni per se-
gnali multiplati (multiplexed) progettati per funzionare a profondità superiori a 35 m o dotati di dispositivo di rilevamento della profondità regolabile o rimovibile per poter funzionare a profondità superiori a 35 m; f. apparecchiature di trattamento appositamente progettate per sistemi di cavi di profondità o di baia aventi programmabilità accessibile all’utente e trattamento e correlazione nell’ambito del tempo o della frequenza, com- presi l’analisi spettrale, il filtraggio numerico e la formazione del fascio tramite la trasformata veloce di Fourier o altre trasformate o processi; b) apparecchiature di registrazione sonar con correla- A.4 esente zione della velocità, progettate per la determinazione T:5000 della velocità orizzontale della piattaforma conte- nente l’apparecchiatura rispetto al fondo marino, a distanze superiori a 500 m tra la piattaforma ed il fondo. 6A002 Sensori ottici A.4 PGO (W) Nota: T:1000 Confronta anche 6A102. a) rivelatori ottici, come segue: Nota: Il 6A002a non sottopone ad autorizzazione i fotodispositivi al germanio o al silicio.
1. rivelatori a semiconduttori qualificati per impiego
spaziale, come segue: a) rivelatori a semiconduttori qualificati per im- piego spaziale, aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. risposta di picco nella gamma di lunghezze
d’onda superiori a 10 nm ma non superiori a
300 nm e
2. risposta minore dello 0,1% della risposta di
picco per lunghezze d’onda superiori a 400 nm; b) rivelatori a semiconduttori qualificati per im- piego spaziale aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
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1. risposta di picco nella gamma di lunghezze
d’onda superiori a 900 nm ma non superiori a
1200 nm e
2. costante di tempo di risposta di 95 ns o meno;
c) rivelatori a semiconduttori qualificati per im- piego spaziale aventi una risposta di picco nella gamma di lunghezze d’onda superiori a 1200 nm ma non superiori a 30i000 nm;
2. tubi intensificatori di immagine e loro componenti
appositamente progettati, come segue: a) tubi intensificatori di immagine aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. risposta di picco nella gamma di lunghezze
d’onda superiori a 400 nm ma non superiori a
1050 nm;
2. dotati di una placca a microcanali per
l’amplificazione elettronica dell’immagine, con una spaziatura dei fori (da centro a cen- tro) uguale o inferiore a 15 µm e
3. fotocatodi come segue:
a) fotocatodi S-20, S-25 o multialcalini con sensibilità luminosa (luminous sensitivity) superiore a 240 µA/lm; b) fotocatodi all’arseniuro di gallio (GaAs) o all’arseniuro di gallio-indio (Ga InAs) o c) altri fotocatodi semiconduttori composti appartenenti alle classi III-V; Nota: Il 6A002a2a3c non sottopone ad autorizzazione i fotocatodi semiconduttori composti con sensibilità radiante massima (radiant sensitivity) di 10 mA/W o inferiore. b) componenti appositamente progettati, come se- gue:
1. placche a microcanali aventi una spaziatura
dei fori (da centro a centro) uguale o inferiore a 15 µm;
2. fotocatodi di arseniuro di gallio (GaAs) o ar-
seniuro di gallio-indio (GaInAs);
3. altri fotocatodi semiconduttori composti apparte-
nenti alle classi III-V; Nota: Il 6A002a2b3 non sottopone ad autorizzazione i foto- catodi semiconduttori composti con sensibilità ra- diante massima (radiant sensitivity) di 10 mA/W o in- feriore.
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3. matrici sul piano focale non qualificate per impie-
go spaziale, come segue: Nota tecnica: Gli assiemi di rivelatori ad elementi multipli lineari o a mo- saico sono chiamati matrici sul piano focale. Note:
1. Il 6A002a3 comprende gli assiemi fotoconduttori e gli
assiemi fotovoltaici.
2. il 6A002a3 non sottopone ad autorizzazione le matrici
sul piano focale al silicio o le cellule fotoconduttrici in- capsulate a elementi multipli (non più di 16 elementi) o i rivelatori piroelettrici, che utilizzano uno qualsiasi dei materiali seguenti: a) solfuro di piombo, b) solfato di triglicina e varianti, c) titanato di zirconio-lantanio-piombo e varianti, d) tantalato di litio, e) fluoruro di polivinilidene e varianti, f) niobato di stronzio-bario e varianti o g) seleniuro di piombo; a) matrici sul piano focale non qualificate per im- piego spaziale aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. elementi individuali con risposta di picco
nella gamma di lunghezze d’onda superiori a
900 nm ma non superiori a 1050 nm e
2. costante di tempo di risposta di 0,5 ns;
b) matrici sul piano focale non qualificate per im- piego spaziale aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. elementi individuali con risposta di picco
nella gamma di lunghezze d’onda superiori a
1050 nm ma non superiori a 1200 nm e
2. costante di tempo di risposta di 95 ns o mino-
re; c) matrici sul piano focale non qualificate per im- piego spaziale aventi elementi individuali con risposta di picco nella gamma di lunghezze d’onda superiori a 1200 nm ma non superiori a
30000 nm;
b) sensori di immagini monospettrali e sensori di im- magini multispettrali progettati per applicazioni di telerilevamento, aventi una delle caratteristiche se- guenti:
1. campo di visione istantaneo (IFOV, Instantaneous
Field Of View) inferiore a 200 µrad o
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2. specificati per funzionare nella gamma di lunghez-
ze d’onda superiori a 400 nm ma non superiori a
30000 nm e aventi tutte le caratteristiche seguenti:
a) in grado di fornire una uscita di dati di immagini in formato numerico e b) aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. qualificati per impiego spaziale o
2. progettati per impiego avionico, utilizzanti ri-
velatori diversi dal silicio ed aventi un campo di visione istantaneo inferiore a 2,5 millira- dianti; c) apparecchiature per l’immagine a visione diretta fun- zionanti nello spettro visibile o all’infrarosso e che incorporano uno dei seguenti elementi:
1. tubi intensificatori di immagini specificati in
2. matrici sul piano focale specificate in 6A002a3;
Nota tecnica: Il termine «visione diretta» si riferisce ad una apparec- chiatura di immagine funzionante nello spettro visibile o all’infrarosso, che presenta una immagine visiva ad un osservatore umano senza convertire l’immagine in un se- gnale elettronico per la visualizzazione su uno schermo televisivo, e senza immagazzinare l’immagine con mezzi fotografici, elettronici od altri mezzi. Nota: Il 6A002c non sottopone ad autorizzazione le apparec- chiature seguenti che incorporano fotocatodi diversi dall’arseniuro di gallio (GaAs) o dall’arseniuro di gallio- indio (GaInAs): a) sistemi di rivelazione di intrusioni e di allarme in lo- cali industriali o civili, sistemi di controllo o di con- teggio della circolazione o dei movimenti nell’industria; b) apparecchiature medicali; c) apparecchiature industriali utilizzate per l’ispezione, la cernita o l’analisi delle proprietà dei materiali; d) rivelatori di fiamma per forni industriali; e) apparecchiature appositamente progettate per uso di laboratorio; d) componenti ausiliari speciali per sensori ottici, come segue:
1. raffreddatori criogenici qualificati per impiego
spaziale,
2. raffreddatori criogenici non qualificati per impiego
spaziale aventi una temperatura della sorgente di raffreddamento inferiore a 218 K (–55°C), come segue:
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a) tipo a ciclo chiuso con tempo medio specificato prima del guasto (MTTF, Mean Time To Failu- re), o tempo medio tra due guasti (MTBF, Mean Time Between Failure) superiore a 2500 ore; b) miniraffreddatori Joule-Thomson con autorego- lazione aventi diametro esterno minore di 8 mm;
3. sensori a fibre ottiche appositamente fabbricati per
composizione o struttura, o modificati con rivesti- mento, per essere sensibili agli effetti acustici, ter- mici, inerziali, elettromagnetici o alle radiazioni nucleari; e) matrici sul piano focale qualificate per impiego spa- ziale con oltre 2048 elementi per matrice e aventi una risposta di picco nella gamma di lunghezze d’onda superiori a 300 nm ma non superiori a 900 nm. 6A003 Apparecchi da ripresa A.4 PGO (W,N) Nota: T:1000 Per gli apparecchi da ripresa appositamente progettati o modi- ficati per impiego subacqueo, confronta 8A002d e 8A002e. Nota complementare: Confronta anche 6A203. a) apparecchi da ripresa per strumentazione come segue:
1. apparecchi da ripresa ad elevata velocità che im-
piegano qualsiasi pellicola dal formato 8 mm fino al formato 16 mm compreso, nelle quali la pelli- cola avanza in modo continuo durante tutto il pe- riodo di registrazione, ed in grado di registrare con cadenze superiori a 13i150 fotogrammi al secondo; Nota: Il 6A003a1 non sottopone ad autorizzazione le cineprese destinate ad impieghi civili normali.
2. apparecchi da ripresa meccanici ad alta velocità a
pellicola fissa, in grado di registrare con velocità superiore ad 1 milione di fotogrammi/s sull’intera altezza di quadro del film fotografico standard di
35 mm o con velocità proporzionalmente più ele-
vate su altezze di quadro inferiori o con velocità proporzionalmente più basse su altezze di quadro superiori;
3. apparecchi da ripresa meccanici o elettronici a
scansione con velocità di registrazione superiore a
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4. apparecchi da ripresa elettronici ad immagine inte-
grale aventi velocità superiore a 1 milione di im- magini/s;
5. apparecchi da ripresa elettronici aventi tutte le ca-
ratteristiche seguenti: a) velocità dell’otturatore elettronico (capacità di soppressione del fascio) minore di 1 µs per im- magine completa e b) tempo di lettura che permetta una velocità mag- giore di 125 immagini complete al secondo; b) apparecchi da ripresa per immagini, come segue: Nota: Il 6A003b non sottopone ad autorizzazione le telecamere e le videocamere appositamente progettate per essere utilizzate per la telediffusione.
1. videocamere che contengono sensori a semicon-
duttore, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) più di 4×106 pixel attivi per elemento di superfi- cie sensibile a semiconduttore per le videocame- re monocromatiche (bianco e nero); b) più di 4×106 pixel attivi per elemento di superfi- cie sensibile a semiconduttore per le videocame- re a colori aventi tre elementi di superfici sensi- bile a semiconduttore o c) più di 12×106 pixel attivi per le videocamere a colori a semiconduttore aventi un elemento di superficie sensibile a semiconduttore;
2. apparecchi da ripresa a scansione e sistemi di ap-
parecchi da ripresa a scansione aventi tutte le ca- ratteristiche seguenti: a) insiemi di rivelatori lineari (linear detector ar- rays) con più di 8192 elementi per insieme e b) in grado di effettuare una scansione meccanica in una direzione;
3. apparecchi da ripresa per immagini dotati di inten-
sificatori di immagini specificati in 6A002a2a;
4. apparecchi da ripresa per immagini dotati di matri-
ci sul piano focale specificate in 6A002a3. Nota: Il 6A003b4 non sottopone ad autorizzazione gli apparecchi da ripresa per immagini dotati di «matrici sul piano focale» lineari con non più di dodici elementi, senza integrazione dei segnali rivelati ad istanti successivi, destinati a
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a) sistemi di rivelazioni di intrusioni e di allarme in locali in- dustriali o civili, sistemi di controllo o di conteggio della circolazione e dei movimenti nell’industria; b) apparecchiature industriali utilizzate per l’ispezione o il controllo dei flussi termini in edifici, attrezzature o proces- si industriali; c) apparecchiature industriali utilizzate per l’ispezione, la cernita o l’analisi delle proprietà dei materiali; d) apparecchiature appositamente progettate per uso di labo- ratorio; e) apparecchiature medicali.
6A004 Apparecchiature ottiche A.4 esente (W) a) specchi ottici (riflettori), come segue: T:5000
1. specchi deformabili con superfici continue o ad
elementi multipli, e loro componenti appositamente progettati, in grado di riposizionare in modo dina- mico parti della superficie dello specchio con caden- ze superiori a 100 Hz;
2. specchi monolitici leggeri, con densità equivalente
media minore di 30 kg/m2, e peso totale superiore a
10 kg;
3. strutture leggere di specchi compositi o cellulari con
densità equivalente media inferiore a 30 kg/m2 e pe- so totale superiore a 2 kg;
4. specchi ad orientamento del fascio aventi diametro o
lunghezza dell’asse principale superiore a 100 mm, in grado di mantenere una planarità (flatness) di lambda/2 o migliore (lambda è uguale a 633 nm) ed aventi banda passante di controllo superiore a 100 Hz; b) componenti ottici composti di seleniuro di zinco A.4 esente (ZnSe) o di solfuro di zinco (ZnS) che trasmettono T:5000 nella gamma di lunghezze d’onda superiori a 3000 nm ma non superiori a 25 000 nm, ed aventi una delle ca- ratteristiche seguenti:
1. volume superiore a 100 cm3 o
2. diametro o lunghezza dell’asse principale superiore
a 80 mm e spessore (profondità) superiore a 20 mm; c) componenti qualificati per impiego spaziale per siste- A.4 PGO mi ottici, come segue: T:5000
1. alleggeriti fino a meno del 20% della densità equi-
valente rispetto ad una forma piena avente la stessa apertura e lo stesso spessore;
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2. substrati non trattati, substrati trattati con rivesti-
menti superficiali (a strato singolo o multistrato, metallici o dielettrici, conduttori, seminconduttori o isolanti) o con pellicole di protezione;
3. segmenti o assiemi di specchi progettati per essere
assemblati nello spazio in un sistema ottico con apertura collettrice equivalente o più grande di una ottica singola di diametro di 1 m;
4. fabbricati a partire da materiali compositi aventi un
coefficiente di dilatazione termica lineare uguale o inferiore a 5x10-6 in ogni direzione coordinata; d) apparecchiature ottiche di controllo, come se- A.4 PGO gue: T:5000
1. appositamente progettate per preservare la forma
della superficie (surface figure) o l’orientamento dei componenti qualificati per impiego spaziale
2. aventi bande passanti di orientamento, di insegui-
mento, di stabilizzazione o di allineamento di riso- natori uguali o superiori a 100 Hz ed una precisio- ne di 10 µrad o migliore;
3. sospensioni cardaniche aventi tutte le caratteristi-
che seguenti: a) una oscillazione massima superiore a 5°; b) una banda passante uguale o superiore a 100 Hz; c) errori di puntamento angolari uguali o inferiori a
200 ×rad e
d) aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. lunghezza dell’asse principale o diametro su-
periore a 0,15 m ma non superiore ad 1 m e in grado di effettuare accelerazioni angolari su- periori a 2 rad/s2 o
2. diametro o lunghezza dell’asse maggiore su-
periore ad 1 m e in grado di effettuare accele- razioni angolari superiori a 0,5 rad/s2;
4. appositamente progettati per mantenere
l’allineamento di sistemi di specchi con allinea- menti di fase o segmenti fasati composti di specchi con diametro del segmento o lunghezza dell’asse principale di 1 m o più.
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6A005 Laser, componenti e apparecchiature ottiche, come segue: Note:
1. I laser ad impulsi comprendono quelli che funzionano in
onda continua con impulsi sovrapposti.
2. I laser eccitati ad impulsi comprendono quelli che funzio-
nano in modo di eccitazione continuo con impulsi di eccita- zione sovrapposti.
3. La condizione di esportabilità di laser Raman è determinata
dai parametri delle sorgenti di pompaggio laser. Le sorgenti di pompaggio laser possono essere costituite da uno dei la- ser sotto descritti. Nota complementare: confronta anche 6A205 a) laser a gas, come segue:
1. Laser ad eccimeri, aventi una delle caratteristiche
seguenti: (W) a) lunghezza d’onda di uscita non superiore a 150 A.4 esente nm e aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000
1. energia di uscita superiore a 50 mJ per impul-
so o
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 1 W; (W) b) lunghezza d’onda di uscita superiore a 150 nm A.4 esente ma non superiore a 190 nm e aventi una delle T:5000 caratteristiche seguenti:
1. energia di uscita superiore a 1,5 J per impulso
o
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 120 W; (W,N) c) lunghezza d’onda di uscita superiore a 190 nm A.4 PGO ma non superiore a 360 nm e aventi una delle T:1000 caratteristiche seguenti:
1. energia di uscita superiore a 10 J per impulso
o
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 500 W o (W) d) lunghezza d’onda di uscita superiore a 360 nm e A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000
1. energia di uscita superiore a 1,5 J per impulso
o
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 30 W; Nota: Per i laser ad eccimeri appositamente progettati per apparecchiature di litografia vedere 3B001.
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2. laser a vapore metallico, come segue:
(W,N) a) laser a rame (Cu) con potenza di uscita media o A.4 PGO in onda continua superiore a 20 W; T:1000 (W) b) laser ad oro (Au) con potenza di uscita media o A.4 esente in onda continua superiore a 5 W; T:5000 (W) c) laser al sodio (Na) con potenza di uscita supe- A.4 esente riore a 5 W; T:5000 (W) d) laser al bario (Ba) con potenza di uscita media o A.4 esente in onda continua superiore a 2 W; T:5000 (W) 3. laser ad ossido di carbonio (CO) aventi una delle A.4 esente caratteristiche seguenti: T:5000 a) energia emessa superiore a 2 J per impulso e potenza di picco impulsiva superiore a 5 kW o b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore a 5 Kw; (W) 4. laser ad anidride carbonica (CO 2) aventi una delle A.4 esente caratteristiche seguenti: T:5000 a) potenza di uscita in onda continua superiore a
15 kW;
b) energia impulsiva di uscita per durata dell’impulso superiore a 10 µs e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. potenza di uscita media superiore a 10 kW o
2. potenza di picco impulsiva superiore a 100
kW o c) energia impulsiva di uscita con durata dell’impulso uguale o inferiore a 10 µs e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. energia impulsiva superiore a 5 J per impulso
o
2. potenza di uscita media superiore a 2,5 kW;
(W) 5. laser chimici come segue: A.4 esente a) laser a fluoruro di idrogeno (HF), T:5000 b) laser a fluoruro di deuterio (DF), c) laser a trasferimento, come segue:
1. laser a biossido di iodio (O2l),
2. laser a fluoruro di deuterio – anidride carbo-
(W) 6. laser a krypton ionizzato o ad argon ionizzato A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000 a) energia di uscita superiore a 1,5 J per impulso e potenza di picco impulsiva superiore a 50 W o b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore a 50 W;
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(W) 7. altri laser a gas aventi una delle caratteristiche se- A.4 esente guenti: T:5000 Nota: Il 6A005a7 non sottopone ad autorizzazione i laser ad azoto. a) lunghezza d’onda di uscita non superiore a 150 nm e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. energia di uscita superiore a 50 mJ per impul-
so e potenza di picco impulsiva superiore a 1 Wo
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 1 W; b) lunghezza d’onda di uscita superiore a 150 nm ma non superiore a 800 nm e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. energia di uscita superiore a 1,5 J per impulso
e potenza di picco impulsiva superiore a 30 Wo
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 30 W; c) lunghezza d’onda di uscita superiore a 800 nm ma non superiore a 1400 nm e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. energia di uscita superiore a 0,25 J per impul-
so e potenza di picco impulsiva superiore a
10 W o
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 10 W o d) lunghezza d’onda di uscita superiore a 1400 nm e potenza di uscita media o in onda continua su- periore a 1 W; b) laser a semiconduttore con lunghezza d’onda inferio- A.4 esente re a 950 nm o superiore a 2000 nm, come segue: T:5000
1. laser a semiconduttore monomodo traverso indivi-
duale con potenza di uscita media o in onda conti- nua superiore a 100 mW.
2. laser a semiconduttore multimodo traverso indivi-
duale o allineamenti di laser a semiconduttore in- dividuali, aventi una delle caratteristiche seguenti: a) energia di uscita superiore a 500 µJ per impulso e potenza di picco impulsiva superiore a 10 W o b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore a 10 W;
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Nota tecnica: I laser a semiconduttore sono comunemente chiamati diodi laser. Note:
1. Il 6A005b comprende i laser a semiconduttore con con-
nettori ottici di uscita (connettori a spirale di fibra otti- ca).
2. La condizione di esportabilità dei laser a semicondutto-
re appositamente progettati per altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per tali apparec- chiature. c) laser allo stato solido, come segue:
1. laser accordabili aventi una delle caratteristiche se-
guenti: Nota: Il 6A005c1 comprende i laser in zaffiro-titanio (Ti-Al2O3), YAG-tulio (Tm-YAG), YSGG- tulio (Tm-YSGG), alessan- drite (Cr: BeAL2O4) e a centro di colore (colour centre). (W) a) lunghezza d’onda di uscita inferiore a 600 nm e A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000
1. energia di uscita superiore a 50 mJ per impulso
e potenza di picco impulsiva superiore a 1 W o
2. potenza di uscita media o in onda continua su-
periore a 1 W; (W,N) b) lunghezza d’onda di uscita uguale o superiore a A.4 PGO
600 nm ma non superiore a 1400 nm e aventi una T:5000
delle caratteristiche seguenti:
1. energia di uscita superiore a 1 J per impulso e
potenza di picco impulsiva superiore a 20 W o
2. potenza di uscita media o in onda continua su-
periore a 20 W o (W) c) lunghezza d’onda di uscita superiore a 1400 nm e A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000
1. energia di uscita superiore a 50 mJ per impulso
e potenza di picco impulsiva superiore a 1 W o
2. potenza di uscita media o in onda continua su-
periore a 1 W;
2. laser non accordabili, come segue:
Nota: Il 6A005c2 comprende i laser allo stato solido con transi- zione atomica. (W) a) laser a vetro drogati al neodimio come segue: A.4 esente T:5000
1. laser Q commutati aventi una delle caratteristi-
che seguenti:
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a) energia di uscita superiore a 20 J per im- pulso ma non superiore a 50 J e potenza di uscita media superiore a 10 W o b) energia di uscita superiore a 50 J per im- pulso;
2. laser non Q commutati aventi una delle ca-
ratteristiche seguenti: a) energia di uscita superiore a 50 J per im- pulso ma non superiore a 100 J e potenza di uscita media superiore a 20 W o b) energia di uscita superiore a 100 J per im- pulso; b) laser (diversi da quelli a vetro) drogati al neo- dimio, con lunghezza d’onda di uscita superiore a 1000 nm ma non superiore a 1100 nm, come segue: Nota: Per i laser (diversi da quelli a vetro) drogati al neodi- mio con lunghezza d’onda di uscita non superiore a
1000 nm o superiore a 1100 nm, confronta 6A005c2c.
(W) 1. laser Q commutati eccitati ad impulsi, in A.4 esente modo bloccato, con durata dell’impulso infe- T:5000 riore ad 1 ns e aventi una delle caratteristiche seguenti: a) potenza di picco superiore a 5 GW, b) potenza media di uscita superiore a 10 W o c) energia impulsiva superiore a 0,1 J; (W,N) 2. laser Q commutati eccitati ad impulsi, con A.4 PGO durata dell’impulso uguale o superiore ad 1 T:5000 ns e aventi una delle caratteristiche seguenti: a) uscita monomodo trasverso (single tran- sverse mode) aventi una delle caratteristi- che seguenti:
1. potenza di picco superiore a 100 MW,
2. potenza di uscita media superiore a 20
Wo
3. energia impulsiva superiore a 2 J o
b) uscita multimodo trasverso (multiple tran- sverse mode) aventi una delle caratteristi- che seguenti:
1. potenza di picco superiore a 400 MW;
2. potenza di uscita media superiore a 2
kW o
3. energia impulsiva superiore a 2 J;
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(W) 3. laser non Q commutati eccitati ad impulsi, A.4 esente aventi una delle caratteristiche seguenti: T:5000 a) uscita monomodo trasverso (single transver- se mode) con:
1. potenza di picco superiore a 500 kW o
2. potenza di uscita media superiore a 150 W
o b) uscita multimodo trasverso (multiple tran- sverse mode) con:
1. potenza di picco superiore ad 1 MW o
2. potenza media superiore a 2 kW;
(W) 4. laser eccitati in continuo, aventi: A.4 esente a) uscita monomodo trasverso (single transver- T:5000 se mode) con:
1. potenza di picco superiore a 500 kW o
2. potenza di uscita media o in onda conti-
nua superiore a 150 W o b) uscita multimodo trasverso (multiple tran- sverse mode) con:
1. potenza di picco superiore a 1 MW o
2. potenza di uscita media o in onda conti-
nua superiore a 2 kW; c) altri laser non accordabili aventi una delle carat- teristiche seguenti: (W) 1. lunghezza d’onda inferiore a 150 nm e aventi A.4 esente una delle caratteristiche seguenti: T:5000 a) energia di uscita superiore a 50 mJ per im- pulso e potenza di picco impulsiva superiore b) potenza di uscita media o in onda continua superiore a 1 W;
2. lunghezza d’onda di 150 nm o superiore ma
non superiore a 800 nm e aventi una delle ca- ratteristiche seguenti: (W) a) energia di uscita superiore a 1,5 J per impul- A.4 esente so e potenza di picco impulsiva superiore a T:5000
30 W o
(W,N) b) potenza di uscita media o in onda continua A.4 PGO superiore a 30 W; T:5000 (W) 3. lunghezza d’onda superiore a 800 nm ma non A.4 esente superiore a 1400 nm, come segue: T:5000 a) laser Q commutati con:
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1. energia di uscita superiore a 0,5 J per im-
pulso e potenza di picco impulsiva superio- re a 50 W o
2. potenza di uscita media superiore a:
a) 10 W per laser monomodo traverso, b) 30 W per laser multimodo traverso; b) laser non Q commutati con:
1. energia di uscita superiore a 2 J per impul-
so e potenza di picco impulsiva superiore a
50 W o
2. potenza di uscita media o in onda continua
superiore a 50 W o (W) 4. lunghezza d’onda superiore a 1400 nm e aventi A.4 esente una delle caratteristiche seguenti: T:5000 a) energia di uscita superiore a 100 mJ per im- pulso e potenza di picco impulsiva superiore ad 1 W o b) potenza di uscita media o in onda continua superiore ad 1 W; (W) d) laser a coloranti ed altri laser a liquido aventi una A.4 esente delle caratteristiche seguenti: T:5000
1. lunghezza d’onda inferiore a 150 nm e aventi una
delle caratteristiche seguenti: a) energia di uscita superiore a 50 mJ per impulso e potenza di picco impulsiva superiore ad 1 W o b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore ad 1 W;
2. lunghezza d’onda uguale o superiore a 150 nm ma
non superiore a 800 nm e aventi una delle caratte- ristiche seguenti: a) energia di uscita superiore a 1,5 J per impulso e potenza di picco impulsiva superiore a 20 W; b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore a 20 W o c) un oscillatore monomodo longitudinale ad im- pulsi (single longitudinal mode) con potenza di uscita media superiore ad 1 W e cadenza di ri- petizione superiore ad 1 kHz se la durata dell’impulso è inferiore a 100 ns;
3. lunghezza d’onda superiore a 800 nm ma non su-
periore a 1400 nm e aventi una delle caratteristiche seguenti: a) energia di uscita superiore a 0,5 J per impulso e potenza di picco impulsiva superiore a 10 W o
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b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore a 10 W o
4. lunghezza d’onda superiore a 1400 nm e aventi
una delle caratteristiche seguenti: a) energia di uscita superiore a 100 mJ per impulso e potenza di picco impulsiva superiore ad 1 W o b) potenza di uscita media o in onda continua su- periore ad 1 W; (W) e) componenti come segue: A.4 esente
1. specchi raffreddati mediante «raffreddamento atti- T:5000
vo» o raffreddamento con tubi di calore (heat pi- pe): Nota tecnica: Il «raffreddamento attivo» è una tecnica di raffredda- mento per componenti ottici che utilizza fluidi in movi- mento sotto la superficie dei componenti (nominalmente a meno di 1 mm sotto la superficie ottica) al fine di eli- minare il calore dall’ottica.
2. specchi ottici e componenti ottici ed elettro-ottici
con trasmissione ottica totale o parziale, apposita- mente progettati per essere utilizzati con i laser- sottoposti ad autorizzazione da 6A005; (W) f) apparecchiature ottiche come segue: A.4 esente Nota: T:5000 per gli elementi ottici ad apertura comune in grado di fun- zionare nei laser ad elevatissima potenza (SHPL), confronta l’allegato 3, numero ML23d.
1. apparecchiature dinamiche di misura del fronte
d’onda (fase) in grado di rilevare almeno 50 posi- zioni su un fronte d’onda di fascio aventi una delle caratteristiche seguenti: a) cadenze di quadro uguali o superiori a 100 Hz e discriminazione di fase di almeno il 5% della lunghezza d’onda del fascio o b) cadenze di quadro uguali o superiori a 1000 Hz e discriminazione di fase di almeno il 20% della lunghezza d’onda del fascio;
2. apparecchiature di diagnostica a laser in grado di
misurare errori di orientamento angolare del fascio di un sistema di laser ad elevatissima potenza uguali o inferiori a 10 µrad;
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3. apparecchiature e componenti ottici appositamente
progettati per un sistema di laser ad elevatissima potenza ad allineamento di fase (phased array SHPL-System) destinati ad assicurare la combina- zione coerente di fasci con una precisione (scegliere il valore più piccolo tra i due valori pro- posti) di lambda/10 alla lunghezza d’onda proget- tata, o di 0,1 µm;
4. telescopi a proiezione appositamente progettati per
essere utilizzati con sistemi di laser ad elevatissi- ma potenza. 6A006 Magnetometri, gradiometri magnetici, gradiometri (W) magnetici intrinseci e sistemi di compensazione, e loro componenti appositamente progettati, come segue: Nota: Il 6A006 non sottopone ad autorizzazione gli strumenti appo- sitamente progettati per effettuare misure biomagnetiche per diagnostiche medicali. a) magnetometri che utilizzano tecnologie di supercon- A.4 esente duttori, di pompaggio ottico o della precessione nu- T:5000 cleare (protoni/Overhauser), aventi un livello di ru- more (sensibilità), inferiore a (migliore di) 0,05 nT valore efficace per radice quadrata di Hz; b) magnetometri a bobina di induzione aventi un livello A.4 esente di rumore(sensibilità) inferiore a (migliore di): T:5000
1. 0,05 nT valore efficace per radice quadrata di Hz a
frequenze inferiori ad 1 Hz;
2. 1×10-3 nT valore efficace per radice quadrata di Hz
a frequenze uguali o superiori ad 1 Hz ma non su- periori a 10 Hz o
3. 1×10-4 nT valore efficace per radice quadrata di Hz
a frequenze superiori a 10 Hz; c) magnetometri a fibre ottiche aventi un livello di ru- A.4 esente more (sensibilità) inferiore a (migliore di) 1 nT valore T:5000 efficace per radice quadrata di Hz; d) gradiometri magnetici che impiegano magnetometri A.4 esente e) gradiometri magnetici intrinseci a fibre ottiche aventi A.4 esente un livello di rumore di gradiente di campo magnetico T:5000 (sensibilità) inferiore a (migliore di) 0,3 nT/m valore efficace per radice quadrata di Hz;
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f) gradiometri magnetici intrinseci che utilizzano tec- A.4 esente nologie diverse da quelle delle fibre ottiche, aventi un T:5000 livello di rumore di gradiente del campo magnetico (sensibilità) inferiore a (migliore di) 0,015 nT/m va- lore efficace per radice quadrata di Hz; g) sistemi di compensazione magnetica per sensori ma- A.4 PGO gnetici progettati per funzionare su piattaforme mo- T:5000 bili; h) sensori elettromagnetici superconduttori, contenenti A.4 PGO componenti fabbricati a partire da materiali super- T:5000 conduttori:
1. progettati per funzionare a temperature inferiori
alla temperatura critica di almeno uno dei loro co- stituenti superconduttori (compresi i dispositivi ad effetto Josephson o i dispositivi superconduttori ad interferenza quantistica (SQUIDS );
2. progettati per rivelare variazioni di campo elettro-
magnetico a frequenza di 1 kHz o meno e
3. aventi una delle caratteristiche seguenti:
a) dotati di SQUIDS a film sottile con dimensione minima dell’elemento inferiore a 2 µm e con i loro circuiti associati di accoppiamento di in- gresso e di uscita; b) progettati per funzionare con un tasso di varia- zione del campo magnetico superiore a 1×106 quanti di flusso magnetico per secondo; c) progettati per funzionare nel campo magnetico terrestre ambiente senza schermatura magnetica o d) aventi un coefficiente di temperatura minore (più piccolo) di 0,1 quanto/K di flusso magneti- co. 6A007 Gravimetri e gradiometri a gravità, come segue: Nota: confronta anche 6A107. (W) a) gravimetri progettati o modificati per uso terrestre A.4 esente aventi una precisione statica inferiore a (migliore di) T:5000
10 µgal;
Nota: Il 6A007a non sottopone ad autorizzazione i gravimetri per uso terrestre di tipo ad elemento di quarzo (Worden). (W,M) b) gravimetri per piattaforme mobili, aventi tutte le ca- A.4 PGO ratteristiche seguenti: T:1000
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1. precisione statica inferiore a (migliore di) 0,7 mil-
ligal e
2. precisione in servizio (operativa) inferiore a
(migliore di) 0,7 milligal con tempo di salita fino al valore stazionario inferiore a 2 minuti sotto qualsiasi combinazione di compensazioni ed in- fluenze dinamiche presenti; (W,M) c) gradiometri a gravità. A.4 PGO T:1000 6A008 Sistemi, apparecchiature ed assiemi radar aventi una A.4 PGO (W,M) delle caratteristiche seguenti e loro componenti appo- T:1000 sitamente progettati: Nota: Il 6A008 non sottopone ad autorizzazione: a) radar secondari di sorveglianza (SSR, Secondary Surveil- lance Radar); b) radar di automobili progettati per prevenire le collisioni; c) video o monitor utilizzati per il controllo del traffico aereo (ATC) non aventi più di 12 elementi di risoluzione per mil- limetro; d) radar meteorologici; Nota complementare: Confronta anche 6A108. a) funzionanti su frequenze da 40 GHz a 230 GHz ed aventi una potenza di uscita media superiore a 100 mW; b) aventi una frequenza accordabile superiore al ± 6,25% della «frequenza di funzionamento centra- le»; Nota tecnica: La «frequenza di funzionamento centrale» corrisponde alla metà della somma della frequenza di funzionamento specifi- cata più elevata e della frequenza di funzionamento specificata più bassa. c) in grado di funzionare in modo simultaneo su più di due frequenze portanti; d) in grado di funzionare in modo di apertura sintetica (SAR, Synthetic-Aperture Radar), di apertura sinteti- ca inversa (ISAR, Inverse-Synthetic-Aperture Radar) o in modo radar avionico a scansione laterale (SLAR, Side Looking Airborne Radar); e) comprendenti antenne ad allineamento di fase e fa- scio orientabile elettronicamente (phased array an- tennae);
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f) in grado di determinare l’altezza di bersagli autono- mi; Nota: Il 6A008f non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature radar di avvicinamento di precisione (PAR, Precision Appro- ach Radar) conformi alle norme dell’ICAO; g) appositamente progettati per impiego avionico (montati su palloni o cellule di aerei) e con capacità di trattamento del segnale Doppler per la rivelazione di bersagli mobili; h) dotati di trattamento di segnali radar che utilizzano una delle tecniche seguenti:
1. tecniche di spettro esteso radar o
2. tecniche di agilità di frequenza per radar;
i) in funzionamento terrestre e con portata strumentale massima superiore a 185 km; Nota: Il 6A008i non sottopone ad autorizzazione: a) i radar per la sorveglianza delle unità da pesca; b) le apparecchiature radar terrestri appositamente proget- tate per il controllo del traffico aereo in rotta (enroute), purché vengano soddisfatte tutte le condizioni seguenti:
1. abbiano una portata strumentale massima di 500 km
o meno;
2. siano configurate in modo tale che i dati dei bersagli
radar possano essere trasmessi solo dal sito radar a uno o più centri di controllo del traffico aereo civile;
3. non comportino capacità di controllo remoto della
velocità di scansione del radar effettuato dal centro di controllo del traffico in rotta e
4. siano installate in modo permanente;
c) radar per il rilevamento di palloni meteorologici. j. costituiti da radar a laser o da apparecchiature per la rilevazione e la misura della distanza a mezzo della luce (LIDAR, Light Detection And Ranging), ed aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. qualificati per impiego spaziale o
2. basati su tecniche della rilevazione coerente etero-
dina o omodina ed aventi una risoluzione angolare inferiore a (migliore di) 20 µrad; Nota: Il 6A008j non sottopone ad autorizzazione le apparecchiatu- re LIDAR appositamente progettate per la topografia o per l’osservazione meteorologica, compresa la rilevazione degli inquinanti atmosferici .
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
k) aventi sottosistemi per il trattamento del segnale uti- lizzante la compressione dell’impulso, con una delle caratteristiche seguenti:
1. un rapporto di compressione dell’impulso superio-
re a 150 o
2. una larghezza di impulso inferiore a 200 ns o
l) aventi sottosistemi di trattamento di dati con una delle caratteristiche seguenti:
1. inseguimento automatico del bersaglio che forni-
sce, ad ogni rotazione dell’antenna, la posizione prevista del bersaglio oltre il momento del succes- sivo passaggio del fascio di antenna; Nota: Il 6A008l1 non sottopone ad autorizzazione la capacità di segnalare allarmi nel caso di traiettorie tra di loro in conflitto nei sistemi di controllo del traffico aereo, navale o portuale.
2. calcolo della velocità del bersaglio a partire dal ra-
dar primario avente velocità di scansione non pe- riodiche (variabili);
3. trattamento per il riconoscimento automatico della
traccia (estrazione delle caratteristiche) e paragone con basi di dati di caratteristiche del bersaglio (forme d’onda o immagini) per identificare o clas- sificare i bersagli o
4. sovrapposizione e correlazione o fusione di dati di
bersagli, provenienti da due o più sensori radar interconnessi e geograficamente distribuiti per rinforzare e discriminare i bersagli. Nota: Il 6A008l4 non sottopone ad autorizzazione sistemi, ap- parecchiature o assiemi utilizzati per il controllo del traf- fico marittimo.
6A102 Rilevatori resistenti alle radiazioni, diversi di quelli A.4 PGO (M) specificati in 6A002, utilizzabili per la protezione T:1000 contro gli effetti nucleari (ad esempio impulso elet- tromagnetico (EMP), raggi X, effetti combinati dell’esplosione e del calore), ed utilizzabili per missili, progettati o previsti per resistere a livelli di radiazio- ne uguali o superiori ad una dose di radiazione totale di 5×105 rad (Si).
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
Nota tecnica: Ai fini del 6A102 un rilevatore è definito come un dispositivo meccanico, elettrico, ottico o chimico che automaticamente identifica e memorizza, o registra uno stimolo quale un cam- biamento ambientale di pressione o di temperatura, un segnale elettrico o elettromagnetico o una radiazione proveniente da un materiale radioattivo.
6A107 Gravimetri e componenti per gravimetri e gradiome- A.4 PGO (M) tri a gravità, come segue: T:1000 a) gravimetri, diversi da quelli specificati in 6A007b, progettati o modificati per l’impiego aeronautico o marino, aventi una precisione statica o operativa infe- riore a (migliore di) 0,7 mgal e un tempo di salita fino al valore stazionario inferiore a 2 minuti; b) componenti appositamente progettati per gravimetri specificati in 6A007b o 6A107a e gradiometri a gra- vità specificati in 6A007c. 6A108 Sistemi radar e sistemi di inseguimento, diversi da quelli specificati in 6A008, come segue: (M) a) sistemi radar e sistemi radar a laser progettati o mo- A.4 PGO dificati per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello T:1000 spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specifi- (M) b) sistemi per l’inseguimento di precisione, utilizzabili A.4 PGO nei missili, come segue: T:1000
1. sistemi per l’inseguimento che utilizzano un tra-
slatore di codice che funziona in collegamento con sistemi di superficie, avionici o con sistemi satel- litari di navigazione per la misurazione in tempo reale sia della posizione che della velocità durante il volo;
2. strumentazione radar per la misura della distanza
(range instrumentation radars), compresi gli inse- guitori ottici o all’infrarosso associati, avente tutte le caratteristiche seguenti: a) risoluzione angolare migliore di 3 mrad (0,5 mils); b) portata uguale o superiore a 30 km con una ri- soluzione in distanza migliore di 10 m (valore efficace); c) risoluzione della velocità migliore di 3 m/sec.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
6A202 Tubi fotomoltiplicatori con tutte le caratteristiche se- A.4 PGO (N) guenti: T:1000 a) area del fotocatodo superiore a 20 cm2 e b) tempo di salita all’anodo inferiore a 1 ns. 6A203 Apparecchi da ripresa e componenti, diversi da quelli A.4 PGO (N) specificati in 6A003, come segue: T:1000 a) apparecchi da ripresa a specchio rotante meccanica- mente, come segue, e loro componenti appositamente progettati:
1. apparecchi da ripresa di immagini in grado di regi-
strare con velocità superiori a 225i000 immagini/s o
2. apparecchi da ripresa a scansione con velocità di
registrazione superiori a 0,5 mm/µs; Nota: I componenti degli apparecchi di cui al 6A203a com- prendono le parti elettroniche di sincronizzazione e gli assiemi di rotazione costituiti da turbine, specchi e cu- scinetti. b) apparecchi elettronici da ripresa a scansione, appa- recchi elettronici da ripresa, tubi e dispositivi, come segue:
1. apparecchi elettronici da ripresa a scansione in
grado di ottenere tempi di risoluzione uguali o in- feriori a 50 ns;
2. tubi di scansione per gli apparecchi specificati in
3. apparecchi elettronici (o con otturatore elettronico)
da ripresa di immagini in grado di ottenere tempi di esposizione dell’immagine uguale o inferiore a
50 ns;
4. tubi per l’immagine e dispositivi per l’immagine
allo stato solido per essere utilizzati con gli appa- recchi da ripresa specificati in 6A203b3, come se- gue: a) tubi intensificatori di immagini focalizzati per prossimità aventi il fotocatodo depositato su un rivestimento conduttivo trasparente per diminui- re la resistenza dello strato del fotocatodo; b) tubi vidicon di tipo SIT (silicon intensifier tar- get) dotati di sistemi veloci che consentono il controllo dei fotoelettroni dal fotocatodo prima del loro urto sulla placca dei tubi SIT;
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c) otturatori elettro-ottici a cella di Kerr o di Poc- kels o d) altri tubi di immagine e dispositivi di immagine allo stato solido aventi un tempo di controllo dell’immagine veloce minore di 50 ns apposita- mente progettati per gli apparecchi da ripresa specificati in 6A203b3; c) apparecchi da ripresa televisivi resistenti alle radia- zioni o loro lenti, appositamente progettati o previsti per resistere alle radiazioni ad un livello superiore a 50×103 Gy (Si) (5×106 rad (Si)) senza degradazione funzionale. Nota: Il termine Gy (silicio) si riferisce all’energia in Joules per kg assorbita da un campione non schermato di silicio esposto a radiazioni inozzinanti.
6A205 Laser, amplificatori ed oscillatori laser diversi da A.4 PGO (N) quelli specificati in 6A005, come segue: T:1000 a) laser ad argon ionizzato aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. lunghezze d’onda comprese fra 400 nm e 515 nm e
2. potenza di uscita media superiore a 40 W.
b) oscillatori laser a coloranti accordabili mono-modali ad impulsi aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. lunghezza d’onda compresa fra 300 nm e 800 nm;
2. potenza di uscita media superiore ad 1 W;
3. cadenza di ripetizione superiore ad 1 kHz e
4. durata dell’impulso inferiore a 100 ns.
c) oscillatori ed amplificatori laser ad impulsi a colo- ranti accordabili aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. lunghezza d’onda compresa tra 300 nm e 800 nm;
2. potenza di uscita media superiore a 30 W;
3. cadenza di ripetizione superiore ad 1 kHz e
4. durata dell’impulso inferiore a 100 ns.
Nota: Il 6A205c non sottopone ad autorizzazione gli oscillatori monomodo. d) laser ad impulsi ad anidride carbonica aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. lunghezza d’onda compresa tra 9.000 nm e 11.000
nm;
2. cadenza di ripetizione superiore a 250 Hz;
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3. potenza di uscita media superiore a 500 W e
4. durata dell’impulso inferiore a 200 ns.
e) sfasatori Raman quasi idrogeno progettati per funzio- nare a lunghezza d’onda di uscita di 16 (m e cadenza di ripetizione superiore a 250 Hz; f) laser (diversi da quelli a vetro) Q commutati eccitati ad impulsi drogati al neodimio aventi tutte le caratte- ristiche seguenti:
1. lunghezza d’onda di uscita superiore a 1000 nm,
ma non superiore a 1100 nm;
2. durata dell’impulso uguale o superiore a 1 ns e
3. uscita multimodo transverso con potenza di uscita
media superiore a 50 W. 6A225 Interferometri di velocità per la misura di velocità A.4 PGO (N) superiori a 1 km/s durante intervalli di tempo infe- T:1000 riori a 10 µs: (VISAR, interferometer laser Doppler, DLI ecc.). Nota: Il 6A225 include gli interferometri di velocità quali VISAR (Velocity interferometer systems for any reflector) e DLI (Doppler laser interferometers).
6A226 Sensori di pressione, come segue: A.4 PGO (N) a) calibri alla manganina per pressioni superiori a 10 T:1000 GPa; b) trasduttori di pressioni al quarzo per pressioni supe- riori a 10 GPa.
6B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 6B004 Apparecchiature ottiche: A.4 esente (W) a) apparecchiature per la misurazione del fattore di ri- T:5000 flessione assoluto con una precisione di ± 0,1% del valore di riflessione; b) apparecchiature diverse dalle apparecchiature di mi- sura per la dispersione delle superfici ottiche, aventi una apertura netta superiore a 10 cm, appositamente progettate per la misura ottica senza contatto di una forma (profilo) di superficie ottica non piana con una precisione uguale o inferiore a (migliore di)
2 nm rispetto al profilo richiesto.
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Nota: Il 6B004 non sottopone ad autorizzazione i microscopi.
6B007 Gravimetri A.4 esente (W) Apparecchiature di produzione, di allineamento e di T:5000 calibrazione di gravimetri terrestri con precisione sta- tica migliore di 0,1 mgal. 6B008 Radar A.4 PGO (W) Sistemi di misura della superficie equivalente radar T:1000 effettuata con radar ad impulsi aventi larghezza di im- pulso di 100 ns o meno e loro componenti apposita- mente progettati. Nota: Confronta anche 6B108.
6B108 Sistemi, diversi da quelli specificati in 6B008, apposi- A.4 PGO (M) tamente progettati per la misura della superficie equi- T:1000 valente radar utilizzabili in missili e altri sottosistemi.
6C Materiali 6C002 Materiali per sensori ottici, come segue: A.4 esente (W) a) tellurio elementare (Te) con livelli di purezza uguale o T:5000 superiore a 99,9995%; b) cristalli singoli di tellururo di cadmio-zinco (CdZnTe) con contenuto in zinco inferiore al 6% in peso, di tel- lururo di cadmio (CdTe) o di tellururo di mercurio- cadmio (HgCdTe) di qualsiasi livello di purezza, e re- lative fette epitassiali. 6C004 Materiali ottici, come segue: A.4 esente (W) a) substrati grezzi in seleniuro di zinco (ZnSe) e solfuro T:5000 di zinco (ZnS) ottenuti per deposizioni in fase di vapo- re con procedimento chimico, aventi una delle caratte- ristiche seguenti:
1. di volume superiore a 100 cm3 o
2. di diametro superiore a 80 mm e con spessore
uguale o superiore a 20 mm; b) cristalli piriformi grezzi (boules) costituiti dai materiali elettro-ottici seguenti:
1. arseniato di potassio titanile (KTA),
2. seleniuro di gallio-argento (AgGaSe 2),
3. seleniuro di tallio-arsenico (TI3AsSe3, anche cono-
sciuto come TAS);
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c) materiali ottici non lineari, aventi tutte le caratteristi- che seguenti:
1. suscettibilità del terzo ordine (chi 3) uguale o su-
periore a 10-6 m2/V2 e
2. tempo di risposta inferiore a 1 ms;
d) substrati grezzi di carburo di silicio o di materiali di deposito berillio/berillio (Be/Be) di diametro o di di- mensione dell’asse principale superiore a 300 mm; e) vetro, compresa la silice fusa, il vetro fosfatato, il ve- tro fluorofosfatato, il fluoruro di zirconio (ZrF4) ed il fluoruro di afnio (HfF4) aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. concentrazione ione idrossile (OH-) inferiore a 5
ppm,
2. meno di 1 ppm di impurità metalliche integrate e
3. omogeneità elevata (variazione dell’indice di rifra-
zione) inferiore a 5×10-6; f) materiali di diamanti sintetici con tasso di assorbi- mento inferiore a 10-5 cm-1 per lunghezze d’onda su- periori a 200 nm ma non superiori a 14i000 nm. 6C005 Laser A.4 esente (W) Materiali cristallini sintetici ospiti per laser sotto forma T:5000 grezza, come segue: a) zaffiro drogato al titanio, b) alessandrite.
6D Software 6D001 Software appositamente progettato per lo sviluppo o A.4 PGO (W,M) la produzione di apparecchiature specificate in T:nessuna 6D002 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (W,M) di apparecchiature specificate in 6A002b, 6A008 o T:nessuna 6D003 Altri software, come segue: A.4 PGO (W) a) acustica T:nessuna
1. software appositamente progettato per la formazione
di fasci acustici destinato al trattamento in tempo reale di dati acustici per la ricezione passiva me- diante l’impiego di cortine di idrofoni rimorchiati;
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2. codice sorgente per il trattamento in tempo reale di
dati acustici per la ricezione passiva mediante l’impiego di cortine di idrofoni rimorchiati;
3. software appositamente progettato per la formazione
di fasci acustici destinato al trattamento in tempo reale di dati acustici per la ricezione passiva me- diante l’impiego di sistemi di cavi di profondità o di baia;
4. codice sorgente per il trattamento in tempo reale di
dati acustici per la ricezione passiva mediante l’impiego di sistemi di cavi di profondità o di baia (bottom or bay cable systems). b) magnetometro A.4 esente
1. software appositamente progettato per sistemi di T:nessuna
compensazione magnetica per sensori magnetici progettati per funzionare su piattaforme mobili;
2. software appositamente progettato per la rivlevazio-
ne di anomalie magnetiche su piattaforme mobili; c) gravimetri A.4 esente software appositamente progettato per la correzione di T:nessuna influenze dinamiche di gravimetri o gradiometri a gra- vità; d) radar A.4 esente
1. programmi di software applicativo per il controllo T:nessuna
del traffico aereo situati in calcolatori di uso gene- rale installati in centri di controllo del traffico aereo ed in grado di effettuare una delle funzioni seguenti: a) trattare e visualizzare più di 150 tracce di sistema simultanee o b) accettare i dati relativi ai bersagli radar prove- nienti da più di quattro radar primari;
2. software per la progettazione o la produzione di cu-
pole di protezione (radome) delle antenne radar: a) appositamente progettate per proteggere le anten- ne ad allineamento di fase e fascio orientabile elettronicamente specificate in 6A008e e b) risultanti in un tracciato dell’antenna avente un «livello medio dei lobi laterali» di oltre 40 dB al di sotto del picco del livello del fascio principale. Nota tecnica: Il «livello medio dei lobi laterali» di cui in 6D003d2b è misurato sull’intera matrice esclusi l’estensione angolare del fascio principale e i primi due lobi laterali sui due lati del fascio principale.
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6D102 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (M) dei materiali specificati in 6A108. T:nessuna 6D103 Software che elabora i dati registrati dopo la missio- A.4 PGO (M) ne, ottenuti dai sistemi specificati in 6A108b, per T:nessuna consentire la ricostruzione della posizione del veicolo lungo la sua traiettoria di volo.
6E Tecnologia 6E001 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) (N) tecnologia per lo sviluppo di apparecchiature, mate- T:nessuna riali o software specificati in 6A, 6B, 6C o 6D. 6E002 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) (N) tecnologia per la produzione di apparecchiature o T:nessuna 6E003 Altre tecnologie come segue: A.4 esente (W) a) 1. tecnologie di rivestimento e di trattamento delle T:nessuna superfici ottiche necessarie per ottenere l’uniformità uguale al 99,5% o migliore per rive- stimenti ottici aventi un diametro o un asse princi- pale di 500 mm o più ed una perdita totale (assorbimento e dispersione) inferiore a 5×10-3; Nota: Confronta anche 2E003f.
2. tecnologie di fabbricazione per materiali ottici che
utilizzano tecniche di tornitura a punta di diamante singola (SPDT, Single-Point Diamond Turning), in grado di produrre precisioni di finitura della su- perficie migliori di 10 nm valore efficace su su- perfici non piane superiori a 0,5 m2; b) tecnologia necessaria allo sviluppo, alla produzione, o all’utilizzazione di strumenti di diagnostica o di bersagli appositamente progettati per gli impianti di prova per il collaudo di laser ad elevatissima potenza o per il collaudo o la valutazione di materiali irradiati da fasci di laser ad elevatissima potenza; c) tecnologia necessaria allo sviluppo o alla produzio- nedi sonde a magnetometro (fluxgate magnetometers) o di sistemi di sonde a magnetometro aventi una delle caratteristiche seguenti:
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1. livello di rumore inferiore a 0,05 nT valore effica-
ce per radice quadrata di Hz a frequenze inferiori ad 1 Hz o
2. livello di rumore inferiore a 1×10-3 nT valore effi-
cace per radice quadrata di Hz a frequenze uguali o superiori ad 1 Hz. 6E101 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia per l’utilizzazione di apparecchiature o di T:nessuna Nota: Il 6E101 sottopone ad autorizzazione soltanto la tecnologia per le apparecchiature specificate in 6A008 quando progettate per applicazioni avioniche ed utilizzabili in missili.
6E201 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (N) tecnologia per l’utilizzazione di apparecchiature spe- T:nessuna
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7 Materiale avionico e di navigazione
7A Sistemi, apparecchiature e componenti Nota:
1. Per i piloti automatici per veicoli sottomarini, confronta la
categoria 8. Per i radar confronta la categoria 6.
2. Per le apparecchiature di navigazione inerziale per navi o
sommergibili, confronta allegato 3.
7A001 Accelerometri progettati per essere utilizzati in si- A.4 PGO (W,M) stemi di navigazione inerziale o sistemi di guida ed T:1000 aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro com- ponenti appositamente progettati: Nota: Confronta anche 7A101. a) stabilità di polarizzazione (bias stability) inferiore a (migliore di) 130 µg*) in rapporto ad un valore di ca- librazione fisso su un periodo di un anno; b) stabilità del fattore di scala inferiore a (migliore di)
130 ppm in rapporto ad un valore di calibrazione fis-
so su un periodo di un anno o c) specificati per funzionare a livelli di accelerazione li- neare superiori a 100 g*). 7A002 Giroscopi aventi una delle caratteristiche seguenti, e A.4 PGO (W,M) loro componenti appositamente progettati: T:1000 Nota: Confronta anche 7A102. a) stabilità della velocità di precessione misurata in un ambiente di 1 g*) su un periodo di tre mesi ed in rap- porto ad un valore di calibrazione fisso:
1. inferiore a (migliore di) 0,1° per ora se specificati
per funzionare a livelli di accelerazione lineare in- feriori a 10 g*) o
2. inferiore a (migliore di) 0,5° per ora se specificati
per funzionare a livelli di accelerazione lineare da
10 g*) a 100 g*) compreso o
b) specificati per funzionare a livelli di accelerazione li- neare superiori a 100 g*).
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7A003 Sistemi di navigazione inerziale (cardanici e vincola- A.4 PGO (W,M) ti) ed apparecchiature inerziali progettati per aero- T:1000 mobili, veicoli terrestri o veicoli spaziali per l’assetto, la guida o il controllo, aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro componenti appositamente progetta- ti: Nota: Confronta anche 7A103. a) errore di navigazione (solo inerziale) dopo un nor- male allineamento di 0,8 miglia nautiche per ora (cerchio di eguale probabilità (CEP) del 50% o infe- riore (migliore) o Nota: I parametri di cui al 7A003a sono applicabili in presenza di una qualsiasi delle seguenti condizioni ambientali:
1. vibrazione casuale di ingresso (input random vibration)
con una grandezza globale di 7,7 g*) valore efficace nella prima mezz’ora ed una durata di collaudo totale di un’ora e mezzo per asse in ciascuno dei tre assi perpendicolari se la vibrazione casuale è conforme alle caratteristiche seguenti: a) valore costante di densità spettrale di potenza (PSD) di 0,04 g2/Hz in un intervallo di frequenze comprese tra 15 e 1000 Hz e b) attenuazione della densità spettrale di potenza con frequenze comprese tra 0,04 g2/Hz e 0,01 g2/Hz in un intervallo di frequenze comprese tra 1000 e 2000 Hz o
2. rapporto di rollio e di imbardata uguale o superiore a
3. conforme alle norme nazionali equivalenti a quelle di cui
ai precedenti punti 1 o 2. b) specificati per funzionare a livelli di accelerazione li- neare superiori a 10 g*). Nota: Il 7A003 non sottopone ad autorizzazione i sistemi di naviga- zione inerziale omologati per essere utilizzati su aeromobili ci- vili dalle autorità dell’aviazione civile di uno Stato parteci- pante. 7A004 Bussole giroastrali ed altri dispositivi che consentono A.4 PGO (W,M) di determinare la posizione o l’orientamento con T:1000 l’inseguimento automatico di corpi celesti o di satelli- ti, con una precisione di azimuth uguale o inferiore (migliore) a 5 secondi di arco. Nota: Confronta anche 7A104.
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7A005 Apparecchiature di ricezione di sistemi globali di na- A.4 PGO (W,M) vigazione via satellite (GPS o GLONASS) aventi una T:1000 delle caratteristiche seguenti, e loro componenti ap- positamente progettati: Nota: Confronta anche 7A105. a) uso di decrittografia o b) antenna audio-adattiva (null-steerable). 7A006 Altimetri avionici funzionanti su frequenze diverse A.4 PGO (W,M) da quelle tra 4,2 e 4,4 GHz compresa, ed aventi una T:1000 delle caratteristiche seguenti: Nota: Confronta anche 7A106. a) controllo della potenza irradiata o b) uso della modulazione a spostamento di fase. 7A007 Apparecchiature radiogoniometriche funzionanti A.4 esente (W) a frequenze superiori a 30 MHz e aventi tutte le ca- T:5000 ratteristiche seguenti, e loro componenti apposita- mente progettati: a) banda passante istantanea uguale o superiore ad b) trattamento parallelo di oltre 100 canali di frequenza e c) velocità di trattamento di oltre 1000 risultati del rile- vamento radiogoniometrico per secondo e per canale di frequenza. 7A099 Aeromobili appositamente progettati o modificati per A.4 PGO (W) l’addestramento militare, dotati al massimo di due T:5000 punti di sospensione, e loro componenti appositamen- te progettati. 7A101 Accelerometri, diversi da quelli specificati in 7A001, A.4 PGO (M) con soglia di 0,05 g*) o inferiore, o con errore di li- T:1000 nearità inferiore allo 0,25% del valore di uscita a fondo scala o entrambi, progettati per l’utilizzazione nei sistemi di navigazione inerziale o nei sistemi di guida di qualsiasi tipo e loro componenti apposita- mente progettati.
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Nota: Il 7A101 non specifica gli accelerometri appositamente pro- gettati e sviluppati come sensori per la misura durante la perfo- razione (MWD) nelle operazioni di manutenzione di pozzi con martello in foro.
7A102 Giroscopi di qualsiasi tipo, diversi di quelli specificati A.4 PGO (M) in 7A002, utilizzabili in missili, aventi stabilità della T:1000 velocità di precessione inferiore a 0,5°/ora (1 sigma o valore efficace) nelle condizioni di 1 g*) e loro compo- nenti appositamente progettati. 7A103 Strumentazioni, apparecchiature e sistemi di naviga- A.4 PGO (M) zione, diversi da quelli specificati in 7A003, come se- T:1000 gue, e loro componenti appositamente progettati: a) apparecchiature inerziali o altre apparecchiature che utilizzano accelerometri o giroscopi specificati in porano tali apparecchiature; Nota: Il 7A103a non specifica l’apparecchiatura contenente gli ac- celerometri specificati in 7A001 dove tali accelerometri sono appositamente progettati e sviluppati come sensori per la mi- sura durante la perforazione MWD (Measurement While Drilling) nelle operazioni di manutenzione di pozzi. b) sistemi di strumenti di volo integrati, che compren- dono stabilizzatori giroscopici o piloti automatici, progettati o modificati per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104. 7A104 Bussole giroastrali ed altri dispositivi, diversi da A.4 PGO (M) quelli specificati in 7A004, che consentono di deter- T:1000 minare la posizione o l’orientamento con l’inseguimento automatico di corpi celesti o di satelli- ti e loro componenti appositamente progettati. 7A105 Sistemi di posizionamento globale (GPS, Global Posi- A.4 PGO (M) tioning System) o simili ricevitori satellitari, diversi T:1000 da quelli specificati in 7A005, in grado di fornire in- formazioni di navigazione nelle condizioni operative seguenti e progettati o modificati per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104: a) a velocità superiori a 515 m/s e b) ad altezze superiori a 18 km.
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7A106 Altimetri diversi da quelli specificati in 7A006, di ti- A.4 PGO (M) po radar o radar a laser, progettati o modificati per T:1000 essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio spe- cificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in
7A115 Sensori passivi per la determinazione del rilevamento A.4 PGO (M) rispetto a specifiche sorgenti elettromagnetiche T:1000 (apparecchiature radiogoniometriche) o delle carat- teristiche del terreno, progettati o modificati per es- sere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specifi- cati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104. Nota: Il 7A115 comprende sensori per le apparecchiature seguenti: a) apparecchiature per la cartografia delle linee di livello del terreno, b) apparecchiature sensori di immagini, c) apparecchiature per l’interferometria.
7A116 Sistemi di controllo di volo, come segue, progettati o A.4 PGO (M) modificati per i veicoli di lancio nello spazio specifi- T:1000 cati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104: a) sistemi di comando del volo idraulici, meccanici, elettro-ottici o elettromeccanici (compresi i siste- mi di comando di volo elettrici); b) apparecchiature di controllo di assetto.
7A117 Complessi di guida, utilizzabili nei missili, in grado di A.4 PGO (M) raggiungere una precisione di sistema del 3,33% o T:1000 meno della portata (cioè un CEP di 10 km o meno ad una distanza di 300 km).
7B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 7B001 Apparecchiature di collaudo, di calibrazione o di al- A.4 PGO (W,M) lineamento appositamente progettate per le apparec- T:1000 chiature specificate in 7A. Nota: Il 7B001 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di collaudo, calibrazione o allineamento per la manutenzione di I o di II livello.
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Note tecniche:
1. Manutenzione di I° livello
L’avaria di una unità di navigazione inerziale è rilevata sull’aereo dalle indicazioni dell’unità di controllo e visua- lizzazione (UCV) o dal messaggio di stato del sottosistema corrispondente. Seguendo le istruzioni del manuale del co- struttore, la causa dell’avaria può essere localizzata al livello dell’unità intercambiabile in linea (UIL) difettosa. L’operatore provvede quindi alla rimozione di questa unità e alla sua sostituzione con una di ricambio.
2. Manutenzione di II livello
L’unità intercambiabile in linea (UIL) difettosa viene spe- dita al laboratorio di manutenzione (del costruttore o dell’operatore responsabile della manutenzione di II livello). Nel laboratorio l’unità in avaria viene collaudata con vari mezzi appropriati per verificare e localizzare il modulo di- fettoso (assieme rimpiazzabile in laboratorio (SRA)) re- sponsabile dell’avaria. Questo assieme viene rimosso e so- stituito con un ricambio funzionante. L’assieme difettoso (o eventualmente l’intera unità intercambiabile in linea) è allo- ra rinviata al costruttore. Nota complementare: La manutenzione di II livello non comprende la rimozione dall’assieme rimpiazzabile in laboratorio di accelerometri o gi- roscopi sottoposti ad autorizzazione.
7B002 Apparecchiature, come segue, appositamente proget- A.4 PGO (W,M) tate per la qualificazione di specchi per giroscopi a T:1000 laser ad anelli: Nota: Confronta anche 7B102. a) diffusometri aventi una precisione di misura uguale o inferiore a (migliore di) 10 ppm; b) profilometri aventi una precisione di misura uguale o inferiore a (migliore di) 0,5 nm. 7B003 Apparecchiature appositamente progettate per la A.4 PGO (W,M) produzione di apparecchiature specificate in 7A: T:1000 Nota: Il 7B003 comprende: a) stazioni di collaudo per la messa a punto di giroscopi, b) stazioni di equilibratura dinamica di giroscopi, c) stazioni di collaudo per il rodaggio di motori di trascina- mento di giroscopi, d) stazioni di svuotamento e di riempimento di giroscopi, e) dispositivi di centrifugazione per cuscinetti di giroscopi, f) stazioni di allineamento dell’asse degli accelerometri.
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7B102 Riflettometri appositamente progettati per la qualifi- A.4 PGO (M) cazione di specchi per giroscopi a laser, aventi un li- T:1000 vello di precisione di misura uguale o inferiore a (migliore di) 50 ppm. 7B103 Mezzi di produzione appositamente progettati per la A.4 PGO (M) produzione dei complessi di guida specificati in T:1000
7C Materiali Nessuno
7D Software 7D001 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W,M) lo sviluppo o la produzione di apparecchiature speci- T:nessuna 7D002 Software (solo codice sorgente) per l’utilizzazione di A.4 PGO (W,M) qualsiasi apparecchiatura di navigazione inerziale, T:nessuna comprese le apparecchiature inerziali non sottoposte ad autorizzazioni in 7A003 o 7A004 o sistemi di rife- rimento di rotta e di assetto (AHRS) cardanici. Nota: Il 7D002 non sottopone ad autorizzazione i codici sorgente per l’utilizzazione di sistemi di riferimento di rotta e di assetto (AHRS) cardanici. Nota tecnica: I sistemi di riferimento di rotta e di assetto (AHRS) differisco- no generalmente dai sistemi di navigazione inerziali in quanto i sistemi AHRS forniscono informazioni relative alla rotta ed all’assetto e normalmente non forniscono le informazioni sull’accelerazione, la velocità e la posizione associate ai siste- mi di navigazione inerziale.
7D003 Altro software, come segue: (W) a) software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO migliorare le prestazioni operative o ridurre l’errore T:nessuna di navigazione dei sistemi fino ai livelli specificati in b) software (solo codice sorgente) per sistemi ibridi in- A.4 PGO tegrati in grado di migliorare le prestazioni operative T:nessuna o di ridurre l’errore di navigazione dei sistemi fino al livello specificato in 7A003, mediante combinazione continua dei dati inerziali con uno dei dati di naviga- zione seguenti:
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1. velocità di radar Doppler,
2. riferimenti di posizionamento globale tramite sa-
tellite (GPS o GLONASS) o
3. base di dati del terreno;
c) software (solo codice sorgente) per sistemi avionici A.4 PGO integrati o sistemi di missione in grado di combinare T:nessuna dati di sensori e di utilizzare sistemi esperti; d) software (solo codice sorgente) per lo sviluppodi uno A.4 PGO degli elementi seguenti: T:nessuna
1. sistemi numerici di gestione del volo per il con-
trollo globale del volo,
2. sistemi integrati di controllo della propulsione e
del volo,
3. sistemi di controllo di volo elettrici (“fly-by-wire”)
o a fibre ottiche (“fly-by-light”),
4. sistemi di controllo attivo di volo con tolleranza
del guasto o autoriconfiguranti,
5. apparecchiature goniometriche avioniche automa-
tiche,
6. centrali aerodinamiche basate su dati statici di su-
perficie o
7. visualizzatori del tipo a testa alta a scansione
(Head-up-displays) o visualizzatori tridimensiona- li. e) software di progettazione assistita da calcolatore A.4 esente (CAD) appositamente progettato per lo sviluppodi si- T:nessuna stemi di controllo attivo di volo, di comandi per si- stemi di comando di volo elettrici o a fibre ottiche a più assi per elicotteri o sistemi anticoppia con co- mando di circolazione o comando di direzione con comando di circolazione la cui tecnologia è specifi- 7D101 Software appositamente progettato per l’utilizza- A.4 PGO (M) zione delle apparecchiature specificate in 7A001 fino T:nessuna 7D102 Software di integrazione per le apparecchiature spe- A.4 PGO
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7D103 Software appositamente progettato per modellare o A.4 PGO (M) simulare i complessi di guida specificati in 7A117 o T:nessuna per l’integrazione di progetto con i veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o con razzi sonda specificati in 9A104. Nota: L’autorizzazione per l’esportazione del software specificato in 7D103 è richiesta solo quando detto software è combinato con i calcolatori appositamente progettati specificati in 4A102.
7E Tecnologia 7E001 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia, per lo sviluppo di apparecchiature o di T:nessuna 7E002 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia, per la produzione di apparecchiature spe- T:nessuna 7E003 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia, per la riparazione, la revisione o la rimes- T:nessuna sa a nuovo di apparecchiature specificate in 7A001 Nota: Il 7E003 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia di ma- nutenzione direttamente associata alla calibrazione, alla rimo- zione o sostituzione di unità intercambiabili in linea (UIL) e di assiemi rimpiazzabili in laboratorio danneggiati o non ripara- bili di aeromobili civili come descritto per la manutenzione di primo livello o di secondo livello. (Confronta note tecniche relative al 7B001). 7E004 Altre tecnologie, come segue: a) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di: (W) 1. apparecchiature goniometriche avioniche automa- A.4 esente tiche funzionanti con frequenze superiori a 5 MHz; T:nessuna (W) 2. centrali aerodinamiche basate esclusivamente su A.4 esente dati statici di superficie, cioè che eliminano la ne- T:nessuna cessità di sensori aerodinamici convenzionali; (W) 3. visualizzatori del tipo a testa alta a scansione A.4 esente (Head-up-displays) o tridimensionali per aereomo- T:nessuna bili; (W,M) 4. sistemi di navigazione inerziale o bussole giroa- A.4 PGO strali contenenti accelerometri o giroscopi specifi- T:nessuna
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(W) 5. attuatori elettrici (cioè insiemi di attuatori elettro- A.4 esente meccanici, elettroidrostatici ed integrati) apposita- T:nessuna mente progettati per il controllo di volo primario; (W) 6. rete di sensori ottici per il controllo di volo (flight A.4 esente control optical sensor array) appositamente pro- T:nessuna gettata per il funzionamento di sistemi di controllo attivo di volo; b) tecnologia di sviluppo, come segue, per i sistemi di controllo attivo di volo(compresi i comandi di volo elettrici o a fibre ottiche): (W) 1. progettazione di configurazione per A.4 esente l’interconnessione di più elementi di trattamento T:nessuna microelettronici (calcolatori di bordo) per ottenere il trattamento in tempo reale per l’applicazione delle leggi di controllo; (W) 2. compensazione delle leggi di controllo per tener A.4 esente conto della localizzazione di sensori o di carichi T:nessuna dinamici della cellula, cioè compensazione dell’ambiente vibratorio dei sensori o dello spo- stamento della localizzazione dei sensori con rife- rimento al centro di gravità; (W) 3. gestione elettronica della ridondanza dei dati o A.4 esente della ridondanza dei sistemi, per la rilevazione di T:nessuna avarie, la tolleranza ai guasti, la localizzazione di guasti o la riconfigurazione; Nota: Il 7E004b3 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia di progettazione della ridondanza fisica. (W) 4. comandi di volo che permettono la riconfigurazio- A.4 esente ne in volo dei comandi di forza e di momento per T:nessuna il comando autonomo in tempo reale del veicolo aereo; (W,M) 5. integrazione di dati di controllo numerico di volo, A.4 PGO di navigazione e di propulsione in un sistema nu- T:nessuna merico di gestione del volo per il controllo globale del volo; Nota: Il 7E004b5 non sottopone ad autorizzazione:
1. la tecnologia di sviluppo per l’integrazione dei dati di con-
trollo numerico di volo, di navigazione e di propulsione in un sistema numerico di gestione del volo per l’ottimizzazione della traiettoria di volo;
2. Tecnologia per lo sviluppo di sistemi aeronautici di stru-
menti integrati di volo solo per la navigazione o l’avvicinamento VOR, DME, ILS o MLS.
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(W) 6. sistemi elettronici a controllo numerico per la rego- A.4 esente lazione completamente automatica dei motori o si- T:nessuna stemi di gestione di missione a più sensori compren- denti sistemi esperti; Nota: Per la tecnologia dei sistemi elettronici a controllo numerico per la regolazione completamente automatica dei motori (FADEC), confronta 9E003a9. (W) c) tecnologia per lo sviluppo di sistemi di elicotteri come A.4 esente segue: T:nessuna
1. comandi di volo elettrici o a fibre ottiche a più assi
che combinano in un solo elemento di comando al- meno due delle funzioni seguenti: a) comandi generali di passo, b) comandi ciclici di passo, c) comandi di imbardata;
2. sistema anticoppia con comando di circolazione o
comando di direzione con comando di circolazione;
3. pale di rotori di elicotteri che incorporano profili ae-
rodinamici a geometria variabile per sistemi che utilizzano il comando individuale delle pale. 7E101 Tecnologia, in conformità alla Nota generale della tec- A.4 PGO (M) nologia, per l’utilizzazione di apparecchiature specifi- T:nessuna 7E102 Tecnologia per la protezione di sottosistemi avionici ed A.4 PGO (M) elettrici contro i pericoli dell’impulso elettromagnetico T:nessuna (EMP) e dell’interferenza elettromagnetica (EMI) da sorgenti esterne, come segue: a) tecnologia per la progettazione di sistemi di scherma- tura; b) tecnologia per la progettazione di configurazione di circuiti e sottosistemi elettrici resistenti alle radiazioni; c) tecnologia di progettazione per la determinazione dei criteri per rendere i prodotti di cui ai precedenti 7E102a e b resistenti alle radiazioni. 7E104 Tecnologia per l’integrazione dei dati di comando di A.4 PGO (M) volo, di guida e di propulsione in un sistema di gestioneT:nessuna del volo per l’ottimizzazione della traiettoria di un si- stema con propulsione a razzo.
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8 Materiale navale
8A Sistemi, apparecchiature e componenti 8A001 Veicoli sommergibili e navi di superficie, come segue: (W) Nota: Per le condizioni di esportabilità delle apparecchiature per vei- coli sommergibili, confronta la categoria 5, parte 2 Sicurezza dell’informazione per le apparecchiature di comunicazione che utilizzano la crittografia, la categoria 6 per i sensori, le catego- rie 7 e 8 per le apparecchiature di navigazione, la categoria 8A per le apparecchiature subacquee. a) veicoli sommergibili collegati (tethered), con equi- A.4 esente paggio, progettati per funzionare a profondità supe- T:5000 riori a 1000 m; b) veicoli sommergibili non collegati (untethered), con A.4 PGO equipaggio, aventi una delle caratteristiche seguenti: T:1000
1. progettati per funzionare in modo autonomo ed
aventi una capacità di sollevamento di: a) 10% o più del loro peso in aria e b) 15 kN o più;
2. progettati per funzionare a profondità superiori a
1000 m o
3. aventi tutte le caratteristiche seguenti:
a) progettati per trasportare un equipaggio di 4 persone o più; b) progettati per funzionare in modo autonomo per
10 ore o più;
c) aventi un raggio di azione di 25 miglia nautiche o più e d) aventi una lunghezza di 21 m o meno; Note tecniche:
1. Ai fini dell’8A001b, per “funzionare in modo autonomo”
si intende la condizione per cui un sommergibile avente un sistema di propulsione per l’impiego in immersione o in superficie, senza presa d’aria (snorkel) con tutti i si- stemi in funzione, navigando totalmente immerso alla velocità minima, può controllare con assoluta sicurezza la sua profondità in modo dinamico utilizzando soltanto le sue alette di profondità, senza alcuna necessità di una nave appoggio o di una base d’appoggio in superficie, sul fondo del mare o sulla costa.
2. Ai fini dell’8A001b, per «raggio di azione» si intende
metà della distanza massima che può essere coperta da un veicolo sommergibile.
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c) veicoli sommergibili collegati (tethered), senza equi- A.4 PGO paggio, progettati per funzionare a profondità supe- T:5000 riori a 1000 m, aventi una delle caratteristiche se- guenti:
1. progettati per manovrare autonomamente mediante
l’uso di motori di propulsione o sistemi di spinta (thrusters) specificati in 8A002a2 o
2. aventi un collegamento per scambio di dati a fibre
ottiche; d) veicoli sommergibili non collegati (untethered), senza A.4 PGO equipaggio aventi una delle caratteristiche seguenti: T:1000
1. progettati per determinare una traiettoria relativa a
un qualsiasi riferimento geografico senza assisten- za umana in tempo reale;
2. aventi un collegamento per scambio di dati o di
comando acustici o
3. aventi un collegamento di scambio di dati o di co-
mando a fibre ottiche di lunghezza superiore a
1000 m;
e) sistemi di recupero oceanici aventi una capacità di A.4 esente sollevamento superiore a 5 MN per il recupero di og- T:5000 getti situati a profondità superiori a 250 m e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. sistemi dinamici di posizionamento in grado di
mantenere la posizione entro 20 m da un determi- nato punto fornito dal sistema di navigazione o
2. sistemi di navigazione su fondali marini e di inte-
grazione dei sistemi di navigazione per profondità superiori a 1000 m con precisioni di posiziona- mento entro 10 m da un punto predeterminato; f) veicoli ad effetto di superficie (del tipo a gonna com- pleta) aventi tutte le caratteristiche seguenti:
1. velocità massima prevista, a pieno carico, superio- A.4 esente
re a 30 nodi in una altezza significativa di onda di T:5000 1,25 m (stato del mare forza 3) o più;
2. pressione del cuscino superiore a 3830 Pa e
3. un rapporto di spostamento nave scarica/pieno ca-
rico inferiore a 0,7; g) veicoli ad effetto di superficie (del tipo a scafo late- A.4 esente rale) con velocità massima prevista, a pieno carico, T:5000 superiore a 40 nodi in una altezza significativa di on- da di 3,25 m (stato del mare forza 5) o più;
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h) aliscafi dotati di sistemi attivi per il controllo auto- A.4 esente matico dei sistemi di alette con velocità massima pre- T:5000 vista, a pieno carico, di 40 nodi o più in una altezza significativa di onda di 3,25 m (stato del mare forza 5) o più; i) navi di superficie a piccola area di galleggiamento A.4 esente SWATH (Small Waterplane Area Twin-Hull) aventi T:5000 una delle caratteristiche seguenti:
1. un dislocamento, a pieno carico, superiore a 500
tonnellate, con una velocità massima prevista, a pieno carico, superiore a 35 nodi in un’altezza si- gnificativa di onda di 3,25 m (stato del mare forza 5) o più o
2. un dislocamento a pieno carico superiore a 1500
tonnellate con una velocità massima prevista, a pieno carico, superiore a 25 nodi in un’altezza si- gnificativa di onda di 4 m (stato del mare forza 6) o più; Nota tecnica: Le navi di superficie a piccola area di galleggiamento so- no definite dalla formula seguente: area della superficie di galleggiamento, con l’immersione prevista nelle con- dizioni operative di progetto, inferiore a 2×(volume spo- stato all’immersione prevista nelle condizioni operative di progetto)2/3.
8A002 Sistemi e apparecchiature, come segue: (W) Nota: Per i sistemi di comunicazione subacquei, confronta la catego- ria 5, parte 1 – Telecomunicazioni a) sistemi o apparecchiature appositamente progettati o A.4 esente modificati per i veicoli sommergibili, progettati per T:5000 funzionare a profondità superiori a 1000 m, come se- gue:
1. camere pressurizzate o scafi pressurizzati aventi il
diametro interno massimo della camera interna su- periore a 1,5 m;
2. motori di propulsione o sistemi di spinta a corrente
continua;
3. cavi ombelicali e loro connettori, utilizzanti fibre
ottiche ed aventi elementi di rinforzo sintetici;
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b) sistemi appositamente progettati o modificati per il A.4 PGO controllo automatico del moto di apparecchiature per T:5000 veicoli sommergibili specificati in 8A001 mediante l’uso di dati di navigazione o dotati di servocomandi a circuito chiuso per:
1. consentire al veicolo di muoversi entro 10 m da un
punto predeterminato nella colonna d’acqua;
2. mantenere la posizione del veicolo entro 10 m da
un punto predeterminato nella colonna d’acqua o
3. mantenere la posizione del veicolo entro 10 m nel
seguire un cavo situato sopra o sotto il fondo mari- no; c) penetratori o connettori a fibre ottiche di carene; A.4 esente T:5000 d) sistemi di visione subacquea, come segue: A.4 esente
1. sistemi televisivi e telecamere, come segue: T:5000
a) sistemi televisivi (comprendenti telecamera, ap- parecchiature di sorveglianza e di trasmissione dei segnali) aventi risoluzione limite, misurata in aria, maggiore di 800 righe e appositamente progettati o modificati per funzionare con co- mandi a distanza con veicoli sommergibili; b) telecamere subacquee aventi risoluzione limite, misurata in aria, maggiore di 1100 righe; c) telecamere per bassi livelli luminosi apposita- mente progettate o modificate per l’impiego subacqueo, contenenti tutti i seguenti elementi:
1. tubi intensificatori di immagini specificati in
2. più di 150i000 pixel attivi per elemento di
superficie sensibile; Nota tecnica: La «risoluzione limite» in televisione è la misura della ri- soluzione orizzontale generalmente espressa in ragione del numero massimo di righe in rapporto all’altezza del quadro discriminato sul diagramma di prova, usando le norme standard IEEE 208/1960 o norme equivalenti.
2. sistemi, appositamente progettati o modificati per
funzionare con comandi a distanza con un veicolo sommergibile, che impiegano tecniche destinate a minimizzare gli effetti della retrodiffusione lumi- nosa, compresi i dispositivi di tomoscopia ad im- pulsi di luce (range-gated illuminators) o sistemi laser;
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e) apparecchi fotografici appositamente progettati o A.4 esente modificati per impiego subacqueo al di sotto di 150 T:5000 m, aventi un formato di pellicola di 35 mm o maggio- re e aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. annotazione sulla pellicola di dati forniti da una
sorgente esterna all’apparecchio;
2. correzione automatica della distanza retrofocale o
3. controllo della compensazione automatica apposi-
tamente progettato per consentire ad un contenito- re subacqueo dell’apparecchio fotografico di essere utilizzabile a profondità superiori a 1000 m; f) sistemi per l’immagine elettronica appositamente A.4 esente progettati o modificati per l’impiego subacqueo in T:5000 grado di immagazzinare numericamente più di 50 immagini impressionate; g) sistemi luminosi, come segue, appositamente proget- A.4 esente tati o modificati per impiego subacqueo: T:5000
1. sistemi luminosi stroboscopici in grado di assicura-
re un’energia luminosa di uscita superiore a 300 J per lampo e una velocità del lampo di oltre 5 lam-
2. sistemi luminosi ad arco ad argon appositamente
progettati per essere utilizzati a profondità inferiori a 1000 m; h) robot appositamente progettati per l’impiego subac- A.4 PGO queo, controllati tramite un calcolatore specializzato T:5000 a programma registrato aventi una delle caratteristi- che seguenti:
1. sistemi di controllo del robot che utilizzano infor-
mazioni provenienti dai sensori che misurano la forza o la coppia applicate ad un oggetto esterno, la distanza da un oggetto esterno o la percezione tattile tra il robot e l’oggetto esterno o
2. in grado di esercitare una forza di 250 N o più o
una coppia di 250 Nm o più ed utilizzanti leghe di titanio o di materiali compositi fibrosi o filamento- si nei loro elementi di struttura; i) manipolatori articolati controllati a distanza, apposi- A.4 esente tamente progettati o modificati per essere utilizzati T:5000 con veicoli sommergibili aventi una delle caratteristi- che seguenti:
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1. sistemi di controllo del manipolatore che utilizza-
no le informazioni provenienti dai sensori che mi- surano la forza o la coppia applicate ad un oggetto esterno, o la percezione tattile tra il manipolatore e l’oggetto esterno o
2. controllati da tecniche proporzionali principale-
secondario o mediante l’uso di un calcolatore spe- cializzato a programma registrato, ed aventi cinque gradi di libertà del movimento o più; Nota: Solo le funzioni aventi un controllo proporzionale con retroazione di posizionamento o con calcolatore specia- lizzato a programma registrato devono essere considerate per la determinazione dei gradi di libertà del movimento; j) sistemi di alimentazione non dipendenti dall’aria, ap- A.4 PGO positamente progettati per impiego subacqueo, come T:5000 segue:
1. sistemi di alimentazione non dipendenti dall’aria
con motore a ciclo Brayton o Rankine, aventi uno degli elementi seguenti: a) sistemi chimici di depurazione o di assorbi- mento appositamente progettati per l’eliminazione dell’anidride carbonica, dell’ossido di carbonio e delle microparticelle provenienti dal riciclaggio dello scappamento del motore; b) sistemi appositamente progettati per l’impiego di un gas monoatomico; c) dispositivi o involucri appositamente progettati per ridurre il rumore subacqueo in frequenze inferiori a 10 kHz, o dispositivi speciali di montaggio per ammortizzare gli urti o d) sistemi appositamente progettati per:
1. pressurizzare i prodotti della reazione o per la
nuova formazione di combustibile;
2. immagazzinare i prodotti della reazione e
3. scaricare (discharge) i prodotti della reazione
contro una pressione di 100 kPa o più;
2. sistemi di alimentazione non dipendenti dall’aria
con motore a ciclo diesel aventi tutti gli elementi seguenti:
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a) sistemi chimici di depurazione o di assorbi- mento appositamente progettati per l’elimina- zione dell’anidride carbonica, dell’ossido di carbonio e delle microparticelle provenienti dal riciclaggio dello scappamento del motore; b) sistemi appositamente progettati per l’impiego di un gas monoatomico; c) dispositivi o involucri appositamente progettati per ridurre il rumore subacqueo in frequenze inferiori a 10 kHz, o appositi dispositivi di montaggio per ammortizzare gli urti e d) sistemi di scarico appositamente progettati per non scaricare in modo continuo i prodotti della combustione;
3. sistemi di alimentazione non dipendenti dall’aria a
pile a combustibile con potenza di uscita superiore a 2 kW e aventi uno degli elementi seguenti: a) dispositivi o involucri appositamente progettati per ridurre il rumore subacqueo in frequenze inferiori a 10 kHz, o dispositivi speciali di montaggio per ammortizzare gli urti o b) sistemi appositamente progettati per:
1. pressurizzare i prodotti di reazione o per la
nuova formazione di combustibile;
2. immagazzinare i prodotti della reazione e
3. scaricare (discharge) i prodotti della reazione
contro una pressione di 100 kPa o più;
4. sistemi di alimentazione non dipendenti dall’aria
con motori a ciclo Stirling aventi tutti gli elementi seguenti: a) dispositivi o involucri appositamente progettati per ridurre il rumore subacqueo in frequenze inferiori a 10 kHz o dispositivi speciali di mon- taggio per ammortizzare gli urti e b) sistemi di scarico appositamente progettati per scaricare (discharge) i prodotti della combustio- ne contro una pressione di 100 kPa o più; k) gonne, giunti e dita, aventi una delle caratteristiche A.4 esente seguenti: T:5000
1. progettati per pressioni di cuscino di 3830 Pa o
più, funzionanti in un’altezza significativa di onda di 1,25 m (stato del mare forza 3) o più e apposi- tamente progettati per veicoli a effetto di superficie (del tipo a gonna completa) specificati in 8A001f o
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2. progettati per pressioni di cuscino di 6224 Pa o
più, funzionanti in un’altezza significativa di on- da di 3,25 m (stato del mare forza 5) o più e ap- positamente progettati per veicoli ad effetto di su- perficie (del tipo a scafo laterale), specificati in l) eliche di sollevamento previste per più di 400 kW A.4 esente appositamente progettate per veicoli ad effetto di su- T:5000 m) profili idrodinamici totalmente immersi subcavitanti A.4 esente e supercavitanti appositamente progettati per le navi T:5000 specificate in 8A001h; n) sistemi attivi appositamente progettati o modificati A.4 esente per il controllo automatico del movimento causato T:5000 dal mare su veicoli o navi specificati in 8A001f, o) eliche, sistemi di trasmissione di potenza, sistemi di A.4 esente generazione di potenza e sistemi di riduzione del T:5000 rumore, come segue:
1. sistemi di eliche propulsive o sistemi di trasmis-
sione di potenza, come segue, appositamente pro- gettati per veicoli ad effetto di superficie (del tipo a gonna completa o a scafo laterale), aliscafi o navi di superficie a piccola area di galleggiamento spe- a) eliche supercavitanti, superventilate, parzial- mente immerse o penetranti la superficie, previ- ste per più di 7,5 MW; b) sistemi di eliche controrotanti previste per più di 15 MW; c) sistemi che utilizzano tecniche di distribuzione o di raddrizzamento del flusso nelle eliche; d) ingranaggi leggeri di riduzione ad alto rendi- mento (fattore K superiore a 300); e) sistemi di alberi di trasmissione di potenza com- prendenti componenti in materiali compositi, in grado di trasmettere più di 1 MW;
2. eliche propulsive, sistemi di generazione o di tra- A.4 esente
smissione di potenza destinati ad essere utilizzati T:5000 su navi, come segue: a) eliche a passo regolabile e assiemi mozzo previ- sti per più di 30 MW;
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b) motori elettrici di propulsione con raffredda- mento interno a liquido aventi una potenza di uscita superiore a 2,5 MW; c) motori di propulsione a superconduttori, o mo- tori di propulsione elettrici a magnete perma- nente, con potenza di uscita superiore a 0,1 MW; d) sistemi di alberi di trasmissione, comprendenti componenti in materiali compositi, in grado di trasmettere più di 2 MW; e) sistemi di eliche ventilate o a base ventilata pre- viste per più di 2,5 MW;
3. sistemi di riduzione del rumore progettati per A.4 PGO
l’impiego su navi con dislocamento uguale o supe- T:1000 riore a 1000 tonnellate, come segue: a) sistemi che attenuano il rumore subacqueo a frequenze inferiori a 500 Hz e consistenti in montaggi acustici composti per l’isolamento acustico di motori diesel, di gruppi elettrogeni a diesel, di turbine a gas, di gruppi elettrogeni a turbina a gas, di motori di propulsione o di in- granaggi di riduzione di propulsione apposita- mente progettati per l’isolamento del suono o delle vibrazioni, aventi una massa intermediaria superiore al 30% dell’apparecchiatura da monta- re; b) sistemi attivi di riduzione o di cancellazione del rumore, o cuscinetti magnetici, appositamente progettati per sistemi di trasmissione di potenza, che incorporano sistemi di controllo elettronico in grado di ridurre in maniera attiva le vibrazio- ni delle apparecchiature mediante la generazione di segnali antirumore o antivibrazione diretta- mente alla sorgente; p) sistemi di propulsione a getto d’acqua con potenza di A.4 PGO uscita superiore a 2,5 MW che utilizzano tecniche di T:5000 ugelli divergenti e di palette per la regolarizzazione del flusso per migliorare l’efficienza propulsiva o ri- durre il rumore subacqueo generato dalla propulsio- ne; q) autorespiratore a circuito chiuso o semichiuso (di A.4 esente rinnovo dell’aria) per immersioni e nuoto subacqueo. T:5000
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8B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 8B001 Gallerie idrodinamiche aventi un rumore di fondo in- A.4 esente (W) feriore a 100 dB (riferito ad 1 Pa a 1 Hz) nella gam- T:5000 ma di frequenze comprese tra 0 e 500 Hz, progettate per misurare i campi acustici creati da un flusso idraulico intorno a modelli di sistemi di propulsione.
8C Materiali 8C001 «Schiuma sintattica» progettata per uso subacqueo, A.4 esente (W) avente tutte le caratteristiche seguenti: T:5000 a) progettata per profondità marine superiori a 1000 m e b) avente una densità inferiore a 561 kg/m3. Nota tecnica: La «schiuma sintattica» è costituita da sfere cave di plastica o di vetro annegate in una matrice di resina.
8D Software 8D001 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W) lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparec- T:nessuna chiature o materiali specificati in 8A, 8B o 8C. 8D002 Software specifico appositamente progettato o modi- A.4 PGO (W) ficato per lo sviluppo, la produzione, la riparazione, T:nessuna revisione o rimessa a nuovo (re-machining) di eliche appositamente progettate per la riduzione del rumore subacqueo.
8E Tecnologia 8E001 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W) tecnologia per lo sviluppo o la produzione di apparec- T:nessuna chiature o materiali specificati in 8A, 8B o 8C. 8E002 Altra tecnologia, come segue: (W) a) tecnologia per lo sviluppo, la produzione, la ripara- A.4 PGO zione, la revisione o la rimessa a nuovo (re- T:nessuna machining) di eliche appositamente progettate per la riduzione del rumore subacqueo; b) tecnologia per la revisione o la rimessa a nuovo di A.4 esente apparecchiature specificate in 8A001 o 8A002b, T:nessuna
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9 Sistemi di propulsione, veicoli spaziali e
relative apparecchiature 9A Sistemi, apparecchiature e componenti Nota: Per i sistemi di propulsione progettati o previsti per resistere alle radiazioni neutroniche o alle radiazioni ionizzanti transito- rie, confronta l’allegato 3.
9A001 Motori aeronautici a turbina a gas che incorporano A.4 PGO (W,M) almeno una qualsiasi delle tecnologie specificate in T:5000 9E003a, come segue: Nota: Confronta anche 9A101. a) non omologati per gli specifici aeromobili civili ai quali sono destinati; b) non omologati per uso civile dalle autorità dell’aviazione civile di uno Stato partecipante; c) progettati per assicurare velocità di crociera superiori a 1,2 Mach per più di 30 minuti. 9A002 Motori marini a turbina a gas aventi una potenza A.4 esente (W) standard continua ISO uguale o superiore a 24245 T:5000 kW ed un consumo specifico di carburante inferiore a 0,219 kg/kWh in qualsiasi punto della gamma di potenza dal 35% al 100%, e loro assiemi e compo- nenti appositamente progettati. Nota: Il termine «motori marini a turbina a gas» comprende i motori industriali o quelli derivati di motori aeronautici, motori a tur- bina a gas adattati per la generazione di corrente elettrica a bordo delle navi o per la loro propulsione. 9A003 Assiemi e componenti appositamente progettati, che A.4 esente (W) incorporano una delle tecnologie specificate in T:5000 9E003a, per i seguenti sistemi di propulsione di mo- tori a turbina a gas: a) specificati in 9A001, b) di progettazione o produzione originarie da Stati non partecipanti o sconosciute al costruttore. 9A004 Veicoli di lancio nello spazio e veicoli spaziali. A.4 PGO (W,M) Nota: T:5000
1. Il 9A004 non sottopone ad autorizzazione i carichi utili.
2. Per le condizioni di esportabilità delle merci contenute nei
carichi utili dei veicoli spaziali, confronta la categoria 1C. Nota complementare: Confronta anche 9A104.
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9A005 Sistemi di propulsione a razzo a propellente liquido A.4 PGO (W,M) contenenti uno dei sistemi o componenti specificati in T:5000 Nota:
9A006 Sistemi e componenti appositamente progettati per sistemi di propulsione a razzo a propellente liquido, come segue: Nota: (W) a) criorefrigeratore, vasi di Dewar di peso idoneo ad es- A.4 esente sere aerotrasportati, tubi di calore criogenici o sistemi T:5000 criogenici appositamente progettati per essere utiliz- zati nei veicoli spaziali ed in grado di limitare le per- dite di fluido criogenico a meno del 30% per anno; (W) b) contenitori criogenici o sistemi di refrigerazione a ci- A.4 esente clo chiuso in grado di assicurare temperature uguali o T:5000 inferiori a 100 K (–173°C) per aeromobili in grado di effettuare un volo prolungato a velocità superiori a 3 Mach, veicoli di lancio o veicoli spaziali; (W) c) sistemi di trasferimento o di stoccaggio dell’idrogeno A.4 esente semidenso (slush hydrogen); T:5000 (W,M) d) turbo-pompe ad alta pressione (superiore a 17,5 A.4 PGO MPa), componenti di pompe o loro sistemi associati T:5000 di trasmissione del moto di turbine a ciclo di espan- sione o loro generatori a gas; (W,M) e) camere di spinta ad alta pressione (superiore a 10,6 A.4 PGO MPa) e loro ugelli; T:5000 (W) f) sistemi di stoccaggio del propellente basati sul prin- A.4 esente cipio della ritenzione capillare o dell’espulsione po- T:5000 sitiva (ad es. con serbatoi elastici); (W) g) iniettori di propellente liquido con orifizi individuali A.4 esente di diametro uguale o inferiore a 0,381 mm (un’area T:5000 uguale o inferiore a 1,14×10-3 cm2 per gli orifizi non circolari) appositamente progettati per motori a razzo a propellente liquido; (W) h) camere di spinta carbonio-carbonio costituite da un A.4 esente unico pezzo o coni di uscita carbonio- carbonio co- T:5000 stituiti da un unico pezzo con densità superiori a 1,4 g/cm3 e carichi di rottura superiori a 48 MPa.
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9A007 Sistemi di propulsione a razzo a propellente solido A.4 PGO (W,M) aventi una delle caratteristiche seguenti: T:1000 Nota: Confronta anche 9A119. a) capacità di impulso totale superiore a 1,1 Mns; b) impulso specifico uguale o superiore a 2,4 kNs/kg quando il flusso dell’ugello è espanso alle condizioni standard di livello del mare per una pressione di ca- mera regolata di 7 Mpa; c) frazioni della massa per stadio superiori all’88% e ca- rica totale del propellente solido superiore all’86%; d) presenza di uno dei componenti specificati in 9A008 o e) sistemi di incollaggio del propellente e dell’isolante utilizzanti i criteri di incollaggio diretto del motore per assicurare un «forte collegamento meccanico» o per costituire una barriera alla migrazione chimica tra il propellente solido ed il materiale di isolamento del contenitore. Nota tecnica: Ai fini del 9A007e, un «forte collegamento meccanico» è definito come una forza di collegamento uguale o superiore alla forza del propellente.
9A008 Componenti, come segue, appositamente progettati per i sistemi di propulsione a razzo a propellente so- lido: Nota: Confronta anche 9A108. (W,M) a) sistemi di incollaggio del propellente e dell’isolante A.4 PGO che impiegano elementi di rinforzo (liner) per assicu- T:1000 rare un «forte collegamento meccanico» o per costi- tuire una barriera alla migrazione chimica tra il pro- pellente solido ed il materiale di isolamento del contenitore; Nota tecnica: Ai fini del 9A008a, un «forte collegamento meccanico» è defi- nito come una forza di collegamento uguale o superiore alla forza del propellente. (W,M) b) contenitori di motori in filamento composito avvolto A.4 PGO aventi un diametro superiore a 0,61 m o rapporti di T:1000 rendimento strutturali (PV/W) superiori a 25 km;
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Nota tecnica: Il rapporto di rendimento strutturale (PV/W) è il prodotto della pressione di scoppio (P) moltiplicato per il volume del conte- nitore (V) diviso per il peso totale (W) del contenitore. (W,M) c) ugelli con livelli di spinta superiori a 45 kN o tassi A.4 PGO d’erosione del collo degli ugelli inferiori a 0,075 mm/s; T:1000 (W,M) d) ugelli mobili o sistemi di controllo della spinta del A.4 PGO vettore con iniezione secondaria di flusso in grado di T:1000 avere
1. un movimento su ogni asse superiore a ± 5°;
2. rotazioni angolari del vettore di 20°/s o più o
3. accelerazioni angolari del vettore di 40°/s2 o più.
9A009 Sistemi di propulsione ibridi a razzo con: A.4 PGO (W,M) Nota: T:1000 a) capacità di impulso totale superiore a 1,1 MNs o b) livelli di spinta superiori a 220 kN nelle condizioni di vuoto esterno. 9A010 Componenti, sistemi e strutture appositamente proget- A.4 PGO (W,M) tati per lanciatori e sistemi di propulsione di lanciatori T:1000 o veicoli spaziali, come segue: Nota: a) componenti e strutture, ciascuno di peso superiore a 10 kg, appositamente progettati per lanciatori fabbricati con materiali compositi a matrice metallica, materiali compositi organici, materiali a matrice ceramica o ma- teriali intermetallici rinforzati specificati in 1C007 o Nota: Il limite di peso per i coni d’ogiva non è rilevante. b) componenti e strutture appositamente progettati per sistemi di propulsione di lanciatori specificati in 9A005 fino a 9A009 fabbricati con materiali compositi a matrice metallica, materiali compositi organici, mate- riali a matrice ceramica o materiali intermetallici rin- c) componenti strutturali e sistemi di isolamento apposi- tamente progettati per controllare attivamente la distor- sione o la risposta dinamica di strutture di veicoli spa- ziali;
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d) motori a razzo a propellente liquido a impulsi con rapporti di spinta/peso uguali o superiori a 1 kN/kg e tempo di risposta (tempo necessario per raggiungere il 90% della spinta totale prevista dall’avviamento) inferiore a 30 ms. 9A011 Motori autoreattori, motori autoreattori supersonici A.4 PGO (W,M) o motori a ciclo combinato e loro componenti apposi- T:1000 tamente progettati. Nota:
9A101 Turboreattori leggeri e turboreattori leggeri a sof- A.4 PGO (M) fiante (inclusi motori turbocompositi) utilizzabili in T:1000 missili, diversi da quelli specificati in 9A001, come segue: a) motori aventi le due caratteristiche seguenti:
1. valore massimo di spinta maggiore di 1000 N (a
motore non installato) con l’esclusione dei motori omologati come civili con un valore massimo di spinta maggiore di 8890 N (a motore non installa- to) e
2. consumo specifico di carburante uguale o inferiore
a 0,13 kg/N/ora (al livello del mare in condizioni statiche e standard) o b) motori progettati o modificati per essere utilizzati nei missili. 9A104 Razzi sonda (sounding rockets) aventi una portata A.4 PGO (M) uguale o superiore a 300 km. T:1000 Nota: Confronta anche 9A004.
9A105 Motori a razzo a propellente liquido come segue: A.4 PGO (M) Nota: T:1000 Confronta anche 9A119. a) motori a razzo a propellente liquido utilizzabili in missili, diversi da quelli specificati in 9A005, aventi una capacità totale impulsiva uguale o superiore a 1,1 Mns;
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b) motori a razzo a propellente liquido utilizzabili in si- stemi completi a razzo o veicoli aerei senza equipag- gio, aventi una portata di almeno 300 km, diversi da quelli specificati in 9A005 o 9A105a, aventi una ca- pacità totale impulsiva uguale o superiore a 0,841 MNs. 9A106 Sistemi o componenti, diversi da quelli specificati in A.4 PGO (M) 9A006, utilizzabili in missili, come segue, apposita- T:1000 mente progettati per sistemi di propulsione a razzo a propellente liquido: a) rivestimenti ablativi per camere di spinta o di combu- stione; b) ugelli di razzi; c) sottosistemi per il controllo della spinta del vettore; Nota tecnica: Esempi di metodi per ottenere il controllo della spinta del vettore specificato in 9A106c:
1. ugelli flessibili,
2. iniezione di fluidi o gas secondari,
3. motori o ugelli orientabili,
4. deflessione del flusso dei gas di scarico (palette o sonde
del getto) o
5. alette correttrici di spinta.
d) sistemi di controllo per propellente liquido e ad im- pasto liquido (compresi gli ossidanti), e loro compo- nenti appositamente progettati, progettati o modificati per funzionare in ambienti con sollecitazione di vi- brazione di intensità superiore a 10 g*) valore efficace e frequenza compresa tra 20 Hz e 2000 Hz. Nota tecnica: Le uniche servovalvole e pompe specificate in 9A106d, so- no le seguenti: a) servovalvole progettate per portate uguali o superiori a
24 litri/min, ad una pressione assoluta uguale o superiore
a 7 MPa, aventi tempo di risposta dell’attuatore inferiore a 100 ms; b) pompe per propellenti liquidi, con velocità dell’albero uguale o superiore a 8000 giri/min o con pressioni di mandata uguali o superiori a 7 Mpa.
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9A107 Motori a razzo a propellente solido, utilizzabili in si- A.4 PGO (M) stemi completi a razzo o veicoli aerei senza equipaggio, T:1000 aventi una portata di 300 km, diversi da quelli specifi- cati in 9A007, aventi una capacità totale impulsiva uguale o superiore a 0,841 MNs. Nota: Confronta anche 9A119.
9A108 Componenti diversi da quelli specificati in 9A008, uti- A.4 PGO (M) lizzabili in missili, come segue, appositamente proget- T:1000 tati per sistemi di propulsione a razzo a combustibile solido: a) corpi di contenimento dei motori a razzo, loro rivesti- mento interno e loro isolante; b) ugelli di razzi; c) sottosistemi di controllo della spinta del vettore; Nota tecnica: Esempi di metodi per ottenere il controllo della spinta del vettore specificato in 9A108c:
1. ugelli flessibili,
2. iniezione di fluidi o gas secondari,
3. motori o ugelli orientabili,
4. deflessione del flusso dei gas di scarico (palette o sonde del
getto) o
5. alette correttrici di spinta.
9A109 Motori a razzo ibridi, utilizzabili in missili, diversi da A.4 PGO (M) quelli specificati in 9A009, e loro componenti apposi- T:1000 tamente progettati. Nota: Confronta anche 9A119.
9A110 Strutture composite, laminati e loro manufatti, diversi A.4 PGO (M) da quelli specificati in 9A010, appositamente progetta- T:1000 ti per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in impregnati con fibre di resina e manufatti con fibre a rivestimento metallico, costruiti con matrice organica o con matrice metallica che utilizzano rinforzi fibrosi o filamentosi aventi carico di rottura specifico a trazione superiore a 7,62×104 m e modulo specifico superiore a 3,18×106 m.
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Nota: Gli unici preimpregnati con fibre impregnate di resina specifi- cati in 9A110 sono quelli che utilizzano resine con temperatura di transizione del vetro (Tg), dopo il trattamento superiore a
418 K (145°C) determinata in conformità alla ASTM D4065 o
norme nazionali equivalenti. Nota complementare:
9A111 Motori pulsoreattori, utilizzabili in missili e loro A.4 PGO (M) componenti appositamente progettati. T:1000 Nota:
9A115 Apparecchiature di supporto per il lancio, progettate A.4 PGO (M) o modificate per i veicoli di lancio nello spazio speci- T:1000 ficati in 9A004 o i razzi sonda specificati in 9A104, come segue: a) apparati e dispositivi per il maneggio, il controllo, l’attivazione o il lancio; b) veicoli per il trasporto, il maneggio, il controllo, l’attivazione o il lancio. 9A116 Veicoli di rientro, utilizzabili in missili, e loro appa- A.4 PGO (M) recchiature progettate o modificate, come segue: T:1000 a) veicoli di rientro; b) scudi termici e loro componenti fabbricati in cerami- ca o in materiali ablativi; c) pozzi di calore e loro componenti fabbricati con ma- teriali leggeri e ad alta capacità termica; d) apparecchiature elettroniche appositamente progettate per veicoli di rientro. 9A117 Meccanismi di separazione di stadio, meccanismi di A.4 PGO (M) separazione e loro stadi intermedi, utilizzabili in mis- T:1000 sili. 9A118 Dispositivi per la regolazione della combustione uti- A.4 PGO (M) lizzabili nei motori, idonei nei missili, specificati in T:1000 9A119 Stadi individuali di razzi, utilizzabili in sistemi com- A.4 PGO (M) pleti a razzo o veicoli aerei senza equipaggio, aventi T:1000 una portata di 300 km, diversi da quelli specificati in
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9B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 9B001 Apparecchiature, utensili o montaggi appositamente (W) progettati, come segue, per la fabbricazione o la mi- sura di palette mobili, palette fisse o carenature di estremità fuse di turbine a gas (tip shroud castings): a) apparecchiature di solidificazione direzionale o di fu- A.4 esente sione monocristallina; T:5000 b) anime o gusci in ceramica; A.4 PGO T:5000 c) apparecchiature o utensili di fabbricazione di anime A.4 esente in ceramica; T:5000 d) apparecchiature di preparazione di modelli in cera di A.4 esente gusci in ceramica. T:5000 9B002 Sistemi di controllo in linea (tempo reale), strumen- A.4 esente (W) tazione (compresi i sensori) o apparecchiature auto- T:5000 matiche di acquisizione e trattamento di dati, apposi- tamente progettate per lo sviluppo di motori a turbina a gas o di loro assiemi o componenti, che comportano tecnologie specificate in 9E003a. 9B003 Apparecchiature appositamente progettate per la A.4 esente (W) produzione o il collaudo di elementi di tenuta a spaz- T:5000 zola di turbine a gas progettati per funzionare con velocità all’estremità dell’elemento di tenuta superio- ri a 335 m/s e temperature superiori a 773 K (500°C), e loro parti ed accessori appositamente progettati. 9B004 Utensili, matrici o montaggi per l’assemblaggio allo A.4 esente (W) stato solido (solide state joining) di componenti di T:5000 turbine a gas in titanio, in superleghe o combinazioni di sistemi disco-palette intermetalliche. 9B005 Sistemi di controllo in linea (tempo reale), strumen- A.4 PGO (W,M) tazione (compresi i sensori) o apparecchiature auto- T:1000 matiche di acquisizione e di trattamento di dati, ap- positamente progettati per l’impiego con gallerie aerodinamiche o dispositivi seguenti: Nota: Confronta anche Confronta anche 9B105.
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a) gallerie aerodinamiche progettate per velocità uguali o superiori a Mach 1,2, eccetto quelle appositamente progettate per scopi didattici ed aventi una dimensio- ne del vano (misurato lateralmente) inferiore a 250 mm. Nota tecnica: Per dimensione del vano di cui al 9B005a si intende il diame- tro del cerchio, il lato del quadrato o il lato maggiore del ret- tangolo, misurati lungo la dimensione maggiore del vano. b) dispositivi per la simulazione di tipologie di flusso a velocità superiori a Mach 5, comprese le gallerie ad impulso termico, le gallerie ad arco a plasma, i tubi ad onde d’urto, le gallerie ad onde d’urto, le gallerie a gas ed i cannoni a gas leggero o c) gallerie o dispositivi aerodinamici, diversi da quelli a due dimensioni, in grado di simulare flussi con nume- ro di Reynolds superiore a 25×106. 9B006 Apparecchiature di collaudo a vibrazioni acustiche in A.4 PGO (W,M) grado di produrre una pressione sonora a livelli T:1000 uguali o superiori a 160 dB (rapportato a 20 micro- pascal), con una potenza di uscita nominale uguale o superiore a 4kW ad una temperatura della cellula di collaudo superiore a 1273 K (1000°C), e loro riscal- datori a quarzo appositamente progettati. Nota: Confronta anche 9B106.
9B007 Apparecchiature appositamente progettate per il A.4 esente (W) controllo dell’integrità dei motori a razzo con tecni- T:5000 che non distruttive (NDT) diverse dall’analisi planare ai raggi X o dall’analisi fisica o chimica di base. 9B008 Trasduttori appositamente progettati per la misura A.4 esente (W) diretta dell’attrito sul rivestimento delle pareti di un T:5000 flusso di collaudo avente una temperatura di ristagno superiore a 833K (560°C). 9B009 Attrezzature appositamente progettate per la produ- A.4 esente (W) zione di componenti di rotori di motori a turbina ot- T:5000 tenuti con la metallurgia delle polveri, in grado di funzionare con cariche uguali o superiori al 60% del carico di rottura (UTS) e a temperature del metallo uguali o superiori a 873 K (600°C).
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9B105 Gallerie aerodinamiche per velocità uguali o superiori A.4 PGO (M) a 0,9 Mach, utilizzabili per missili e loro sottosistemi. T:1000 Nota: Confronta anche 9B005. 9B106 Camere ambientali e camere anecoiche, come segue: A.4 PGO (M) a) camere ambientali in grado di simulare le condizioni di T:1000 volo seguenti:
1. ambienti di vibrazione uguale o superiore a 10g*)
valore efficace fra 20 Hz e 2000 Hz e capacità di imprimere forze uguali o superiori a 5 kN e
2. altitudini uguali o superiori a 15i000 m o
3. temperature da almeno 223 K (–50°C) a 398 K
(+125°C); b) camere anecoiche in grado di simulare le condizioni di volo seguenti:
1. ambienti acustici con livello globale di pressione del
suono uguale o superiore a 140 dB (riferiti a 20 µPa) o con potenza di uscita nominale uguale o superiore a 4 kW e
2. altitudini uguali o superiori a 15i000 m o
3. temperature da almeno 223 K (–50°C) a 398 K
(+125°C). 9B115 Apparecchiature di produzione appositamente proget- A.4 PGO (M) tate per i sistemi, sottosistemi e componenti specificati T:1000 9B116 Mezzi di produzione appositamente progettati per i vei- A.4 PGO (M) coli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o per i T:1000 sistemi, sottosistemi e componenti specificati in 9A005 9B117 Banchi e stazioni di prova per motori a razzo a pro- A.4 PGO (M) pellente solido o liquido o motori a razzo, aventi una T:1000 delle due caratteristiche seguenti: a) in grado di sostenere più di 90 kN di spinta o b) in grado di misurare simultaneamente le tre compo- nenti di spinta assiale.
9C Materiali Nessuno
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9D Software 9D001 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W,M) lo sviluppo delle apparecchiature o della tecnologia T:nessuna 9D002 Software appositamente progettato o modificato per A.4 PGO (W,M) la produzione delle apparecchiature specificate in 9A T:nessuna 9D003 Software appositamente progettato o modificato per A.4 esente (W) l’utilizzazione di sistemi elettronici a controllo nume- T:nessuna rico per la regolazione completamente automatica di motori (FADEC, Full Authority Digital Electronic Eugine Control) per sistemi di propulsione specificati in 9A, o per le apparecchiature specificate in 9B, co- me segue: a) software di controlli elettronici numerici per sistemi di propulsione, impianti di collaudi aerospaziali o impianti di collaudo di motori aeronautici aerobici; b) software con tolleranza dei guasti utilizzato nei si- stemi FADEC per i sistemi di propulsione e loro im- pianti di collaudo associati. 9D004 Altro software, come segue: (W) a) software di flusso 2D o 3D viscoso, convalidato con A.4 PGO dati di collaudo ottenuti nella galleria aerodinamica o T:nessuna in volo, necessario per la creazione di modelli parti- colareggiati di flusso nei motori; (W,M) b) software per il collaudo di motori aeronautici a turbi- A.4 PGO na a gas o loro assiemi o componenti, appositamente T:nessuna progettato per l’acquisizione, l’affinamento e l’analisi dei dati in tempo reale, e con controllo di retroazione, comprese le variazioni dinamiche da apportare ai materiali sotto collaudo o alle condizioni di collaudo durante il collaudo stesso; (W) c) software appositamente progettato per il controllo A.4 PGO della solidificazione direzionale o delle fusioni mo- T:nessuna nocristalline; (W) d) software in codice sorgente, codice oggetto o codice A.4 esente macchina necessario per l’utilizzazionedi sistemi atti- T:nessuna vi di compensazione per il controllo del gioco di estremità delle pale dei rotori.
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Nota: Il 9D004d non sottopone ad autorizzazione il software inte- grato in apparecchiature non sottoposte ad autorizzazione o necessario alle operazioni di manutenzione legate alla calibra- zione, alla riparazione o all’aggiornamento dei sistemi di con- trollo del gioco per compensazione attiva.
9D101 Software appositamente progettato per l’utilizzazione A.4 PGO (M) di prodotti specificati in 9B105, 9B106, 9B116 o T:nessuna 9D103 Software appositamente progettato per modellare, A.4 PGO (M) simulare o per l’integrazione di progetto dei veicoli T:nessuna di lancio nello spazio specificati in 9A004 o dei razzi sonda specificati in 9A104, o dei sottosistemi specifi- Nota: Il software specificato in 9D103 è sottoposto ad autorizzazione quando combinato con i calcolatori appositamente progettati specificati in 4A102.
9E Tecnologia Nota: La tecnologia di sviluppo o di produzione specificata in 9E001-9E003 per motori a turbina a gas, rimane sottoposta ad autorizzazione quando viene usata come tecnologia di utilizza- zione per la riparazione, la revisione o la rimessa a nuovo. Non sono sottoposti ad autorizzazione: i dati tecnici, gli schemi o la documentazione destinati alle attività di manutenzione diret- tamente connesse con la calibrazione, la rimozione o la sostitu- zione di unità intercambiabili in linea danneggiate o inutilizza- bili, compresa la sostituzione di interi motori o di moduli di motori. 9E001 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia per lo sviluppo di apparecchiature o di T:nessuna 9E002 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (W,M) tecnologia, per la produzione di apparecchiature spe- T:nessuna Nota: Per la tecnologia di riparazione di strutture, laminati o mate- riali sottoposti ad autorizzazione, confronta 1E002f.
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9E003 Altre tecnologie, come segue: (W) a) tecnologia necessaria per lo sviluppo o la produ- zione di componenti o sistemi di motori a turbina a gas seguenti: n1. palette mobili, palette fisse o carenature di estre- A.4 PGO mità di turbine a gas (tip shroud) costruite con le- T:nessuna ghe ottenute per solidificazione direzionale (SD) o a monocristallo e previste per funzionare oltre
400 ore a 1273 K (1000°C) con una pressione di
200 Mpa (nell’orientamento cristallografico 001);
2. camere di combustione a duomo multiplo funzio- A.4 PGO
nanti a temperature medie all’uscita dei bruciato- T:nessuna ri, superiori a 1813 K (1540°C) o camere di com- bustione comprendenti camicie di combustione termicamente disaccoppiate (combustion liner), camicie non metalliche o contenitori non metalli- ci;
3. componenti fabbricati con materiali organici A.4 PGO
compositi progettati per funzionare al di sopra di T:nessuna
588 K (315°C), o con materiali compositi a ma-
trice metallica, materiali compositi a matrice ce- ramica, intermetallici o intermetallici rinforzati
4. palette mobili, palette fisse o carenature di estre- A.4 PGO
mità o altri componenti di turbina, non raffredda- T:nessuna ti, progettati per funzionare a temperature del gas uguali o superiori a 1323 K (1050°C);
5. palette mobili, palette fisse o carenature di estre- A.4 PGO
mità di turbina, raffreddate, diverse da quelle de- T:nessuna scritte in 9E003a1 esposte a temperature del gas uguali o superiori a 1643 K (1370°C);
6. combinazioni sistemi di palette-disco con giun- A.4 esente
zioni allo stato solido; T:nessuna
7. componenti di motori a turbina a gas che utiliz- A.4 esente
zano la tecnologia di saldatura per diffusione T:nessuna sottoposta ad autorizzazione da 2E003b;
8. componenti rotanti di motori a turbina a gas con A.4 PGO
tolleranza ai danni che utilizzano materiali otte- T:nessuna nuti con metallurgia delle polveri sottoposti ad autorizzazione da 1C002b;
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9. sistemi elettronici a controllo numerico per la re- A.4 PGO
golazione completamente automatica dei motori T:nessuna (FADEC) per motori a turbina a gas e motori a ciclo combinato, loro componenti e sensori di diagnostica connessi e loro componenti apposi- tamente progettati;
10. geometria variabile del flusso e sistemi di con- A.4 esente
trollo associati per: T:nessuna a) turbine a gas per generatori, b) turbine a soffiante o di potenza, c) ugelli di propulsione. Note:
1. La geometria variabile del flusso e i sistemi di con-
trollo di cui al 9E003a10 non comprendono i sistemi di palette direttori, le soffianti a passo variabile, gli statori variabili o le valvole di scarico per compres- sori.
2. Il 9E003a10 non sottopone ad autorizzazione la tec-
nologia di sviluppo o di produzione per la geometria variabile del flusso per gli inversori di spinta.
11. sistemi di controllo del gioco di estremità delle A.4 esente
pale dei rotori che utilizzano la tecnologia di T:nessuna compensazione attiva del rivestimento limitata ad una base di dati di progettazione e di sviluppo o
12. pale cave di soffianti a corda ampia senza am- A.4 esente
mortizzatori; T:nessuna b) tecnologia necessaria per lo sviluppo o la produzione A.4 esente di uno degli elementi seguenti: T:nessuna
1. modelli di gallerie aerodinamiche, equipaggiate
con sensori senza intrusione in grado di trasmettere dati dai sensori al sistema di acquisizione dati o
2. pale di elica o turbopropulsori in materiali compo-
siti in grado di assorbire più di 2000 kW a velocità di volo superiori a 0,55 Mach; c) tecnologia necessaria per lo sviluppo o la produzione A.4 esente di componenti di motori a turbina a gas che utilizza- T:nessuna no processi di foratura a laser, a getto d’acqua o a la- vorazione elettrochimica (ECM) o elettroerosiva (EDM), destinati a realizzare fori aventi una delle se- rie di caratteristiche seguenti:
1. Tutto quanto segue:
a) profondità superiori a 4 volte il loro diametro, b) diametri inferiori a 0,76 mm e c) angoli di incidenza uguali o inferiori a 25° o
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2. Tutto quanto segue:
a) profondità superiori a 5 volte il loro diametro, b) diametri inferiori a 0,4 mm e c) angoli di incidenza superiori a 25°; Nota tecnica: Ai fini del 9E003c, l’angolo di incidenza è misurato a partire da un piano tangente alla superficie di curvatura nel punto in cui l’asse del foro entra nella superficie di curvatura. d) tecnologia necessaria per uno dei seguenti fini: A.4 esente
1. sviluppo di sistemi di trasmissione di potenza di T:nessuna
elicotteri o sistemi di trasmissione di potenza di aerei ad ala basculante o a rotore basculante o
2. produzione di sistemi di trasmissione di potenza di
elicotteri o sistemi di trasmissione di potenza di aerei ad ala basculante o a rotore basculante; e) 1. tecnologia per lo sviluppo o la produzione di si- A.4 esente stemi di propulsione di veicoli terrestri con motore T:nessuna diesel alternativo aventi tutte le caratteristiche se- guenti: a) «volume del parallelepipedo» di 1,2 m3 o infe- riore; b) potenza di uscita globale superiore a 750 kW basata sulla norma CEE/ 80/1269 o sulla norma ISO 2534 o norme nazionali equivalenti e c) densità di potenza superiore a 700 kW/m3 di «volume del parallelepipedo»; Nota tecnica: Il «volume del parallelepipedo» è definito dal prodotto delle tre dimensioni perpendicolari misurate nella ma- niera seguente: Lunghezza: la lunghezza dell’albero a gomiti dalla flangia anteriore alla faccia del volano; Larghezza: la maggiore delle dimensioni seguenti: a) dimensione esterna da coperchio bilancieri a co- perchio bilancieri, b) dimensione degli spigoli esterni delle teste dei ci- lindri o c) diametro del carter del volano; Altezza: la maggiore delle dimensioni seguenti: a) dimensione dell’asse dell’albero a gomiti al filo su- periore del coperchio bilancieri (o della testa del cilindro) più due volte la corsa o b) diametro del carter del volano;
2. tecnologia necessaria per la produzione di compo-
nenti appositamente progettati, come segue, per motori diesel ad elevate prestazioni:
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a) tecnologia necessaria per la produzione di si- stemi motori aventi tutti i componenti seguenti che utilizzano materiali ceramici specificati in
1. camicie dei cilindri,
2. pistoni,
3. teste dei cilindri e
4. uno o più altri componenti (comprese valvole
di scarico, turbocompressori, guida valvole, assiemi valvole o iniettori di carburanti isola- ti); b) tecnologia necessaria per la produzione di si- stemi turbocompressori, con compressori a sta- dio singolo aventi tutte le caratteristiche se- guenti:
1. funzionanti con rapporto di compressione di
4:1 o superiore;
2. portata in peso nella gamma da 30 a 130
kg/minuto e
3. superficie variabile di scarico all’interno del
compressore o delle sezioni della turbina; c) tecnologia necessaria per la produzione di si- stemi di iniezione di carburante con capacità multicarburante appositamente progettata (ad es. gasolio o combustibile per aviogetti) che rico- prono una gamma di viscosità da quella del ga- solio (2,5 cSt a 318,8 K (37,8°C)) fino a quella della benzina (0,5 cSt a 310,8 K (37,8°C)), aventi le due caratteristiche seguenti:
1. quantità iniettata superiore a 230 mm3 per
iniezione per cilindro e
2. controllo elettronico delle caratteristiche del
regolatore di carico appositamente progettato per fornire automaticamente una coppia co- stante mediante l’uso di sensori appropriati in funzione delle proprietà del carburante;
3. tecnologia necessaria per lo sviluppo o la
produzione della lubrificazione di pareti di cilindri di motori diesel ad elevate prestazioni con pellicola liquida, solida o in fase gassosa (o loro combinazioni) che consente il funzio- namento a temperature superiori a 723 k (450°C) misurate sulla parete del cilindro al limite superiore della corsa dell’anello di te- nuta superiore del pistone.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
Nota tecnica: I «motori diesel ad elevate prestazioni» sono motori aventi pressione effettiva media specificata al freno uguale o superiore a 1,8 MPa alla velocità di 2300 giri/min, purché la velocità nominale sia uguale o superiore a 2300 giri al minuto.
9E101 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia per lo sviluppo e la produzione di merci T:nessuna 9E102 Tecnologia in conformità alla Nota generale della A.4 PGO (M) tecnologia per l’utilizzazione di veicoli di lancio nello T:nessuna spazio specificati in 9A004, o beni specificati in
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Allegato 3
Elenco dei beni militari speciali
Nota: Tra i beni menzionati nel presente allegato, i seguenti beni rientrano nel campo d’applicazione della legge federale del 13 dicembre 19963 sul materiale bellico: a) armi, sistemi d’arma, munizioni ed esplosivi militari; b)mattrezzature concepite o modificate specificatamente per il combattimento o per l’istruzione al combattimento e che di regola non sono utilizzabili per scopi civili. Rientrano pure nel campo d’applicazione della legge sul materiale bellico le componenti e gli assemblaggi, elencati qui di seguito, anche parzialmente lavorati, qualora manifestamente non siano utilizzabili nella medesima versione anche per scopi civili. Nei casi di dubbio, il Segretariato di Stato dell’economia (Seco) fornisce informazioni.
N. elenco Designazione dei beni
– Nota generale della tecnologia (NGT) per beni militari speciali – Nota generale del software (NGS) per beni militari speciali MB n2 Artiglierie, obici, cannoni, mortai, ecc. MB n3 Munizioni destinate alle armi specificate in MB 1, 2 o 12 MB n4 Bombe, siluri, razzi, missili MB n5 Materiale per la direzione del tiro MB n6 Autoveicoli MB n7 Agenti tossicologici, gas lacrimogeni, relativi materiali, componenti, sostanze e tecnologia MB n8 Esplosivi e propellenti militari MB n9 Navi da guerra ed apparecchiature navali specializzate MB 10 Aeromobili con o senza equipaggio, attrezzature di bordo, paracaduti, a fini militari MB 11 Apparecchiature elettroniche a fini militari, non specificate in altri numeri dell’allegato 3 (p. es. apparecchiature di contromisure elettro- niche (ECM) e di contro-contromisure elettroniche (ECCM), apparec- chiature per l’identificazione, l’autenticazione e il caricamento di chiavi e la distribuzione di chiavi) MB 12 Sistemi d’arma ad energia cinetica ad alta velocità MB 13 Materiali speciali o di protezione
3 RS 514.51
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N. elenco Designazione dei beni
MB 14 Materiali specializzati per l’addestramento militare (simulatori, veli- voli teleguidati, addestratori di armamento, apparecchiature di tiro, ecc.) MB 15 Apparecchiature d’immagine (p. es. apparecchiature d’immagine a infrarossi o termiche, intensificatrici d’immagine) o di contromisure (ECM) o di contro-contromisure (ECCM) a fini militari MB 16 Pezzi forgiati, pezzi fusi e altri prodotti non finiti MB 17 Altre apparecchiature, materiali e biblioteche MB 18 Apparecchiature e tecnologia per la produzione di beni specificati nell’allegato 3 MB 19 Sistemi d’arma ad energia diretta (per es. sistemi a laser) MB 20 Apparecchiature criogeniche e a superconduttori MB 21 Software MB 22 Tecnologia
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1.nNota generale della tecnologia (NGT) per i beni militari speciali (Da leggersi congiuntamente alle corrispondenti posizioni dell’allegato 3)
L’esportazione della tecnologia necessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’allegato 3, è sottoposta ad autorizzazione se- condo le disposizioni dell’allegato 3. La tecnologia necessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’Elenco rimane sottoposta ad autorizzazione anche quando utilizza- bile per merci non specificate nell’Elenco. L’autorizzazione all’esportazione di beni non è richiesta per la quantità minima di tecnologia necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione e la ri- parazione dei beni che non sono sottoposti ad autorizzazione o di cui è stata autoriz- zata l’esportazione. L’autorizzazione all’esportazione di tecnologia non è richiesta per le informazioni di pubblico dominio, per la ricerca scientifica di base o per la quantità minima di informazioni necessarie per le domande di brevetto.
2.nNota generale del software (NGS) per i beni militari speciali Fa stato la Nota generale del software (NGS) di cui all’allegato 2.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
Elenco dei beni militari speciali Nota: I termini in corsivo sono definiti nell’allegato 1. MB 1 Armi e accessori, come segue, e loro parti apposita- A.4 PGO mente progettate: T:nessuna a) armi da caccia e armi da sport indubbiamente ricono- scibili come tali, che nella stessa esecuzione non pos- sono essere usate come armi da combattimento; b) armi a colpo singolo e armi ad avancarica; c) armi corte da fuoco e fucili a ripetizione a munizione a percussione periferica; d) armi vecchie, per le quali non sono più fabbricate o non si trovano più in commercio munizioni utilizza- bili; Nota: MB 1d non sottopone ad autorizzazione le armi seguenti:
1. moschetti, fucili e carabine anteriori al 1938;
2. riproduzioni di moschetti, fucili e carabine, i cui originali
sono anteriori al 1890;
3. revolver, pistole e mitragliatrici anteriori al 1890 e loro
riproduzioni. Nota: MB 1a-MB 1d non sottopongono ad autorizzazione le armi appositamente progettate per munizioni a salve e non in grado di sparare alcun tipo di munizione di cui al MB 3.
MB 2 Armi o armamenti diversi da quelli specificati in MB A.4 PGO
1 di un calibro superiore a 12,7 mm, lanciatori non- T:nessuna
ché loro accessori, come segue, e loro componenti ap- positamente progettati: a) cannoni, obici, mortai, artiglierie, armi anticarro, lan- ciaproiettili, lanciafiamme, cannoni senza rinculo e loro dispositivi mimetici (signature reduction devi- ces); Nota: MB 2a sottopone ad autorizzazione gli iniettori, i dispositivi di misura, i serbatoi di stoccaggio e altri componenti appo- sitamente progettati per essere utilizzati con cariche propul- sive liquide per uno dei materiali contemplati da MB 2a. b) lanciatori o generatori militari di fumo, gas e mate- riale pirotecnico. Nota: MB 2b non sottopone ad autorizzazione le pistole da se- gnalazione. c) traguardi di puntamento, appositamente progettati per le armi contemplate da MB 2a.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
MB 3 Munizioni e loro componenti appositamente proget- A.4 PGO tati destinati alle armi sottoposte ad autorizzazione T:nessuna secondo MB 1, MB 2 o MB 12: Note:
1. I componenti appositamente progettati sono:
a) pezzi in metallo o plastica quali inneschi a percussione, ri- vestimenti per proiettili, nastri per cartucce, corone di for- zamento e pezzi metallici per munizioni; b) dispositivi di sicurezza e di armamento, le spolette, i sen- sori e dispositivi di accensione; c) dispositivi di alimentazione ad elevata potenza di uscita funzionanti una volta sola; d) contenitori di combustibile per cariche; e) sottomunizioni compresi le bombe, le mine di ridotte di- mensioni e i proiettili a guida terminale.
2. MB 3 non sottopone ad autorizzazione le munizioni orlate
senza proiettile e le munizioni a salve con camera a polvere forata.
MB 4 Bombe, siluri, razzi, missili nonché apparecchiature A.4 PGO e accessori connessi, come segue, appositamente T:nessuna progettati a fini militari, e loro componenti appositamente progettati: a) bombe, siluri, granate, candelotti fumogeni, razzi, mi- ne, missili, cariche di profondità, bombe incendiarie e cariche militari da demolizione, prodotti pirotecnici militari, cartucce e simulatori (ossia apparecchiature che simulano le caratteristiche di uno dei beni contem- plati da MB 4a); Nota: MB 4a sottopone ad autorizzazione:
1. granate fumogene, bombe incendiarie e dispositivi esplosi-
vi;
2. ugelli detonatori di missili e ogive di vettori di rientro.
b) materiale appositamente progettato per la manutenzio- ne, il controllo, l’accensione, la motorizzazione per una sola missione operativa, il lancio, il puntamento, il dragaggio, il disinnesco, l’inganno, il disturbo, la deto- nazione o la rilevazione dei beni elencati in MB 4a. Nota: MB 4b sottopone ad autorizzazione:
1. impianti mobili per la liquefazione di gas, in grado di produr-
re 1000 kg o più al giorno di gas sotto forma liquida;
2. cavi elettrici conduttori galleggianti per il dragaggio di mine
magnetiche.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
MB 5 Materiale per la direzione del tiro, d’allerta e A.4 PGO d’avvertimento nonché sistemi e apparecchiature di T:nessuna contromisure come segue, appositamente progettati a fini militari, e loro componenti e accessori appositamente progettati: a) traguardi di puntamento, calcolatori di bombarda- mento, apparati di puntamento e sistemi destinati al controllo degli armamenti; b) sistemi d’acquisizione, di designazione, di telemetria, di sorveglianza o di inseguimento del bersaglio, ma- teriale di rilevazione, di fusione dei dati, di ricono- scimento o di identificazione e materiali di integra- zione di sensori (sensor integration equipment); c) apparecchiature di contromisure per i beni contem- d) apparecchiature di controllo o di aggiustamento ap- positamente progettate per la riparazione o la manu- tenzione delle apparecchiature contemplate da MB5a MB 6 Autoveicoli e loro componenti, appositamente A.4 PGO progettati o modificati a fini militari: T:nessuna Nota tecnica: Ai fini del numero MB 6, il termine «autoveicoli» comprende anche i rimorchi. Note:
1. MB 6 comprende:
a) carri armati e altri veicoli militari armati e veicoli militari muniti di supporti per armi, di attrezzature per il collo- camento di mine o il lancio di munizioni di cui al nume- ro MB 4; b) veicoli corazzati; c) veicoli anfibi e veicoli in grado di attraversare a guado acque profonde; d) veicoli di soccorso e veicoli per il trasporto e il traino di pezzi d’artiglieria e materiali connessi di manipolazione di carichi.
2. Per modifica di un autoveicolo a fini militari si intende una
modifica strutturale, elettrica o meccanica che concerne uno o più componenti appositamente progettati a fini militari. Tali componenti sono: a) i copertoni a prova di proiettile o in grado di essere im- piegati anche sgonfi; b) i sistemi di controllo della pressione di gonfiaggio dei pneumatici azionati dall’interno del veicolo in moto; c) la protezione blindata di parti importanti (per es. serbatoi per il carburante o cabine); d) speciali rinforzi strutturali per montaggio supporti di armi. e) pittura di camuffaggio o policroma.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
3. MB 6 non sottopone ad autorizzazione i veicoli civili o i
furgoni blindati per il trasporto di valori.
4. MB6 non sottopone ad autorizzazione i componenti militari
seguenti: a) dispositivi d’illuminazione comprese le luci mascherate; b) supporti per fucili o armi; c) supporti per reti di mascheramento; d) accoppiamenti NATO; f) botole sul tetto, circolari con portello girevole o ribalta- bile.
MB 7 Agenti chimici o biologici, agenti antisommossa, so- A.4 PGO stanze radiottavie, relativi materiali, componenti, so- T:nessuna stanze e tecnologie, come segue: Nota: I numeri CAS sono indicati solo come esempio. Non compren- dono tutti i prodotti e le sostanze chimiche contemplati da MB 7. a) agenti biologici e sostanze radioattive modificati per uso bellico (al fine di produrre danni alle popolazioni o agli animali o danneggiare raccolti o per la degra- dazione di materiali o dell’ambiente), e agenti chimi- ci; Nota: L’esportazione dei beni di cui al numero MB 7a modificati per uso bellico è vietata conformemente all’articolo 7 della legge federale del 13 dicembre 19964 sul materiale bellico. b) precursori binari e precursori chiave di agenti C come segue:
1. difluoruri d’alchile (Me, Et, n-Pr o i-Pr) fosfonile,
come: DF: difluoruro di metilfosfonile (CAS 676-99-3);
2. O-alchile (H o ≤ C10, compreso il cicloalchile) di
O-2-dialchile (Me, Et, n-Pr o i-Pr) -aminoetile (Me, Et, n-Pr o i-Pr) e sali alchilati e protonati cor- rispondenti, come: QL: metilfosfonite di O-etile e di O-2-di isopropi- lamminoetile (CAS 57856-11-8);
3. cloro sarin: metilfosfonocloridato di O-isopropile
(CAS 1445-76-7);
4. cloro soman: metilfosfonocloridato di O- pinaco-
lile (CAS 7040-57-5); c) gas lacrimogeni e agenti anti sommossa compren- denti:
1. CA: cianuro di bromobenzile (CAS 5798-79-8);
4 FF 1996 V 850
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2. CS: o-clorobenzilidenmalononitrile (o- cloroben-
zalmalononitrile) (CAS 2698-41-1);
3. CN: fenil-acil cloruro (cloroacetofenone) (CAS
532-27-4);
4. CR: dibenzo(b,f)- 1,4-oxazepina (CAS 257-07-8).
d) apparecchiature appositamente progettate o modifi- cate per disseminare sostanze o agenti descritti da MB 7a e loro componenti appositamente progettati: Nota: L’esportazione dei beni di cui al numero MB 7d modificati per uso bellico è vietata conformemente all’articolo 7 della legge federale del 13 dicembre 1996 sul materiale bellico. e) apparecchiature e loro componenti appositamente progettati per la difesa da materiali di cui al numero Nota: MB 7e comprende i vestiti di protezione. Nota complementare: Per le maschere anti gas progettate per impiego civile e le at- trezzature di protezione, confronta 1A004 dell’allegato 2. f) apparecchiature appositamente progettate per la rile- vazione o l’identificazione dei materiali descritti in MB 7a e loro componenti appositamente progettati; Nota: MB 7f non comprende i dosimetri personali per il controllo delle radiazioni. Nota complementare: Per le maschere anti gas progettate per impiego civile e le at- trezzature di protezione, confronta 1A004 dell’allegato 2. g) biopolimeri appositamente progettati o trattati per la rilevazione o l’identificazione degli agenti di guerra chimica descritti in MB 7a e per le colture di cellule specifiche utilizzate per la loro produzione; h) biocatalizzatori per la decontaminazione e la degra- dazione di agenti di guerra chimica, e loro sistemi biologici come segue:
1. biocatalizzatori, appositamente progettati per la
decontaminazione e la degradazione degli agenti di guerra chimica descritti in MB 7a, risultanti da una selezione guidata in laboratorio o da una manipo- lazione genetica di sistemi biologici;
2. sistemi biologici, come segue:
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vettori di espressione, virus o colture di cellule contenenti l’informazione genetica specifica per la produzione di biocatalizzatori sottoposti ad auto- rizzazione da MB 7h1; i) Tecnologia come segue:
1. tecnologia per lo sviluppo, la produzione o
l’utilizzazione di agenti tossicologici, di materiali connessi o componenti descritti dai numeri MB 7a
2. tecnologia per lo sviluppo, la produzione o
l’utilizzazione di biopolimeri o di colture di cellule specifiche secondo MB 7g;
3. tecnologia destinata esclusivamente
all’incorporazione di biocatalizzatori descritti da MB 7h1 in sostanze vettori militari o materiali mi- litari. Note:
1. MB 7a comprende i seguenti agenti C:
a) agenti nervini:
1. alchil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonofluori-
dati di o-alchile (C10 o meno, compreso il cicloalchi- le) quali: sarin: metilfosfonofluoridato di o-isopropile (CAS 107-44-8) e soman: metilfosfonofluoridato di o-pinacolile (CAS 96-64-0);
2. N, N-dialchil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosforo-
amidocianidati di o-alchile (C10 o inferiore, compreso il cicloalchile) quali: tabun: N, N-dimetilfosforamido-cianidato di o-etile (CAS 77-81-6);
3. alchil (metil, etil, n-propil o isopropil) fosfonotiolati
di o-alchile (H o C10 o inferiore, compreso il cicloal- chile) e di S-2- dialchile (metil, etil, n-propil o isopro- pil)- aminoetile e i loro sali alchilati e protonati quali: VX: metil fosfonotiolato di O-etile e di S-2- diisopropilamminoetile (CAS 50782- 69-9);> b) agenti vescicanti:
1. ipriti allo zolfo, quali:
solfuro di 2-cloroetile e di clorometile (CAS 2625-76-5); solfuro di bis (2-cloroetile) (CAS 505-60-2); bis (2-cloroetiltio), metano (CAS 63869-13-6); 1,2-bis (2-cloroetiltio) etano (CAS 3563-36-8);
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1,3-bis (2-cloroetiltio) -n-propano (CAS 63905-10-2); 1,4-bis (2-cloroetiltio) -n-butano (CAS 142868-93-7); 1,5-bis (2-cloroetiltio) -n-pentano (CAS 142868-94-8); ossido di bis (2-cloroetiltiometile) (CAS 63918-90-1); ossido di bis (2-cloroetiltioetile) (CAS 63918-89-8);
2. lewisiti, quali:
2-clorovinildicloroarsina (CAS 541-25-3); bis (2-clorovinil)-cloroarsina (CAS 40334- 69-8); tris (2-clorovinil) arsina (CAS 40334-70-1);
3. ipriti all’azoto, quali:
HN1: bis-(2-cloroetil) etilammina (CAS 538-07-8): HN2: bis-(2-cloroetil) metilammina (CAS 51-75-2); HN3: tris-(2-cloroetil) ammina (CAS 555- 77-1); c) agenti inabilitanti, quali: BZ: benzilato di 3-chinuclidinolo (CAS 6581- 06-2); d) agenti defolianti, quali:
1. butil- (2-cloro-4-fluorofenossi-) acetato (LNF);
2. acido tricloro-2,4,5 fenossiacetico mescolato con aci-
do dicloro-2,4 fenossiacetico (agent orange).
2. Il numero MB 7e comprende i condizionatori d’aria appo-
sitamente progettati per il filtraggio nucleare, biologico e chimico;
3. MB 7a e MB 7c non sottopongono ad autorizzazione:
a) cloruro di cianogeno; b) acido cianidrico; c) cloro; d) cloruro di carbonile (fosgene); e) difosgene (cloroformiato di triclorometile); f) bromoacetato di etile; g) bromuro di xilile; h) bromuro di benzile; i) ioduro di benzile; j) bromo acetone; k) bromuro di cianogeno; l) bromo-metiletilchetone; m)cloro-acetone; n) iodoacetato di etile; o) iodoacetone; p) cloropicrina.
4. MB 7g, MB 7h2 e MB 7i3 comprendono soltanto tecnolo-
gie, colture di cellule e sistemi biologici specifici e non contemplano le tecnologie, le colture di cellule e i sistemi biologici destinati ad impieghi civili per esempio nel settore agricolo, farmaceutico, medico, zootecnico, ambientale e dell’industria alimentare.
5. MB 7c non comprende i gas lacrimogeni o altri agenti anti-
sommossa imballati singolarmente e utilizzati per autodife- sa.
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N. Elenco Designazione dei beni Agevolazioni (Regime)
appositamente progettate o modificate a fini militari.
7. Confronta anche 1A004 dell’allegato 2.
8. Precursori per la produzione di agenti tossicologici: con-
fronta anche 1C350 dell’allegato 2.
9. Agenti biologici connessi: confronta 1C351 a 1C354
dell’allegato 2. Gli agenti biologici menzionati sono com- presi in MB 7a solo se sono «per uso militare»
MB 8 Esplosivi militari e combustibili militari, inclusi i A.4 PGO propellenti e sostanze connesse come segue: T:nessuna a) sostanze, come segue, e miscele connesse:
1. polvere di alluminio di forma sferica (CAS 7429-
90-5) con dimensioni delle particelle di 60 micro- metri o inferiori fabbricate con materiali aventi te- nore in alluminio del 99% o più;
2. combustibili metallici con dimensioni delle parti-
celle minori di 60 micrometri, a grani sferici, ato- mizzati, sferoidali, in fiocchi o polverizzati, con tenore del 99% o più di uno qualunque degli ele- menti seguenti: a) metalli e miscele connesse:
1. berillio (CAS 7440-41-7) con dimensione
delle particelle inferiore a 60 micrometri;
2. polvere di ferro (CAS 7439-89-6) con dimen-
sione delle particelle uguale o inferiore a 3 micrometri, prodotte per riduzione dell’ossido di ferro con idrogeno; b) miscele contenenti uno degli elementi seguenti:
1. zirconio (CAS 7440-67-7), magnesio (CAS
7439-95-4) e loro leghe con dimensione delle particelle inferiori a 60 micrometri;
2. combustibili al boro (CAS 7440-42-8) o car-
buro di boro (CAS 12069-32-8) di una purez- za dell’85% o superiore con dimensione delle particelle inferiore a 60 micrometri.
3. perclorati, clorati e cromati mescolati con
polvere di metallo o altri componenti di com- bustibile ad alta energia;
4. nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7);
5. composti costituiti di fluoro e di uno o più
degli elementi seguenti: altri alogeni, ossige- no, azoto;
6. carborani, decaborano (CAS 17702-41-9),
pentaborano e derivati;
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7. ciclotetrametilentetranitrammina (HMX)
(CAS 2691-41-0); (ottogeno);
8. esanitrostilbene (HNS) (CAS 20062- 22-0);
9. diamminotrinitrobenzene (DATB) (CAS
1630-08-6);
10. triamminotrinitrobenzene (TATB) (CAS
3058-38-6);
11. nitrato di triamminoguanidina (TAGN)
(CAS 4000-16-2);
12. subidruri di titanio con stechiometria TiH
0,65 –1,68;
13. dinitroglicolurile (DNGU, DINGU) (CAS
55510-04-8); tetranitroglicolurile (TNGU, SORGUYL) (CAS 55510-03-7);
14. tetranitrobenzotriazolobenzotriazolo
(TACOT) (CAS 25243-36-1);
15. diamminoesanitrobifenolo (DIPAM) (CAS
17215-44-0);
16. picrilamminodinitropiridina (PYX) (CAS
38082-89-2;
17. 3-nitro-1, 2, 4-triazolo-5-one (NTO o
ONTA) (CAS 932-64-9);
18. idrazina (CAS 302-01-2) con concentrazioni
del 70% o più; nitrato di idrazina (CAS 37836-27-4); perclorati di idrazina (CAS 27978-54-7); dimetilidrazina asimmetrica (CAS 57-14-7); monometili-drazina (CAS 60-34-4) e dimetilidrazina simmetrica (CAS 540-73-8);
19. perclorato di ammonio (CAS 7790-98-9);
20. ciclotrimetilenetrinitrammina (RDX) (CAS
121-82-4); ciclonite; T4; esaidro-1, 3, 5- trinitro-1, 3 5-triazina; trinitro-1, 3, 5-triaza- cicloesano (esogeno);
21. nitrato di idrossiammonio (HAN) (CAS
13465-08-2); perclorato di idrossiammonio (HAP) (CAS 15588-62-2);
22. perclorati di 2 (5-cianotetrazolato) penta-
ammine cobalto (III), (o PC) (CAS 70247- 32-4);
23. perclorato di cis-bis (5-nitrotetrazolato) pen-
taammina cobalto (III), (o BNCP);
24. 7-diammino-4, 6-dinitrobenzofurazono- 1-
ossido (ADNBF) (CAS 97096-78-1); ammino dinitrobenzo-furoxan;
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25. 5, 7-diammino-4, 6-dinitrobenzofurazono-1-
ossido, (CL-14) (CAS 117907-74-1) o diam- mino dinitrobenzofuroxan;
26. 2, 4, 6-trinitro-2, 4, 6-triaza-ciclo-esanono (K-
6 o Keto-RDX) (CAS 115029- 35-1);
27. 2, 4, 6, 8-tetranitro-2, 4, 6, 8-tetraaza- biciclo
(3, 3, 0) -ottanone-3 (CAS 130256-72-3) (tetranitrosemi-glicourie, K-55 o cheto- biciclico HMX);
28. 1, 1, 3-trinitroazetidina (TNAZ) (CAS 97645-
24-4);
29. 1, 4, 5, 8-tetranitro-1, 4, 5, 8-tetraazadecalin
(TNAD) (CAS 135877-16-6);
30. esanitroesaazaisowurzitane (CAS 135285-90-
4) (CL-20 o HNIW); chlathrates di CL-20; 31.polinitrocubani che comprendono più di 4 gruppi nitro;
32. dinitrammide di ammonio (ADN o SR12)
(CAS 140456-78-6);
33. trinitrofenilmetilnitrammina (tetril) (CAS
479-45-8); b) Esplosivi e propellenti che rispondono ai para- metri seguenti:
1. qualsiasi esplosivo con velocità di detonazione
superiore a 8700 m/s o pressione di detonazio- ne superiore a 34 Gpa (340 kbar);
2. altri esplosivi organici ad alto potenziale non
elencati in MB 8 in grado di produrre pressioni di detonazione di 25 Gpa (250 kbar) o più, sta- bili a temperature di 250°C (523 K) o più per un periodo uguale o superiore a 5 minuti;
3. qualsiasi altro propellente solido (UN Class
1.1) non elencato in MB 8 con impulso teorico specifico (in condizioni normali) maggiore di
250 secondi per composti non metallizzati o
maggiore di 270 secondi per composti di allu- minio;
4. qualsiasi propellente solido (UN Class 1.3) con
impulso teorico specifico maggiore di 230 se- condi per composti non alogenati, maggiore di
250 secondi per composti non metallizzati e
maggiore di 266 secondi per composti metal- lizzati;
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5. ogni altro propellente per bocche da fuoco
non elencato in MB 8 dotato di forza costante maggiore di 1200 KJoule/kg;
6. ogni altro esplosivo propellente o materiale
pirotecnico non elencato in MB 8 che può mantenere un tasso di combustione costante maggiore di 38 mm al secondo nelle condi- zioni di pressione normale di 6,89 MPa (68,9 bar) alla temperatura di 21°C (294 K); oppure
7. propellenti basati su elastomeri modificati su
doppia fusione (EMCDB) con allungamento al massimo sforzo maggiore del 5% a –40°C (233 K). c) prodotti pirotecnici militari; d) altre sostanze come segue:
1. combustibili per aeromobili appositamente
progettati a fini militari;
2. materiali militari contenenti agenti gelificanti
per combustibili idrocarbonati appositamente concepiti per i lanciafiamme o le munizioni incendiarie, quali stearati metallici o palmitati (anche chiamati Octol) (CAS 637-12-7) e ge-
3. ossidanti liquidi costituiti da acido nitrico
fumante inibito (IRFNA) o da difluoruro di ossigeno o che ne contengono. e) additivi e precursori come segue:
1. azidometilmetilossetano (AMMO) e loro
polimeri;
2. salicilato di rame basico (CAS 62320-94-9);
salicilato di piombo (CAS 15748-73-9);
3. derivato bis (2,2 —dinitropropilici) di al-
deide formica (CAS 5917-61-3) o di aldeide acetica (CAS 5108-69-0);
4. bis-2-fluoro-2,2-dinitroetilformal (FEFO)
(CAS 17003-79-1);
5. bis-2-idrossietilglicolammide (BHEGA)
(CAS 17409-41-5);
6. ossido di fosfina bis (2 metilaziridinil) me-
tilammino (metil BAPO) (CAS 85068-72- 0);
7. bisazidometilossetano e suoi polimeri (CAS
17607-20-4);
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8. bis-clorometilossetano (BCMO) (CAS
142173-26-0);
9. nitrileossido di butadiene (BNO);
10. trinitrato di butantriolo (BTTN) (CAS 6659-
60-5);
11. catocene (CAS 372-06-42-1) (2,2 bis-
etilferrocenil propano); acidi ferrocarbonici, N-butil-ferrocene (CAS 319904-29-7); buta- cene (CAS 125856-62-4) ed altri derivati del ferrocene;
12. sali di terzio-butil-dinitroazetidina;
13. monomeri plasticizzanti e polimeri energetici
contenenti gruppi nitrici, nitruri, nitrati, nitra- za o difluoroammino;
14. FPF-1 poli-2, 2, 3, 3, 4, 4-esafluoro-pentano-
1,5-diol formal;
15. FPF-3 poli-2, 4, 4, 5, 5, 6, 6-eptafluoro- 2-tri
fluorometil-3-ossaeptano-1, 7-diol for-mal;
16. polimero di azoturo di glicidile (GAP) (CAS
143178-24-9) e suoi derivati;
17. esabenzilesaazaisowurtzitano (HBIW) (CAS
124782-15-6);
18. polibutadiene con radicali ossidrilici terminali
(HTPB) avente funzionalità ossidrilica uguale o superiore a 2,2 e inferiore o uguale a 2,4, valore ossidrilico inferiore a 0,77 meq/g, e viscosità a 30°C (303 K) inferiore a 47 poise (CAS 69102- 90-5);
19. ossido ferrico sopraffino (ematite Fe 2O 3)
avente una superficie specifica superiore a
250 m2/g e una dimensione di particelle media
uguale o inferiore a 0,003 micrometri (CAS 1309-37-1);
20. betaresorcilato di piombo (CAS 20936- 32-7);
21. stannato di piombo (CAS 12036-31-6), ma-
leato di piombo (CAS 19136-34-6), citrato di piombo (CAS 14450-60-3);
22. chelati di piombo e di rame a partire
dall’acido resorcilico o salicilico (CAS 68411-07-4);
23. nitratometilmetilossetano o poli (3-
nitratometil, 3-metilossetano) (poli-NIMMO, NMMO) (CAS 84051-81-0);
24. 3-nitraza-1,5 pentano diisocianato (CAS
7406-61-9);
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25. N-metil-P-nitroanilina (CAS 100-15-2);
26. agenti di accoppiamento organometallici, in
particolare composti di titanio IV: a) 2, 2 [bis 2-propenolato-metil, butanolato, tris (diottile) fosfato-O] (LICA 12) (CAS 103850-22-2); b) [(2-propenolato-1) metil, N- propenolatometil] butanolato-1, tris (diottile) pirofosfato (KR3538); c) [(2-propenolato-1) metil, N- propenolatometil] butanolato-1, tris (diottile) fosfato;
27. policianodifluoramminoetilenossido
(PCDE);
28. ammidi di aziridina polifunzionali con:
strutture di rinforzo isoftaliche trimesiche (BITA o butilene-immina-trimesamide- isocianurica) o trimetiladipiche e sostituzio- ni 2-metil o 2-etil sull’anello aziridinico;
29. poliglicidilnitrato o poli (Nitratometil ossi-
rano) (Poly-GLYN) (PGN) (CAS 27814-48- 8);
30. polinitroortocarbonati;
31. propileneimide, 2 metilaziridine (CAS 75-
55-8);
32. tetraacetildibenzilesaazaisowurtzitano
(TAIW);
33. tetraetilenepentaminaacrilonitrile (TEPAN)
(CAS 68412-45-3), poliammina cianoetilata e suoi sali;
34. tetraetilenepentaminaacrilonitrileglicidile
(TEPANOL) (CAS 68412-46-4), poliammi- na cianoetilata addotta con glicidolo e i suoi sali;
35. trifenil bismuto (TPB) (CAS 603-33-8);
36. tris-1(2-metil) aziridil fosfin ossido (MAPO)
(CAS 57-39-6), ossido di fosfina bis (2 me- til aziridinil) 2 (2-idrossipropanossi) propi- lammino (BOBBA 8) e altri derivati del MAPO;
37. 1, 2, 3 tris (1, 2-bis-difluoroammino) etossi
propano; (tris vinossi propano addotto, TVOPA) (CAS 53159-39-0);
38. 1, 3, 5 triclorobenzene (CAS 108-70-3);
39. 1, 2, 4 butanetriol (1, 2, 4 triidrossibutano);
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40. 1, 3, 5, 7-tetraacetil-1, 3, 5, 7-tetraaza ciclo-
ottano (TAT) (CAS 41378-98-7);
41. 1, 4, 5, 8-tetraazadecaline (CAS 5409-42-7);
42. poliepicloroidrina a funzione alcool a basso
peso molecolare (minore di 10i000) e polie- piclorohydrindiol e triol. Note:
1. Gli esplosivi e i combustibili militari che contengono i metalli
o le leghe descritti in MB 8a1 e MB 8a2 sono sottoposti ad autorizzazione che siano o meno incapsulati in magnesio, al- luminio, zirconio o berillio. Confronta anche 1C011 dell’allegato 2.
2. MB 8 non sottopone ad autorizzazione il boro e il carburo di
boro arricchito con boro-10 (almeno il 20% di boro-10 in to- tale).
3. I combustibili per aeromobili descritti in MB 8d1 sono pro-
dotti finiti e non loro componenti.
4. MB 8 non comprende i perforatori appositamente progettati
per le trivellazioni di petrolio.
5. MB 8 sottopone ad autorizzazione le seguenti sostanze sol-
tanto se sono composte o mescolate con altri esplosivi militari o polveri di metallo: a) picrato di ammonio; b) polvere nera; c) esanitrodifenilammina; d) difluoroammina (HNF2; e) nitroamido; f) nitrato di potassio; g) tetranitronaftalina; h) trinitroanisolo; i) trinitronaftalina; j) trinitrossilene; k) acido nitrico fumante non inibito e non arricchito; l) acetilene; m)propano; n) ossigeno liquido; o) perossido di idrogeno di concentrazione inferiore all’85%; p) mischmetall; q) N-pirrolidinone; 1-metil-2-pirrolidinone; r) diottimaleato; s) etilesilacrilato; t) trietilalluminio (TEA), trimetilalluminio (TMA), ed altri alchili pirofolici metallici ed arili di litio, sodio, magne- sio, zinco e boro; u) nitrocellulosa; v) nitroglicerina (o trinitrato di glicerina, trinitroglicerina) (NG); w) 2, 4, 6-trinitrotoluene (TNT); x) etilendiamminodinitrato (EDDN); y) pentaeritritetetranitrato (PETN); aa) azoturo di piombo, stifnato normale e basico di piombo e esplosivi primari o composizioni di innesco contenenti azoturi o complessi di azoturi; bb) trietileneglicoldinitrato (TEGDN);
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cc) 2, 4, 6 trinitroresorcina (acido stifnico); dd) dietildifenilurea; dimetildifenilurea; metiletildifenilurea (centraliti); ee) N, N-difenilurea (difenilurea asimmetrica); ff) mmetil-N, N-difenilurea (difenilurea asimmetrica di meti- le); gg) etil-N, N-difenilurea (difenilurea asimmetrica di etile); hh) 2-nitrodifenilammina (2-NDPA);ii) 4-nitrodifenilammina (4-NDPA); jj) 2,2-dinitropropanolo; kk) trifluoruro di cloro.
MB 9 Navi da guerra e apparecchiature navali specializzate A.4 PGO e accessori, come segue, e loro componenti, T:nessuna appositamente progettati a fini militari: a) navi da combattimento o navi appositamente proget- tate o modificate per l’attacco o per la difesa (di su- perficie o sottomarine) trasformate o meno in previ- sione della loro utilizzazione commerciale indipendentemente dal loro stato di manutenzione o di servizio e dalla presenza o meno di sistemi di lan- cio di armi o di una corazzatura, e loro carene e parti di carene; b) motori come segue:
1. motori diesel appositamente progettati per sotto-
marini, aventi le due caratteristiche seguenti: a) potenza di uscita di 1,12 MW (1500 CV) o più; e b) velocità di rotazione di 700 giri/ min. o più;
2. motori elettrici appositamente progettati per sotto-
marini aventi le caratteristiche seguenti: a) potenza di uscita superiore a 0,75 MW; b) inversione rapida; c) raffreddati a liquido; e d) ermetici;
3. motori diesel amagnetici con potenza di uscita di
37,3 kW o più e amagnetici per oltre il 75% della massa; c) apparecchi sottomarini di detezione, appositamente progettati a fini militari e loro sistemi di comando; d) reti antisottomarini e antisiluri; e) apparecchiature di guida e di navigazione apposita- mente progettate a fini militari;
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f) connettori e penetratori di paratie e di carene apposi- tamente progettati a fini militari che permettono un’interazione con equipaggiamenti esterni ad una na- ve; Note:
1. MB 9f comprende i connettori per navi di tipo a condut-
tore semplice, multiplo, coassiale o a cavità e i penetrato- ri di carene in grado di resistere a fughe provenienti dall’esterno e di conservare le caratteristiche richieste a profondità sottomarine di oltre 100 metri, nonché i con- nettori a fibre ottiche e i penetratori ottici appositamente progettati per la trasmissone di raggi laser a qualsiasi profondità.
2. Non comprende i penetratori ordinari per l’albero di pro-
pulsione e i comandi della timoneria. g) cuscinetti silenziosi appositamente progettati a fini militari, con sospensioni a gas o magnetiche, con- trollo attivo della soppressione delle vibrazioni o dei marchi ed apparecchiature contenenti tali cuscinetti. MB 10 Aeromobili, aeromobili senza equipaggio, motori per A.4 PGO aeromobili, materiali connessi e componenti, T:nessuna appositamente progettati o modificati a fini militari, come segue: a) aeromobili da combattimento ed elicotteri da attacco nonché loro componenti appositamente progettati; b) altri aeromobili appositamente progettati o modificati a fini militari, in particolare per la ricognizione, l’attacco, l’addestramento, il trasporto ed il lancio con il paracadute di truppe o di materiali militari e il sostegno militare nonché loro componenti apposita- mente progettati; Nota: Confronta anche 7A099 dell’allegato 2. c) motori aeronautici appositamente progettati o modifi- cati a fini militari e loro componenti appositamente progettati; d) aeromobili senza equipaggio e apparecchiature asso- ciate appositamente progettati o modificati a fini mi- litari e loro componenti appositamente progettati co- me segue:
1. aeromobili senza equipaggio compresi i veicoli aerei
con guida a distanza (RPVs, Remotely Piloted Air Vehicles) e veicoli autonomi programmabili,
2. lanciatori e supporti a terra
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3. apparecchiature associate per il comando e con-
trollo; e) apparecchiature aerotrasportate, compresi gli appa- recchi per il rifornimento in volo di carburante appo- sitamente progettati per aeromobili di cui ai paragrafi MB 10a o MB 10b o per motori aeronautici menzio- nati in MB 10c e loro componenti appositamente progettati; f) apparecchi e dispositivi per il rifornimento sotto pres- sione di carburante per aeromobili, apparecchi appo- sitamente progettati per facilitare le operazioni in spazi ristretti ed apparecchiature terrestri, apposita- mente progettate per aeromobili sottoposti ad auto- rizzazione da MB 10a o MB 10b o per motori aero- nautici di cui al paragrafo MB 10c; g) apparecchiature di pressurizzazione per la respirazio- ne e tute di volo parzialmente pressurizzate, tute anti- g, caschi militari, maschere di protezione e maschere di ossigeno, convertitori di ossigeno liquido usati per aeromobilie missili, catapulte e dispositivi di eiezione comandati da cariche utilizzate per il salvataggio di emergenza del personale; h) paracadute usati per il lancio di personale militare, di materiale logistico e per il frenaggio di aeromobili, come segue:
1. paracadute per:
a) il lancio di commando su obbiettivi prescelti; b) il lancio di truppe paracadutiste;
2. paracadute per il lancio di materiale;
3. paracadute frenanti, paracadute stabilizzatori ed
antiavvitamento per la stabilizzazione ed il con- trollo dell’assetto dei corpi in caduta, ad esempio capsule di recupero, seggiolini eiettabili, bombe;
4. paracadute frenanti utilizzati con i sistemi di seg-
giolini eiettabili per l’apertura e la regolazione della sequenza di gonfiaggio dei paracadute di emergenza;
5. paracadute per il recupero di missili guidati, veli-
voli senza pilota (drone) e veicoli spaziali;
6. paracadute di avvicinamento e paracadute di de-
celerazione per atterraggio;
7. altri tipi di paracadute militari;
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i) sistemi di pilotaggio automatico per carichi paraca- dutati, apparecchiature appositamente progettate o modificate a fini militari per lanci con apertura con- trollata a qualsiasi altezza, comprese le apparecchia- ture per l’ossigeno. Note:
1. MB 10b non sottopone ad autorizzazione gli aeromobili o le
loro varianti appositamente progettati a fini militari che: a) non sono configurati a fini militari (con al massimo due dispositivi di sospensione) e non sono dotati di attrezza- ture tecniche o dispositivi connessi appositamente pro- gettati o modificati a fini militari; e b) sono stati autorizzati per l’impiego civile dai servizi dell’aviazione civile di uno Stato partecipante.
2. MB 10c non sottopone ad autorizzazione:
a) i motori aeronautici, appositamente progettati o modifi- cati a fini militari, autorizzati dai servizi dell’aviazione civile di uno Stato partecipante ad essere utilizzati su ae- romobili civili, nonché loro componenti appositamente progettati; b) i motori alternativi o i loro componenti appositamente progettati.
3. Ai sensi di MB 10b e MB 10c relativi ai componenti appo-
sitamente progettati e materiali associati per aeromobili o motori aeronautici non militari modificati a fini militari, so- no compresi soltanto i componenti militari e i materiali mi- litari associati necessari alla modifica.
MB 11 Apparecchiature elettroniche, non specificate in altri A.4 PGO numeri dell’allegato 3, appositamente progettate T:nessuna a fini militari e loro componenti appositamente progettati. Nota: MB 11 comprende: a) le apparecchiature di contromisure elettroniche (ECM) e di contro-contromisure elettroniche (ECCM), comprese le ap- parecchiature elettroniche di disturbo e contro disturbo, cioè apparati progettati per introdurre segnali estranei od erronei nei radar o nei ricevitori di radiocomunicazioni o per osta- colare in qualsiasi altra maniera la ricezione, il funziona- mento o l’efficacia dei ricevitori elettronici avversari com- presi i loro apparati di contromisure; b) i tubi ad agilità di frequenza (frequency agile tubes); c) i sistemi o le apparecchiature elettronici progettati per la sorveglianza ed il controllo dello spettro elettromagnetico per l’informazione militare o la sicurezza, oppure per op- porsi a tale sorveglianza e controllo; d) le apparecchiature di contromisure subacquee, compresi gli ingannatori ed i disturbatori acustici e magnetici, progettate per introdurre segnali estranei od erronei nei ricevitori so- nar;
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e) le apparecchiature di sicurezza per il trattamento dei dati, le apparecchiature di sicurezza per i dati e le apparecchiature di sicurezza per linee di trasmissione e di segnalazione utiliz- zanti procedimenti di cifratura; f) le apparecchiature per l’identificazione, l’autenticazione e il caricamento di segni di rocnoscimento (keyloader) ed appa- recchiature per la gestione, produzione e distribuzione di chiavi.
MB 12 Sistemi d’arma ad energia cinetica ad alta velocità A.4 PGO (high velocity kinetic energy weapon systems) ed T:nessuna apparecchiature associate, come segue, e loro componenti appositamente progettati: a) sistemi d’arma ad energia cinetica ad alta velocità (kinetic energy weapon systems) appositamente pro- gettati per la distruzione di un bersaglio o per farne fallire la missione; b) impianti di collaudo e valutazione appositamente pro- gettati e modelli di collaudo, compresi strumentazione diagnostica e bersagli, per il collaudo dinamico di si- stemi e proiettili ad energia cinetica ad alta velocità. Note:
1. MB 12 comprende le seguenti apparecchiature qualora siano
appositamente progettate per i sistemi d’arma a energia cine- tica ad alta velocità: a) sistemi di lancio-propulsione in grado di accelerare masse più grandi di 0,1 g a velocità maggiori di 1,6 km/sec., a fuoco singolo o rapido; b) apparecchiature di produzione di potenza immediatamente disponibile, di schermatura elettrica (electric armour), di immagazzinamento di energia, di gestione del calore, di condizionamento, di commutazione e di manipolazione del combustibile; interfacce elettriche fra l’alimentazione di energia, il cannone e le altre funzioni di comando della tor- retta; c) sistemi di acquisizione e di inseguimento del bersaglio, di controllo del tiro e di valutazione del danno prodotto; d) cercatori per autoguida, sistemi di guida e propulsione per il cambiamento di direzione (accelerazione laterale) per proiettili.
2. MB 12 sottopone ad autorizzazione i sistemi d’arma che im-
piegano uno qualsiasi dei metodi seguenti di propulsione: a) elettromagnetico; b) elettrotermico; c) a plasma; d) a gas leggeri; o e) chimico (se usato in combinazione con uno dei metodi menzionati nelle lettere da a) a d)).
3. MB 12 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia relativa
all’induzione magnetica per la propulsione continua di dispo- sitivi di trasporto civile.
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4. Per i sistemi d’arma che impiegano munizioni costituite da
sotto-calibri o utilizzanti solo propulsione chimica, e le loro
MB 13 Materiali o costruzioni speciali o di protezione e loro A.4 PGO componenti, come segue: T:nessuna a) piastre blindate, come segue:
1. fabbricate per adempiere una norma militare o una
specificazione militare; o
2. adatte a fini militari;
b) costruzioni di materiali metallici e non metallici o relative combinazioni, appositamente progettati per fornire protezione balistica per sistemi militari; c) elmetti militari; d) indumenti antibalistici-antiesplosione fabbricati conformemente alle norme o alle specificazioni mili- tari o a requisiti equivalenti, e loro componenti appo- sitamente progettati. Note:
1. MB 13b comprende materiali appositamente progettati per
realizzare blindature reattive all’esplosione o costruire rifugi militari (shelters);
2. MB 13c non comprende gli elmetti di acciaio di tipo classi-
co, non equipaggiati con un tipo qualsiasi di dispositivo ac- cessorio, modificati o progettati al fine di ottenere un tale dispositivo.
3. MB 13d non comprende i singoli abiti corazzati e i loro ac-
cessori impiegati dall’utente per la sua protezione personale. Nota complementare: Confronta anche 1A005 dell’allegato 2.
MB 14 Materiali specializzati per l’addestramento militare A.4 PGO o per la simulazione di scenari militari, loro T:nessuna componenti e accessori appositamente progettati. Nota tecnica: Il termine «materiale specializzato per l’addestramento milita- re» comprende i seguenti tipi militari di: addestratori all’attacco; addestratori al volo operativo; addestratori al bersaglio radar; generatori di bersagli radar; dispositivi di addestramento al tiro; addestratori alla guerra sottomarina; simulatori di volo (comprese le centrifughe previste per l’uomo, destinate all’addestramento di piloti ed astronauti); addestratori per l’impiego di radar; addestratori per l’impiego di strumenti di volo; addestratori per la navigazione; addestratori per il lancio di missili;
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aeromobili senza equipaggio; addestratori di armamento; addestratori per la guida di aeromobili senza equipaggio; unità mobili di addestramento. Nota: MB 14 comprende i sistemi di generazione di mappe (image generating) e sistemi interattivi di scenari per simulatori sem- preché siano appositamente progettati o modificati a fini mili- tari.
MB 15 Apparecchiature d’immagine o di contromisure, A.4 PGO come segue, appositamente progettate a fini militari T:nessuna e loro componenti e accessori appositamente progettati: a) registratori e apparecchiature di trattamento di imma- gine; b) telecamere, materiale fotografico e materiale per lo sviluppo delle pellicole; c) apparecchiature intensificatrici d’immagine; d) apparecchiature di immagine a infrarossi o termiche; e) apparecchiature radar per captare le immagini; f) apparecchiature di contromisure (ECM) o di contro- contromisure (ECCM) per le apparecchiature sotto- poste ad autorizzazione da MB15a-MB15e. Nota: MB 15f comprende il materiale appositamente progettato per degradare il funzionamento e l’efficacia dei sistemi militari d’immagine o per ridurre al minimo gli effetti di una tale de- gradazione. Note:
1. Il termine «componenti appositamente progettati» compren-
de i materiali seguenti purché appositamente progettati a fi- ni militari: a) tubi convertitori di immagine all’infrarosso; b) tubi intensificatori di immagine (diversi da quelli della prima generazione); c) piastre a microcanali; d) tubi di telecamere a bassa luminosità; e) assiemi rivelatori (compresi i sistemi elettronici d’interconnessione e di lettura); f) tubi piroelettrici per telecamere; g) sistemi criogenici per sistemi di immagine; h) otturatori a scatto elettrico, del tipo a funzione fotocro- matica o elettroottica con tempo di otturazione inferiore a
100 microsecondi, con l’esclusione degli otturatori che
costituiscono parti essenziali di apparati fotografici ad alta velocità; i) gli invertitori d’immagine a fibra ottica; j) i fotocatodi a semiconduttori composti.
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2. MB 15 non comprende tubi intensificatori di immagine
della prima generazione o apparecchiature appositamente progettate per l’impiego di tubi intensificatori di immagine della prima generazione. Nota complementare: Per quanto concerne i traguardi di puntamento con tubi inten- sificatori di immagine della prima generazione: confronta: Nota complementare: Confronta anche 6A002a2 e 6A002b dell’allegato 2.
MB 16 Pezzi forgiati, pezzi fusi e altri prodotti non finiti A.4 PGO la cui utilizzazione in un bene sottoposto ad T:nessuna autorizzazione può essere determinata in base alla composizione, la geometria o la funzione e che sono appositamente progettati per qualsiasi bene contemplato in MB 1, MB 2, MB 3, MB 4,-MB 6, MB 9, MB 10, MB 12 o MB 19. MB 17 Altre apparecchiature, materiali e biblioteche come A.4 PGO segue, e loro componenti appositamente progettati: T:nessuna a) apparecchi autonomi per immersione e nuoto subac- queo, come segue:
1. apparecchi a circuito chiuso e semichiuso a rigene-
razione d’aria, appositamente progettati a fini mi- litari (p. es. specialmente progettati per essere amagnetici);
2. componenti appositamente progettati che consen-
tono di convertire apparecchi a circuito aperto in apparecchi a fini militari;
3. pezzi esclusivamente progettati per impiego militare
usati con le apparecchiature contemplate in MB 17a; b) materiale da costruzione appositamente progettato a fini militari;
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c) infissi (fittings), rivestimenti e trattamenti esterni per la soppressione dei marchi appositamente progettati a fini militari; d) apparecchiature per l’assistenza tecnica sul campo appositamente progettate per l’impiego in zone di combattimento; e) robots, controllori di robots e dispositivi di estremità di robots, che presentano una delle seguenti caratteri- stiche:
1. appositamente progettati a fini militari;
2. dotati di mezzi di protezione dei collegamenti
idraulici contro perforazioni prodotte dall’esterno da frammenti balistici (p. es.: sistemi di autosigil- latura dei collegamenti idraulici) e progettati per l’uso di fluidi idraulici con punti di infiammabilità superiori a 839 K (566°C); o
3. appositamente progettati e previsti per funzionare
in un ambiente colpito da impulsi elettromagnetici (EMP); f) biblioteche (banche dati tecniche parametriche) appo- sitamente progettate a fini militari con i materiali contemplati nell’allegato 3. g) apparecchiature di produzione di energia e di propul- sione nucleare, compresi i reattori nucleari, apposi- tamente progettati a fini militari nonché loro compo- nenti appositamente progettati o modificati a fini militari;
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h) apparecchiature e materiale, rivestito o trattato, per la soppressione dei marchi, appositamente progettati a fini militari, se non contemplati in altro modo nell’allegato 3; Nota: MB 17h non comprende singoli prodotti ottenuti con il mate- riale summenzionato, compresi gli indumenti se sono destinati all’uso personale. i) simulatori appositamente progettati per reattori nu- cleari militari; j) officine mobili di riparazione, appositamente proget- tate per la manutenzione di apparecchiature militari; k) gruppi elettrogeni mobili, appositamente progettati a fini militari; l) contenitori appositamente progettati a fini militari. Nota tecnica: «Appositamente progettati a fini militari» ai sensi del numero MB 17l sono i contenitori con una delle caratteristiche militari specifiche seguenti: a) protezione contro gli impulsi elettromagnetici (EMP) b) protezione ABC c) rivestimento per la soppressione di marchi (infrarosso o ra- dar) o d) protezione balistica. Nota tecnica: Ai sensi di MB 17, il termine «biblioteca» (banca dati tecnica parametrica) significa una collezione di informazioni tecniche a carattere militare la cui consultazione permette di aumentare le prestazioni dei materiali e dei sistemi militari.
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MB 18 Apparecchiature e tecnologia per la produzione A.4 PGO dei beni definiti nell’allegato 3 come segue: T:nessuna a) apparecchiature appositamente progettate o modifi- cate per la produzione dei beni sottoposti ad autoriz- zazione dall’allegato 3, e loro componenti apposita- mente progettati; b) impianti appositamente progettati per prove ambien- tali e loro apparecchiature appositamente progettate per la certificazione, qualifica o collaudo dei beni sottoposti ad autorizzazione dall’allegato 3. c) tecnologia specifica per la produzione dei beni con- templati dall’allegato 3, anche se l’apparecchiatura con la quale tale tecnologia è applicata non è con- templata; d) tecnologia specifica per la progettazione, l’assemblaggio di componenti, l’esercizio, la manu- tenzione e la riparazione di impianti completi di pro- duzione, anche se i componenti stessi non sono con- templati. Note:
1. MB 18a e MB 18b comprendono le apparecchiature se-
guenti: a) nitratori di tipo continuo; b) apparati o apparecchiature di collaudo centrifugo aventi una delle caratteristiche seguenti:
1. azionati da uno o più motori di potenza nominale to-
tale superiore a 298 kW;
2. in grado di sopportare un carico utile di 113 kg o più;
oppure
3. in grado di esercitare una accelerazione centrifuga di
8 g o più su un carico utile di 91 kg o più
c) presse di disidratazione; d) presse a vite appositamente progettate o modificate per l’estrusione di propellenti militari; e) macchine per il taglio di propellenti estrusi; f) barilatrici di diametro di 1,85 m o più ed aventi capacità di produzione superiore a 227 kg; g) miscelatori ad azione continua per propellenti solidi; h) mole idrauliche (fluid energy mills) per frantumare o ma- cinare gli ingredienti dei propellenti militari;
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i) apparecchiature per ottenere sia la sfericità che l’uniformità delle particelle della polvere metallica citata j) convertitori di corrente di convezione (convection cur- rent converters) per la conversione delle sostanze enume-
2. a) Il termine «beni definiti nell’allegato 3» comprende:
1. i beni non sottoposti ad autorizzazione poiché le con-
centrazioni sono inferiori a quelle specificate, come segue: a) idrazina (cfr. MB 8a18); b) esplosivi militari (cfr. MB 8);
2. i materiali superconduttori non sottoposti ad autoriz-
zazione dal paragrafo 1C005 dell’allegato 2, gli elet- tromagneti superconduttori non sottoposti ad autoriz- zazione dal paragrafo 3A001e3 dell’allegato 2, gli equipaggiamenti elettrici superconduttori non sotto- posti ad autorizzazione dal paragrafo MB 20b;
3. i combustibili metallici e gli ossidanti depositati sotto
forma lamellare a partire dalla fase vapore (cfr. MB b) Il termine «beni definiti nell’allegato 3» non comprende:
1. pistole da segnalazione (cfr. MB 2b);
2. le sostanze non sottoposte ad autorizzazione dalla nota
3 del paragrafo MB 7;
3. dosimetri di controllo delle radiazioni ad uso perso-
nale e maschere per la protezione da specifici rischi industriali (cfr. MB 7f);
4. acetilene, propano, ossigeno liquido, difluoroammina
(HNF2, acido nitrico fumante e polvere di nitrato di potassio (cfr. nota 5 del paragrafo MB 8);
5. motori aeronautici non sottoposti ad autorizzazione da
MB 10;
6. elmetti convenzionali in acciaio non equipaggiati,
modificati o progettati per ricevere qualsiasi tipo di dispositivo accessorio (cfr. nota 2 di MB 13);
7. apparecchiature dotate di macchinario industriale non
sottoposto ad autorizzazione, come macchinari per ri- vestimento non specificati altrove ed apparecchiature per la fusione di materiale plastico;
8. i moschetti, i fucili e le carabine anteriori al 1938, le
riproduzioni di moschetti, fucili e carabine anteriori al 1890, i revolver, le pistole e le mitragliatrici anteriori al 1890 e le loro riproduzioni; (il che non autorizza l’esportazione della tecnologia o degli apparati di produzione di armi da fuoco d’uso corrente, anche se usati per fabbricare le riproduzioni di armi da fuoco antiche).
3. MB 18d non comprende la tecnologia destinata a impieghi
civili, per es. nel settore agricolo, farmaceutico, medico, zootecnico, ambientale e dell’industria alimentare (cfr. nota
5 di MB 7).
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MB 19 Sistemi d’arma ad energia diretta, apparecchiature A.4 PGO associate o di contromisura e modelli di collaudo, T:nessuna come segue, e loro componenti appositamente progettati: a) sistemi a laser appositamente progettati per distrug- gere un bersaglio o farne fallire la missione; b) sistemi a fascio di particelle in grado di distruggere un bersaglio o farne fallire la missione; c) sistemi a radiofrequenza ad elevata potenza in grado di distruggere un bersaglio o farne fallire la missione; d) apparecchiature appositamente progettate per l’individuazione o l’identificazione di sistemi sotto- posti ad autorizzazione da MB 19a, MB 19b o MB 19c o per la difesa contro tali sistemi; e) modelli di collaudi fisici e relativa documentazione per sistemi, apparecchiature e componenti descritti in MB 19. f) sistemi laser ad impulsi o ad onda continua apposi- tamente progettati per provocare una cecità duratura nel caso di una osservazione senza ottica d’ingrandimento, ossia senza protezione dell’occhio o con un’aiuto correttivo della vista. Note:
1. I sistemi d’arma ad energia diretta sottoposti ad autorizza-
zione da MB 19 comprendono i sistemi le cui possibilità de- rivano dall’applicazione controllata di: a) laser ad impulsi o ad onda continua di potenza suffi- ciente per effettuare una distruzione simile a quella ef- fettuata con munizioni convenzionali; b) acceleratori di particelle che proiettano un fascio di par- ticelle cariche o neutre con potenza distruttiva; c) emettori di fasci di microonde di elevata potenza impul- siva o di elevata potenza media in grado di produrre campi sufficientemente intensi tali da rendere inutilizza- bili i circuiti elettronici di un bersaglio distante.
2. MB 19 comprende le apparecchiature seguenti se apposita-
mente progettate per i sistemi d’arma a energia diretta: a) apparecchiature di produzione di potenza immediata- mente disponibile, di immagazzinamento o di commuta- zione di energia, di condizionamento di potenza e di ma- nipolazione di combustibile; b) sistemi di acquisizione e di inseguimento del bersaglio; c) sistemi in grado di valutare i danni al bersaglio, la distru- zione o il fallimento della missione; d) apparecchiature di manipolazione, di propagazione e di puntamento del fascio;
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e) apparecchiature a scansione rapida del fascio per le ope- razioni rapide contro bersagli multipli; f) ottiche adattive e dispositivi di coniugazione di fase (phase conjugators); g) iniettori di corrente per fasci di ioni di idrogeno negativi; h) componenti di acceleratore (accelerator components) qualificati per impiego spaziale; i) apparecchiature di focalizzazione di fasci di ioni negativi (negative ion beam funnelling equipment); j) apparecchiature per il controllo e l’orientamento di un fa- scio di ioni ad alta energia; k) nastri qualificati per impiego spaziale per la neutralizza- zione di fasci di isotopi di idrogeno negativi.
MB 20 Apparecchiature criogeniche e a superconduttori, A.4 PGO come segue, e loro componenti e accessori T:nessuna appositamente progettati: a) apparecchiature appositamente progettate o configu- rate per essere installate a bordo di veicoli per appli- cazioni militari terrestri, navali, aeronautiche o spa- ziali, in grado di funzionare durante il moto e di produrre o mantenere temperature inferiori a 103 K (–170°C); Nota: MB 20a comprende i sistemi mobili contenenti o utilizzanti accessori o componenti fabbricati con materiali non metallici o non conduttori di elettricità, come le materie plastiche o i ma- teriali impregnati di resine epossidiche. b) apparecchiature elettriche a superconduttori (macchine rotanti e trasformatori), appositamente progettate o configurate per essere installate a bordo di veicoli per applicazioni militari terrestri, navali, aeronautiche o spaziali, ed in grado di funzionare du- rante il moto. Nota: MB 20b non comprende i generatori omopolari ibridi di cor- rente continua con armature metalliche normali ad un solo polo ruotante in un campo magnetico prodotto dalle bobine super- conduttrici, a condizione che queste bobine rappresentino il solo elemento superconduttore del generatore. MB 21 Software come segue: A.4 PGO a) software, appositamente progettato o modificato per T:nessuna lo sviluppo, la produzioneo l’utilizzazione di appa- recchiature o materiali specificati nell’allegato 3; b) software come segue:
1. software appositamente progettato per:
a) modellare, simulare o valutare i sistemi d’arma militari;
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b) lo sviluppo, la vigilanza, la manutenzione o l’attualizzazione (up- dating) di software integrati in sistemi d’arma militari; c) modellare o simulare operazioni militari non spe- cificate in MB 14; d) le applicazioni nell’ambito dei sistemi di gestione, d’informazione e di esplorazione (C3l);
2. software per determinare gli effetti di armi da guerra
convenzionali, nucleari, chimiche o biologiche. MB 22 Tecnologia, non contemplata da MB 7 o MB 18, in A.4 PGO conformità alla Nota generale della tecnologia, per be- T:nessuna ni militari per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’allegato 3. Nota: MB 22 non contempla l’informazione sulla tecnologia la cui trasmissione è essenziale in una procedura d’offerta.
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Allegato 4
Elenco degli Stati di cui agli articoli 8 e 13:
Argentina Australia Austria Belgio Canada Danimarca Finlandia Francia Germania Giappone Grecia Irlanda Italia Lussemburgo Norvegia Nuova Zelanda Paesi Bassi Polonia Portogallo Regno Unito e Irlanda Repubblica ceca Spagna Svezia Ungheria Stati Uniti d’America
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Le abbreviazioni utilizzate come termini definiti si trovano nelle «Definizioni dei termini». ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’Association AHRS Sistemi di riferimento di rotta e di assetto (attitude and heading refe- rence systems) ALU Unità logica aritmetica (arithmetic logic unit) ATC Controllo del traffico aereo (air traffic control) AVLIS Separazione isotopica di vapore atomico a «laser» C3I Command, communications, control & intelligence CAD progettazione assistita da calcolatore (computer-aided-design) CAS Chemical Abstracts Service CEI Commissione elettrotecnica internazionale CEP Errore circolare probabile (circular error probable) CNTD Deposizione termica a nucleazione controllata (controlled nucleation thermal deposition) CRISLA Reazione chimica mediante attivazione isotopica selettiva a laser (chemical reaction by iosotope selective laser activation) CVD Deposizione in fase di vapore di elementi chimici (chemical vapour deposition) CW Guerra chimica (chemical warfare) CW (per laser) Onda continua (continuous wave) DEW Directed Energy Weapon DME Apparecchiature per la misurazione della distanza (distance measuring equipment) DS Solidificazione direzionale (directionally solidified) EB-PVD Deposizione fisica in fase di vapore per mezzo di fascio elettronico (electron beam physical vapour deposition) EBU European Broadcasting Union ECM Lavorazione elettrochimica (electro-chemical machining) ECR Risonanza elettrociclotrone (electron cyclotron resonance) EDM Lavorazione elettroerosiva (electrical discharge machines) EEPROM Memoria di sola lettura cancellabile e programmabile elettricamente (electrically erasable programmable read only memory) EIA Electronic Industries Association EMC Compatibilità elettromagnetica (electromagnetic compatibility) FFT Trasformata rapida di Fourier (Fast Fourier Transform) GLONASS Sistemi globali di navigazione via satellite (global navigation satellite system) GPS Posizionamento globale a mezzo satellite (global positioning system) HBT Transistori etero bipolari (hetero-bipolar transistors) HDDR Modulo di registrazione numerica ad alta densità (high density digital recording) HEMT Transistori ad elevata mobilità di elettroni (high electron mobility transistors)
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ICAO Organizzazione per l'aviazione civile internazionale (International Civil Aviation Organisation) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV Campo di visione istantaneo (instantaneous-field-of-view) ILS Sistema di atterraggio strumentale (instrument landing system) IRIG Inter Range Instrumentation Group ISAR Radar ad apertura sintetica inversa (inverse synthetic aperture radar) ISO Organizzazione internazionale per la standardizzazione (International Organisation for Standardization) JIS Japanese Industrial Standard JT Joule-Thomson LIDAR Rivelazione e misura della distanza a mezzo della luce (light detection and ranging) MAC Codice di autenticazione del messaggio (message authentication code) Mach rapporto tra la velocità di un corpo e la velocità del suono (da Ernst Mach) (ration of speed of an object to speed of sound) MLIS Separazione isotopica molecolare a laser (Molecular Laser Isotope Separation) MLS Sistemi di atterraggio a microonde (microwave landing systems) MOCVD Deposito in fase di vapore di elementi chimici organo- metallici (metal organic chemical vapour deposition) MRI Immagine a risonanza magnetica (magnetic resonance imaging) MTBF Tempo medio tra due guasti (mean-time-between-failures) Mopt/s Milioni di operazioni teoriche al secondo (million theoretical operations per second) MTTF Tempo medio specificato prima del guasto (mean-time-to- failure) NBC Nucleare, biologico e chimico (Nuclear, Biological and Chemical) NDT Tecniche non distruttive (non-destructive test) PAR Radar di avvicinamento di precisione (precision approach radar) PIN Numero personale di identificazione (personal identification number) ppm Parti per milione (parts per million) PSD Densità spettrale di potenza (power spectral density) QAM modulazione di ampiezza in quadratura (quadrature-amplitude- modulation) RF Radiofrequenza (radio frequency) RPV Remotely piloted air vehicles SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR Radar ad apertura sintetica (synthetic aperture radar) SC Cristallo singolo (single crystal) SLAR Radar avionico a scansione laterale (sidelooking airborne radar) SMPTE Society of Motion Pictures and Television Engineers SRA Assieme rimpiazzabile in laboratorio (shop replaceable assembly) SRAM Memoria statica ad accesso casuale (static random access memory) SRM SACMA Recommended Methods SSB Single Sideband
SSR Radar secondari di sorveglianza (secondary surveillance radar)
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TCSEC Trusted Computer System Evaluation Criteria TIR Lettura totale del misuratore (total indicated reading) UCV Unità di controllo e di visualizzazione (control and display unit) UIL Unità intercambiabile di linea (line replaceable unit) UIT Unione internazionale delle telecomunicazioni (International Telecommunication Union) UTS Carico di rottura (ultimate tensile strength) VOR Radiofaro VHF onnidirezionale (very high frequenca omni- directional range) YAG Laser a granato di ittio e alluminio (yttrium/aluminium garnet)
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L’indice intende fornire un aiuto pratico all’utente. Non fa tuttavia parte dell’elenco delle esportazioni e non è giuridicamente vincolante. Eventuali sue lacune non giu- stificano in alcun modo l’omissione del deposito di una domanda di permesso di esportazione, se quest’ultimo è obbligatorio. Spiegazione dei segni: DEF = Definizione dei termini Nota: Osservazioni o proposte sull’indice vanno inviate a: Segretariato di Stato dell’economia (seco) Prodotti industriali Effingerstrasse 1
3003 Berna
Designazione dei beni Indice
butanolato-1, tris (diottile) fosfato MB8e 1,1,3-trinitroazetideria (TNAZ) MB8a 1,2-bis-(2-cloroetiltio)-etano MB7 1,2,4 butanoetriolo MB8e 1,2,4 triidrossibutano MB8e 1,3,5 triclorobenzene MB8e 1,3,5,7-tetraacetil-1,3,5,7-tetraaza ciclo-ottano (TAT) MB8e 1,4,5,8-tetraazadecaline MB8e 1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetratrazadecalin (TNAD) MB8a 1-metil-2-pirrolidinone MB8e
2 (5-cianotetrazolato) penta-ammine cobalto (III)-
perclorati di MB8a
2 – cloroetanolo 1C350
2,2-dinitropropanolo MB8e 2,4,5-trinitrotoluene (TNT) MB8e 2,4,6 trinitroresorcina MB8e 2,4,6,8-tetranitro-2,4,6,8-tetraaza-biciclo (3,3,0)-ottanone-3 MB8a 2,4,6-trinitro-2,4,6-triaza-ciclo-esanono MB8a 3-azoico 3-nitraza-1,5 pentano diisocianato MB8e 3-idrossi-1-metilpiperidina 1C350 3-nitro-1,2,4-triazolo-5-one (NTO o ONTA) MB8a 3-quinuclidinile, benzylato di (BZ) MB7, O composti 4-nitrodifenilammina (4-NDPA) MB8e 5,7-diammino-4,6-dinitrobenzofurazono-1-ossido, CL-14 MB8a 7-diammino-4, 6-dinitrobenzofurazono- 1-ossido (ADNBF) MB8a ABC, apparecchiature 1A004 abiti protettivi 1A004b – ventilati in modo indipendentemente 2B352f abrasivi 1C007b – di elettroni 3A201c – grafici 4A003d – stazioni di allineamento degli assi degli 7B003f – tecnologia per 7E004a
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accensione multipunto – sistemi di 3A232 accesso – controllo dell’ 5A002 – unità di a. ai supporti 5, DEF DEF accoppiamento per forzatura – macchine di 2B228a accordabile 6, DEF acetilene MB8e acido 2,2-difenil-2-idrossiacetico 1C350 acido cianidrico MB7i acido fosfonico – alchil (metil, etil, n-propil o isopropil) difluoruro dell’ MB7b acido nitrico fumante – inibito (IRFNA) MB8d – non inibito e non arricchito MB8e acido resorcilico MB8e acido salicilico MB8e acido tereftalico 1C008b acidometilossetano (AMMO) MB8e acidi ferrocarbonici MB8e acqua pesante – apparecchiature per la separazione dell’ 1A226 – catalizzatori per la produzione di 1A226 adattivo, controllo 2D002b, DEF addensamento – apparecchiature per l’ 2B104 – controlli di processo per 2B104 – isostatico a caldo 2, DEF additivi MB8, DEF – per propellenti 1C111c ADNBF, 7-diammino-4, 6-dinitrobenzofurazono-1-ossido MB8a – civili MB8d – combustibili per 1A002b – strutture di aerodinamiche, centrali – software per 7E004a DEF – autonomi programmabili MB10d – cellule di 1B101b – civili 1, 7, 9, MB10, DEF – componenti di a. da combattimento MB10a – con guida a distanza MB10d – da addestramento MB10b – da attacco MB10b – da combattimento MB10a – da ricognizione MB10b – per il lancio con il paracadute di truppe MB10b
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– per il lancio di materiale militare MB10b – per il trasporto di truppe MB10b – senza equipaggio MB10d aerosol – camere per il confronto .............................. 2B352g afnio 1C231 – ossido di 2A225a agenti anti-sommossa MB7, DEF agenti biologici adatti per l’uso in guerra 1 A004, MB7a – per l’uomo 1C351 – per le piante 1C354 agilità di frequenza 5, DEF – per radar 6, DEF DEF – tecniche di a. di fr., tecnologie per 5E001b AHRS, riferimento di rotta e di assetto 7D002 alberi di trasmissione – sistemi di a. di potenza 8A002o alchilfenilene 1C006b alcol pinacolico 1C350 aldeide – derivato bis di a. acetica MB8e – derivato bis di a. formica MB8e alessandrite 6C005b alette – sistemi di a. a geometria variabile 7E004, DEF algoritmi – asimmetrici Nota, cat. 5, parte 2, 5A002a – simmetrici Nota, cat. 5, parte 2, 5A002a alfa, radiazioni 1C236 alimentatori – ad alta tensione in corrente continua 3A226 – in corrente continua di elevata potenza 3A226 allarme – sistemi di rivelazione di intrusione e di 6A002c allumina – fibre di 1C010c alluminuri 1C002a – di titanio 1C002a – tecnologia per i rivestimenti di 2E003f altimetri amalgami – pompe per 1B233b
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ammidi di aziridina polifunzionali MB8e AMMO, acidometilossetano MB8e ammoniaca 1B227 – convertitori di sintesi di 1B227 – sintesi di 1B227 ammonio – bifluoruro di 1C350 – dinitrammide di MB8a – perclorato di MB8a – picrato di MB8e ammortizzamento – fluidi di 1C006c amplificatore 3A001b – a fibra fluorata 5E001 – a microonde 3A001b – a microonde a semiconduttore 3A001b – di potenza lineare 5A001b – laser 6A205 analisi spettrale 3A001c analizzatori – differenziali numerici 4A101 – dinamici di segnale 3A002c, DEF – di segnali 3A002c, DEF anello chiuso – tecniche ad 2B116a anidride carbonica (CO2 anime 9B001 – apparecchiature di fabbricazione di 9B001d anisotropi a plasma 3B001c antenne – di allineamento a fascio orientabile 5A001d, 6A008e anticoppia, sistema 7, DEF antimonio – composti organici di 3C003b – idruri di 3C004 – a specchio rotante 6A203a – meccanici ad alta velocità 6A003a apparecchiature acustiche 6A001 – navali 6A001a – software per 6D003 apparecchiature di telecomunicazione per essere utilizzate a bordo di satelliti, tecnologia per 5E001b – software per 5D001d apparecchiature telefoniche senza filo 5A002a aramidici, materiali 1C210a
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arco catodico – deposizione fisica in fase di vapore per 2E003f argon – sistemi luminosi ad arco ad 8A002g aria – condizionatori d’a. per il filtraggio nucleare, biologico o chimico MB7i armi – a colpo singolo MB1b – anticarro MB2a – chimiche MB7a – corte da fuoco MB1c – da avancarica MB1b – da caccia MB1a – da sport MB1 – di un calibro di 12,7 mm o inferiore MB1 – di un calibro superiore a 12,7 mm MB2 – per munizioni a salve MB1 – psicologiche MB7i – vecchie MB1d arsenico – composti organici di 3C003b – idruri di 3C004 – tricloruro di 1C350, artiglierie MB2a assetto – apparecchiature di controllo di 7A116b assieme elettronico 3, 4, 5, DEF assorbimento – sistemi di 8A002j – torri di 2B350e atomizzazione – centrifuga 1C002b, DEF – sottovuoto 1C002b, DEF atterraggio – sistemi di 5A001e – sistemi di a. a microonde 5A001e attrezzature di commutazione con controllo a programma registrato 5B001b attuatori elettrici 7E004a autenticazione – apparecchiature di a. di dati 5A002 autoclave 1E103 autocollimatori 2B006b autorespiratore a circuito chiuso – per immersioni e nuoto subacqueo 8A002q autoveicoli militari MB6 – anfibi MB6 – armati MB6 – componenti di MB6 – corazzati MB6 – in grado di attraversare a guado acque profonde MB6 – muniti di supporti per armi MB6
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avionico, materiale 7 – software per 7D – tecnologia per 7E azoto – composti di MB8a – diossido di 1C111a – ipriti all’ MB7i, O composti – laser ad 6A005a – triossido di 1C111a bacillus anthracis 1C351c banconote – macchine automatiche per la distribuzione di 5A002 banda passante – in tempo reale 3A002c, DEF DEF – filtri di 3A002c bario, laser a 6A005a bartonella quintana 1C351b batterie 3A001e – primarie 3A001e BCMO, bis-clorometilossietano MB8e benzile – bromuro di MB7i – leghe di 1C230 – materiali di deposito berrilio/berrilio 6C004d bersaglio – inseguimento automatico del 6A008l, DEF – sistemi di inseguimento del MB5b BHEGA, bis-2-idrossietilglicolammide MB8e bilanciamento centrifugo su più piani biocatalizzatori MB7, DEF – per la decontaminazione e la degradazione di agenti di guerra chimica …. MB7h biopolimeri MB7, DEF – per la rivleazione degli agenti di guerra ….. MB7g bioreattori 2B352b, bis-(2-cloroetile), solfuro di MB7, O composti bis-(2-cloroetilthioetile), ossido di MB7, O composti bis-(2-cloroetilthiometile), ossido di MB7, O composti bis-2-fluoro-2,2-dinitroetilformal (FEFO) MB8e bis-2-idrossietilglicolammide (BHEGA) MB8e bis-clorometilossietano (BCMO) MB8e bisazidometilossetano MB8e bismaleimmidi 1C008a bismuto 1C229 BNCP, perclorati di cis-bis (5-nitrotetrazolato) pentaamina cobalto (III) MB8a BNO, nitrileossido di butadiene MB8e BOBBA 8, ossido di fosfina bis (2 metil aziridil) 2 (2-idrossipropanosi) propilammino MB8e
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bobine di induzione 2B226 – incendiarie MB4a – carburo di 1C010c – fibre di braccio 2B225 bromo – acetone MB7i – metilchetone MB7i bronzo – filtri a maglia fitta di b. fosforoso 1A226 brucella – abortus 1C351c – melitensis 1C351c BTTN; trinitrato di butantriolo MB8e burkholderia mallei 1C351c burkholderia pseudomallei 1C351c cabine blindate MB6 CAD, progettazione assistita da calcolatore 3D003, 7D003e cadmio, tellururo di (CdTe) 6C002b cadmio-zinco, tellururo di (CdZnTe) 6C002b calcio 1C227 fluoruro di 2A225a – zirconato di 2A225a – apparecchiature collegate a c. elettronici 4A001 – a reti sistoliche 4A004b, DEF – assiemi elettronici per c. elettronici 4A001 – di bombardamento MB5a – elettronici 4A001 – interconnessione tra 4A003g – neurali 4A004b, DEF – ottici 4A004b, DEF – per il trattamento del segnale 4A003 – software per 4D – tecnologia per 4E calibrazione, apparecchiature di 7B001 calibri – alla manganina 6A226a calore – scambiatori di 2B350d
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– sorgenti nucleari di 1C012 camere – ambientali 9B106 – anecoiche 9B106b – di combustione a duomo multiplo 9E003a – per il confronto aerosol 2B352g camere di spinta 9A006h – ad alta pressione 9A006e – pressurizzate 8A002a – rivestimenti ablativi per 9A106a – ugelli per 9A006e campioni di frequenza atomici 3A002g canale comune, segnalazione su 5, DEF candelotti fumogeni MB4a cannoni MB2a – a gas leggero 9B005b – dispositivi mimetici per MB2a – senza rinculo MB2a – sistemi di c. ad alta velocità 2B232 capacità crittografica Nota, cat. 5, parte 2, 5A002 carabine – anteriori al 1938 MB1 – riproduzioni di MB1 carbonile – cloruro di MB7i carbonio 1C006a – laser a ossido di 6A005a – materiali al 1C010b – ossido di 8A002j carborani MB8a carburante – serbatoi elastici per 1A001a carenature 9B001 carene – connettitori e penetratori di MB9f cariche – di profondità MB4a – militari di demolizione MB4a – propulsive liquide MB2a carico di rottura specifico 1A002b, 1C010, 1C210, DEF carri armati MB6 carte personalizzate a microprocessore 5A002a, DEF cartucce MB4a – nastri per MB3 caschi militari MB10g catalizzatori – per il recupero del trizio 1A225 – per la produzione dell’acqua pesante 1A225, 1A226 – platinati 1A225 catapulte per il salvataggio MB10g
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catocene MB8e catodi 3A001b – elementi di 3A001b – tubi a c. freddi 3A228a cavi – a fibre ottiche 5A001c – a fibre ottiche per impiego subacqueo 5A001c – apparecchiature di produzione per c. di comunicazione a fibre ottiche 5B001 – di comunicazione a fibre ottiche 5A001d, 5B001, 5C001, – elettrici conduttori galleggianti per il dragaggio di mine magnetiche MB4b – macchine per il piazzamento di 1B001b – ombelicali per sommergibili 8A002a – tecnologia per c. di comunicazione a fibre ottiche 5E001b cellule elettrolitiche – degli amalgami di litio 1B233b – per la produzione di fluoro 1B225 cellule fotovoltaiche 3A001e cementazione – tecnologia per c. fuori cassetta 2E003f – tecnologia per c. in cassetta 2E003f centrifuga, atomizzazione 1C002b, DEF CEP, cerchio di uguale probabilità 7, DEF ceramica 2B001 – anime in 9B001 – fibre di 1C010c – gusci in 9B001 – materiali ceramici 1C107 – materiali ceramici di base 1C007 – materiali ceramici compositi per punte di ogive 1C107 – materiali ceramici non compositi 1C007 – materiali compositi ceramica-ceramica 1C007c, 1C007d, 1C007f – tecnologia per materiali ceramici 1E002c cerio – solfuro di 2A225a chemostati 2B352b, chiave, lunghezza di Nota, cat. 5, parte 2 chlamydia psitacci 1C351c chukungunya, virus 1C351a cianogeno – bromuro di MB7i – cloruro di MB7i, O composti cianuro di bromobenzile MB7c ciclotetrametilentetranitrammina (HMX) MB8a circolazione – comando di direzione con comando di 7D003e, 7E004c, DEF – sistemi anticoppia con comando di 7D003e, 7E004c, DEF circuiti 3A001b – superconduttori 3A001d – a microonde 3A001b – a micropiastrine multiple 3A001a, DEF – apparecchiature di collaudo per 3B002b
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– apparecchiature per il collaudo di c. a microonde 3A001b – costruiti su richiesta del cliente 3A001a – ibridi 3A001a, DEF – ottici 3A001a, DEF – per reti neurali 3A001a cis-bis (5-nitrotetrazolato) pentaamina cobalto (III) – perclorati di (BNCP) MB8a CL-14, 5, 7-diammino-4, 6-dinitrobenzofurazono-1-ossido MB8a clorati MB8a cloro MB7i cloro-acetone MB7i cloroacetofenone MB7c cloropicrina MB7i, O composti clostridium botulinum 1C351c CNTD : decomposizione termica a nucleazione controllata 2B005a cochliobolus miyabeanus 1C354b CoCrAlY – strati di 2E003f codice – oggetto 4, 5, 9, DEF codifica – apparecchiature per la 5A002 – tecniche di 5A002a codificatori di posizione assoluta ad asse primario di tipo rotante 3A001f – di traduzione (transcodificatori) 5A001b collaudo – apparecchiature di c. a vibrazione acustica 9B006 – apparecchiature di c. per circuiti integrati .. 3B002b – apparecchiature di c. per elementi di semiconduttori 3B002 – apparecchiature di c. per la navigazione 7B – apparecchiature di c. per materiale avionico 7B colletotrichum coffeanum var. virulans 1C354b collettori 1B226 colonne – a piatti per lo scambio acqua – idorgeno solforato 1B229, 1B233 – di distillazione 2B350e – di distillazione criogenica dell’idrogeno 1B228 – di scambio a riempimento 1B233b colture di cellule – per la produzione di agenti di guerra MB7g – contenenti l’informazione genetica per la produzione di biocatalizzatori MB7h comandi di volo a fibre ottiche 7D003e – tecnologia per 7E004c combustibile – contenitori di c. per cariche MB3 – militare MB8 – per aerei ….................................................. MB8d
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commutatori – di circuiti 5A001c commutazione – di corrente 3A001d – dispositivi di 3A228 DEF commutazione ottica 5, DEF – software per 5D001 commutazione, complesso di 5, DEF compensazione – sistemi di 6A006 – sistemi di c. magnetica 6A006g – software per 6D003b componenti a microonde 3A001b a onde millimetriche 3A001b – di forma tubolare 1A202 – software per 1D002 composti – componenti costituiti di c. fluorurati 1A001 – fluorurati 1C009 – metallo organici 3C003a – organici-inorganici 3C003 – semiconduttori 3A001a compressione dell’impulso 6A008k, DEF comunicazione – con elevata capacità di immagazzinare energia 3A001e, 3A201a coni di spinta 9A006h conotossina 1C351d contenimento – alloggiamento di 2B352 – livelli di 2B352a – mezzi di c. biologico 2B352a contornatura – tecnologia per il controllo di 2D002a
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– adattivo 2D002b, DEF DEF – della potenza irradiata 7, DEF – di canali di comunicazione DEF – di contorantura 2, DEF – di processo per pirolisi 2B104 – macchine di c. dimensionale, software per 2D001, 2D201 – numerico per collaudo a vibrazione 2B104 – numerico per macchine utensili 2B001, 2B201 – per robot 2B116b – sistemi per il c. degli armamenti MB5a – sistemi di c. del movimento 6A002c – software per c adattivo 2D002b, DEF – tecnologia per il c. centralizzato di rete 5E001b controllo di volo – primario 7E004a, DEF – rete di sensori ottici per il 7E004a, DEF – software per il 7E004b, DEF – software per i sistemi di 7D003c controllore di canale di comunicazioni 5, DEF conversione analogico-numerica 4A003e convertitori 3A225 – a circuiti 3A001a – di ossigeno liquido per aeromobili e missili MB10g – di sintesi di ammoniaca 1B227 – per estendere la gamma di frequenza 3A001b copia unica (one-time copying) 5A002a copolimeri – cristalli liquidi 1C008b – cristalli liquidi termoplastici 1C008b – piezoelettrici 1A001b coppia 9E003e coprocessori 3A001a – grafici 4A003d coriomeningite linfatica, virus della 1C351a corone di forzamento MB3 corridoio 6A001a costante di tempo 6, DEF coxiella burnetii 1C351b crescita epitassiale – a fascio molecolare 3B001a – apparecchiature per 3B001a – apparecchiature per c. a fascio molecolare 3B001a criorefrigeratore 9A006a cristalli liquidi 1C008b
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cristalli singoli – di tellururo di cadmio 6C002b – di tellururo di cadmio-zinco 6C002b – di tellururo di mercurio-cadmio 6C002b cristalli sintetici 6C004b – materiali cristallini sintetici per laser 6C005 crittografia 5A002, DEF – analogica 5A002c – apparecchiature crittografiche per macchine per transazioni bancarie 5A002 – numerica 5A002a crittografia 5, DEF CTP, composite theoretical performance cfr. PTC cupole di protezione di antenne radar – software per la produzione di 6D003d cuscinetti – a rulli 2A001 – a rulli conici 2A001 – a sfere 2A001 – magnetici 8A002o – silenziosi per uso militare MB9g – sistemi di 2A001 – sistemi di c., software per 2D001 – sistemi di c. antifrizione 2A001 – sistemi di c. magnetici attivi 2A001c cute – agressivi chimici che danneggiano la MB7i CVD, deposizione in fase di vapore di elementi chimici – tecnologia per 2E003f DATB, diamminotrinitrobenzene MB8a dati – tecniche di compressione dei 5A002a – tecnologia per l’integrazione dei d. di comando di volo 7E104 decarborano MB8a decomposizione termica a nucleazione controllata (CNTD) 2B005a decontaminazione defolianti MB7i densità – di corrente globale 3, DEF – equivalente 6, DEF densità di corrente globale 3A001e, DEF deposizione – ad impasto liquido 2E003f – apparecchiature per la d. di strati inorganici 2B005 – apparecchiature per la d. in fase di vapore di elementi – apparecchiature per la d. per arco catodico 2B005c – fisica 2B005f
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– fisica in fase di vapore per arco catodico 2E003f – fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD) 2B005 – mediante fascio elettronico 2E003f – in fase di vapore di elementi chimici potenziata a plasma – per polverizzazione catodica 3B001d – tecnologia per la d. fisica in fase di vapore di elementi chimici (CVD) 2B005e – tecnologia per la d. per polverizzazione catodica 2E001, 2E002, 2E003f derivati del ferrocene 1C111c detezione – apparecchi sottomarini di MB9c – a filo esplodente 3A232b – a lamina esplodente 3A232a deuterio – fluoruro di (DF) (laser a) 6A005a deviazione di posizione angolare 2B006b, 2B206, DEF DF, difluoruro di metilfosfonile O composti di pubblico dominio NGT, NGS, DEF diagnosi medica 6A006 – apparecchiature diagnostiche ottiche 6A005f dialogenuri N,N-dialchile fosforamidici O composti diamanti sintetici 6C004f diamminoesanitrobifenolo (DIPAM) MB8a diamminotrinitrobenzene (DATB) MB8a diazoto – pentossido di 1C111a – tetraossido di 1C111a – triossido di 1C111a dibromotetrafluoroetano 1C006c dietilamminoetanolo 1C350 dietildifenilurea MB8e dietile, fosfito di 1C350 diffusione diffusometri 7B002a digitalizzatori – di forme d’onda 3A002a diisopropilammina 1C350 dimetilammina 1C350 – cloridrato di 1C350 dimetildifenilurea MB8e dimetile – fosfito di 1C350 – metilfosfonato di 1C350 dimetilidrazina – asimmetrica MB8a – simmetrica MB8a dinitrato glicol dietilenico 1C111c
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dinitroglicolurile (DNGU, DINGU) MB8a diottimaleato MB8e DIPAM, diamminoesanitrobifenolo MB8a disfogene (cloroformiato di triclorometile) MB7i disidratazione per congelamento – apparecchiature per 2B352e disinnesco MB4b dispositivi elettronici, software per 3D001, 3D002 dispositivi (per munizioni) – di accensione MB3 – di alimentazione a elevata potenza di uscita funzionanti una volta sola MB3 – di misura MB2a – di sicurezza MB3 – esplosivi MB4a dispositivi di estremità per robot MB 17e, 2B007, 2B207 dispositivi di tenuta per applicazioni aeronautiche 1A001a, 1A001c dispositivi qualificati per impiego spaziale 3A002a, 3A002g, 6A008j distillazione – colonne di 2B350e – torri di d. sottovuoto 1A226 disturbo MB4b DNGU, DINGU, dinitroglicolurile MB8a dosimetri – personali per il controllo delle radiazioni MB7f – termoluminescenti 1C233 dragaggio MB4b – di mine magnetiche MB4b durata dell’impulso 6, DEF Ebola, virus di 1C351a EC, elemento di calcolo 4, 4A003c, DEF eccentricità 2, DEF eccimeri – laser ad 6A005a ecografia a raggi X 1B001f ecoscandagli 6A001a EDDN, etietilendiamminodinitrato MB8e EEPROM 3A001a effetti elettronici 5A001a efficienza spettrale 5, DEF elastomeri – di fosfazene fluorurato 1C009c elemento principale 4A003, DEF elettromagneti – a bobina superconduttrice 3A201b elettroni – acceleratori di 3A201c elettronici, materiali 3 eliche 8A002o – controrotanti 8A002o – di sollevamento per veicoli ad effetto di superficie 8A003l – parzialmente immerse 8A002o – penetranti la superficie 8A002o
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– sistemi di 8A002o – sistemi di distribuzione del flusso delle 8A002o – sistemi di raddrizzamento del flusso delle 8A002o – software per e. progettate per la riduzione del rumore subacqueo 8D002 – supercavitanti 8A002o – superventilate 8A002o – tecnologia per e. progettate per la riduzione del rumore subacqueo 8E002a – ventilate 8A002o elicotteri – da attacco MB10a eliminatori di banda 3A001b – unità di refrigerazione ad 1B231 ematite (Fe2O3), ossido ferrico sopraffino MB8e EMI, interferenza elettromagnetica – tecnologia per 7E102 EMP, pericoli dell’impulso elettromagnetico – tecnologia per 7E102 encefalite – virus dell’ e. da zecche 1C351c – virus dell’e. equina venezuelana 1C351a – virus dell’e. giapponese 1C351a – virus dell’e. orientale equina 1C351a – virus dell’e. russa primaverile-estiva 1C351a energia – sistemi di alimentazione energetica 8A002o – sistemi di alimentazione di e. non dipendenti dall’aria 8A002j – sistemi di generazione energetica 8A002o – sistemi di trasmissione energetica 8A002j enterovirus porcino tipo 9 1C352a epitassiali, fette 6C002b erbio – ossido di 2A225a esabenzilesaazaisowutrzitano (HBIW) MB8e esanitrodifenilammina MB8e esanitroesazaisowurzitane MB8a esanitrostilbene (HNS) MB8a esantema – virus dell’e. vescicolare dei suini 1C352a esogeno ciclotrimetilenetrinitrammina (RDX) MB8a DEF – ambienti contenenti e per munizionamento 2B007b, 2B207 – organici MB8b estrusione 1C eteri di fenilene 1C006b etero-epitassiali, materiali 3C001 etietilendiamminodinitrato (EDDN) MB8e etile – bromoacetato di MB7i – idroacetato di MB7i
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– metilfosfonito di MB7b etilesilacrilato MB8e evaporatori – per soluzione di idrossido di litio 1B233 facsimile, apparecchiature 5A002c FADEC, sistema elettronico a controllo numerico per la regolazione completamente automatica di motori 7, 9, DEF – software per 9D003 – tecnologia per 9E003a famiglia 3, DEF fascio elettronico – sistemi a 3B002d fascio molecolare – crescita epitassiale a 3B001a – spettrometri di massa a 3A233e fattore di scala 7, DEF fattorizzazione 5A002a1b febbre – virus della f. di Lassa 1C351a – virus della f. emorragica del Congo-Crimea 1C351a – virus della f. gialla 1C351a – virus della f. suina africana 1C352a – virus della f. suina 1C352a – virus della f. valle del Rift 1C351a FEFO, bis-2-fluoro-2,2-dinitroetilformal MB8e fenil-acil cloruro MB7c fenilene 1C008b – eteri di 1C006b ferro – polvere di MB8a fette – a caricamento automatico 3B001e – epitassiali 6C002b – trattamento delle 3B001f – trattamento sequenziale multiplo delle 3B001e FFT, trasformata rapida di Fourier 3A001a, 6A001a – processori di 3A001a fibre – apparecchiature per la produzione di 1B001 – apparecchiature per la produzione di f. di rinforzo 1B001d – di allumina 1C010c – fascio di 1, DEF – macchine per l’avvolgimento delle 1B001a, 1B101a, 1B201, – trattamento speciale della superficie delle 1B101d filamenti – macchine per l’avv. di fil., software per 1D001 – superconduttori 1B901 – superconduttori a f. multipli 1C005b filato 1, DEF
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filtraggio a flusso incrociato – apparecchiature di 2B352d filtri – a maglia fitta di bronzo fosforoso 1A226 – di banda passante 3A002c – di frazioni di ottava 3A002c – passa banda 3A001b – per torri di distillazione 1A226 finestre – schermate contro le radiazioni 1A227 firma digitale 5A002a fisso 5, DEF fluidi – di ammortizzamento 1C006c – di flottazione 1C006c – di raffreddamento per parti elettroniche 1C006d – e sostanze lubrificanti 1C006 – fluorurati al silicone 1C006b – idraulici 1C006a fluoro – cellule elettrolitiche per la produzione di 1B225 – composti di MB8a fluoroelastomeri 1A001c – tecnologia per composti 1E002b fluotornitura flussi multipli di dati – software di sistema operativo per apparecchiature di 4D003a – tecnologia per il trattamento di 4E001 – trattamento di 4D003a, DEF flusso incrociato – apparecchiature di filtraggio a 2B352d fori – macchine foratrici per f. profondi 2B001f – macchine tornitrici per f.profondi 2B001f forme aeromobili e aerospaziali 1B003 formatura superplastica 1, 2, DEF – tecnologia per la 2E003b – ad induzione 2B226 – ad induzione in atmosfera controllata 2B226 – di colata di metalli 2B227 – di fusione a fascio elettronico 2B227b – di fusione di metalli 2B227 – di fusione in atmosfera controllata 2B227, 2D201 – per deposizione in fase di vapore di elementi chimici 2B104 fosfazene fluorurato – elastomeri di 1C009c fosgene MB7
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fosforo – composti organici di 3C003b – idruri di 3C004 – ossicloruro di 1C350 – pentasolfuro di 1C350 – tricloruro di 1C350 fotocatodi fotografici, apparecchi – per impiego subacqueo 8A002e fotosensibili, resine 3C002 FPF-1 poli-2,2,3,3,4,4-esafluoropentano-1,5-diol formal MB8e FPF-3 poli-2,4,4,5,5,6,6-eptafluoro-2-2 tri fluorometil-3- ossaeptano-1,7-diol formal MB8e francisella tularensis 1C351c frequency agile tubes 3A001b frequenza – inversione a f. fissa 5A002c – selezione di 3A001d – sintetizzazione di 3A002d – tempo di commutazione della 3A002b, 3A002d, 5A001b, – variatori di DEF frequenza portante 5A001b fucili – anteriori al 1938 MB1 – a ripetizione a munizione a percussione periferica MB1c – riproduzioni di MB1 funghi 1C354 funzione di cifratura da punto a punto 5A002a fuori rotondità 2, DEF fusione – a caldo 1B001e – forni a 2B227 – monocristallina 9B001 gallerie – ad arco a plasma 9B005b – ad impulso termico 9B005b – ad onde d’urto 9B005b – idrodinamiche 8B001 – software per modelli di g. aerodinamiche 9E003b gallio-argento gallio-indio GAP, polimero di azoturo di glicidile MB8e gas – apparecchiature per g. tossici 2B351 – atomizzazione a 1C002b – cannoni multistadio a g. leggero 2B232, 9B005b – impianti mobili per la liquefazione di MB4b – inerti 3C004
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– lacrimogeni per autodifesa MB7i – sistemi di monitoraggio per g. tossici 2B351 gateways 5A001b generatori – di impulsi ad alta velocità 3A230 – di impulsi ad elevata corrente 3A229 – di neutroni 3A231 – di raggi X con scarica a lampo 3A201c – di segnali 3A002d – fotovoltaici 3A001e geneticamente modificati, microrganismi 1C353 geograficamente distribuiti 6, DEF gerarchia numerica sincrona, SDH 5, DEF germanio 3C001b – per missili 7A012 – qualificazione di specchi per giroscopi a laser 7B002, 7B102 – riflettometri per specchi per giroscopi a laser 7B001 – sistemi di centrifugazione per cuscinetti di 7B003e – stazioni di collaudo per il rodaggio di motori di trascinamento di 7B003c – stazioni di collaudo per la messa a punto di 7B003a – stazioni di equilibratura dinamica di 7B003b goniometria – software per 7D003d – software per apparecchiature avioniche automatiche di 7D003d – tecnologia per 7D003d – tecnologia per apparecchiature avioniche automatiche di 7E004a gonne 8A002k gradiometri – software per g. a gravità 6D003c grafica interattiva – tecnologia per lo sviluppo della 2E003a – per missili 1C107 grammi effettivi 1C012a, DEF granate MB4a – fumogene MB4a gravimetri 6A007 – apparecchiature per la produzione di 6B007 – apparecchiature per g. per uso terrestre 6B007 – componenti per 6B007 – per uso terrestre 6A107 guanidina – nitrato di 1C011c
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guarnizioni guasti, tolleranza ai 4A003a, DEF guida, complesso di 7, DEF guide d’onda ottiche 3A001a gusci 9B001 HAN, nitrato di idrossiammonio MB8a Hantaan, virus di 1C351a HAP, perclorato di idrossiammonio MB8a HDDR, modulo di registrazione ad alta densità 3A002a herpes porcino, virus dell’ 1C352a HMX, ciclotetrametilentetranitrammina MB8b HNS, esanitrostilbene MB8a HTPB, polibutadiene con radicali ossidrilici terminali MB8e idrazina MB8a – nitrato di MB8a – perclorati di MB8a idrocarburi – oli di i. sintetici 1C006a idroclavi – tecnologia per 1E103 idrofoni 6A001a – cortine di 6A001a idrogeno – colonne di distillazione criogenica dell’ 1B228 – laser al fluoruro di 6A005a – perossido di MB8e – sistemi di immagazzinamento dell’isotopo di 1B231b – sistemi di purificazione dell’isotopo di 1B231b – sistemi di trasferimento o di stoccaggio dell’i. semidenso 9A006c – unitàdi refrigerazione a 1B231b idrografia batimetrica – sistemi di 6A001a idrossiammonio – nitrato di (HAN) MB8a – perclorato di (HAP) MB8a idruri 3C004 illuminazione – sistemi di i. per impiego subacqueo 8A002g immagine – apparecchiatura di 6A002c – apparecchiature per l’i. a visione diretta 6A002c – miglioramento dell’ 4A003, DEF – sensori di (monospettrali) 6A002b – sensori di (multispettrali) 6A002b – sistemi per l’i. elettronica 8A002f immunotossine 1C351, DEF impasto liquido – deposizione ad 2E003f impiantazione ionica impulso DEF
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– sistemi di misura con radar ad 6B008, 6B108 – specifico 9A007a inceneritori – per la distruzione di sostanze chimiche 2B350j incertezza di misura 2, DEF incollaggio – tecnologia per 1E001 influenza avicola, virus dell’ 1C352a iniettori MB2a – per la produzione di materiali derivati per pirolisi 1B116 innesco – a percussione MB3 – apparecchi di 3A229 inorganici – apparecchiature per la deposizione di strati 2B005 inseguimento – automatico del bersaglio 6A008l, DEF instradamento attivo dinamico 5B001c, 5E001b, DEF – software per 5D001c – tecnologia per 5E001b instradatori con porte o linee 5A001c integrità, controllo dell’ – apparecchiature per il c.di motori a razzo 9B008 interconnessione – apparecchiature numeriche di 5A001b interfaccia – apparecchiature terminali di 4A003f, DEF – per telecomunicazioni 5A001b – laser Doppler 6A225 interferometria – apparecchiature per l’ 7A115 intrallacciare, macchine per 1B001c invertitori 3A225 iodio – laser a biossido di 6A005a iodoacetone MB7i IRFNA, acido nitrico fumante inibito MB8d irregolarità delle superfici – apparecchiature per la misura delle 2B006c ISAR, radar di apertura sintetica inversa 6A008d ISDN, rete numerica integrata nei servizi 5E001b, DEF isolamento acustico 8A002o isolante 9, DEF isotopi – separatori elettromagnetici di 1B226 ispezione – apparecchiature di i. per la navigazione 7B – apparecchiature di i. per materiale avionico 7E
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istruzioni – tecnologia per i generatori di 2E003d ittrio – ossido di 2A225a Josephson, dispositivi ad effetto 6A006h Junin, virus di 1C351a krypton – laser a 6A005a krytron 3A228a – software per 1D002 lanciafiamme MB2 lanciagas MB2 lanciaproiettili MB2a – a azoto 6A005a – a bario 6A005a – a coloranti 6A005d – a eccimeri 6A005a – a fluoruro di deuterio (DF) 6A005a – a fluoruro di deuterio – anidride carbonica (DF – CO2 6A005a – a fluoruro di idrogeno 6A005a – a impulsi 6A005 – a impulsi coloranti accordabili 6A005d – a krypton 6A005a – a liquido 6A005d – a ossido di carbonio (CO) 6A005a – a scarica di gas 6A005a – a semiconduttore 6A005b – a sodio (Na) 6A005a – a trasferimento 6A005a, DEF – a vapore metallico 6A005a – a vetro drogato al neodimio 6A005c – accordabili 6A005c – allo stato solido 6A005c – allo zaffiro-titanio 6A005c – chimici 6A005a, DEF – drogati al neodimio 6A005c – eccitati ad impulsi 6A005 – eccitati in continuo 6A005c
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– evaporazione a 2E003f – non accordabili 6A005c – non Q commutati 6A005c – Raman 6A005 – sistemi a fascio 3B002d – sistemi di misura con 2B006b – software per 6D001 – sorgenti di pompaggio 6A005 – tecnologia per telecomunicazione 5E001b – telecomunicazione 5A001b lavorazione dei metalli – tecnologia per la 2E003b leghe – amorfe 1C003c – apparecchiature per la produzione di l. metalliche 1B002 – magnetostrittive 1C003b – meccaniche 1C002b, DEF – polveri di l .metalliche 1C003c lewisiti MB7i, O composti LICA, 12,2,2 [bis 2-propenolato-metil, butanolato, oppure tris (diottile) fosfato-O] MB8e LIDAR 6A008j linearità 2B006b, DEf lingua blu, virus della 1C351a Lissa, virus di 1C352a litio 1C233 – amalgami di 1B233b – apparecchiature per la separazione degli isotopi di 1B233 – arricchito in isotopo 6 1C233 – cellule di elettrolisi degli amalgami di 1B233b – evaporatori per soluzione di idrossido di 1B233 – pompe per amalgami di 1B233b – tantalato di 6A002a litografia – apparecchiature di 3B001f localizzazione – sistemi di 6A001a lubrificanti, sostanze 1C006 MAC, codice di autenticazione del messaggio macchine – assiemi per m. utensili 2B008 – inserti per m. utensili 2B008 – per intrallacciare 1B001c – unità per m. utensili 2B008
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– utensili per ingranaggi 2B003 – utensili per l’asportazione o il taglio di metalli 2B001b, 2B201a – utensili per la produzione di superfici di qualità ottica 2B002 machupo, virus di 1C352a magnaporthe grisea 1C354b – leghe di 1C228 magneti 3A201b magnetici, metalli 1C003 – a bobina di induzione 6A006c – a fibre ottiche 6D003b – tecnologia per magnetometro 6, DEF magnetostrittive, leghe 1C003b malattia – virus della m. del piede e della bocca 1C352a – virus della m. di Newcastle 1C352a – virus della m. di Teschen 1C352a – virus della m. esantematica della capra 1C352a manganina – calibri alla 6A226a – articolati 8A002i MAPO, tris-1(2-metil) aziridil fosfin ossido MB8e marburg, virus di 1C351a maschere – apparecchiature per la produzione di 3B001f – di ossigeno MB10g – di protezione MB10g – multistrato 3B001h – per circuiti integrati 3B001g materiale appositamente progettato a fini militari MB17 materiale militare – di fusione dei dati MB5b – di integrazione dei sensori MB5b – di riconoscimento MB5b – di rilevazione MB5b – pirotecnico MB5b materiali 1 – apparecchiature per la fabbricazione di m. fibrosi 1B101c – apparecchiature per la fabbricazione di m. filamentosi 1B101c – apprecchiature per m. biologici 2B352 – aramidici 1C210a – ceramici non compositi 1C007
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– precursori 1C007e – precursori ceramici 1C007 – software per 1D – software per il trattamento e la lavorazione dei 2D – tecnologia per 1E – tecnologia per il trattamento e la lavorazione dei 2E – tecnologia per m. di base 1E002c – trattamento e lavorazione dei 2 materiali elettronici – software per 3D – tecnologia per 3E materiali fibrosi o filamentosi 1, 8, DEF – metallica 1C011 – organica 1A002a matrici aeromobili e aerospaziali 1B003 memoria – a circuiti integrati 3A001a – centrale 4, 4A003a, DEF – di sola lettura 3A001a – statiche ad accesso casuale 3A001a mercurio – pompe per amalgami di 1B233b mercurio-cadmio – tellururo di (CdHgTe) 6C002b metalli – magnetici 1C003 – Misch MB8e – particelle di 1C011 metalliche, sostanze propulsive 1C011, 1C111a metil BAPO, ossido di fosfina bis (2 metilaziridil) meti- lammino MB8e metil-N, N-difenilurea MB8e metile – benzilato di 1C350 metiletildifenilurea MB8e metilfosfonile – dicloruro di 1C350
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microcircuito – microprocessore 3A001a, DEF microcistina 1C354b microcyclus ulei 1C354b microfluorurazione – sorgente ionica di 3A233f microonde – amplificatori a 3A001b – circuiti integrati a 3A001b – componenti a 3A001b – ricevitori di collaudo a 3A002f – sistemi di atterraggio a 5A001e – transistor a 3A001b – geneticamente modificati 1C353 microscopi – elettronici a scansione 3B002d – attrezzature per il collocamento di MB6 – di ridotte proporzioni MB3 miniraffreddatori Joule-Thomson 6A002d miscelatori 1, DEF – a colata continua 1B115 – per estendere la gamma di frequenza 3A001b – apparecchiature di produzione 9B115 – apparecchiature di supporto per il lancio di 9A115 – mezzi di produzione per 9B116 – mezzi di produzione per sistemi di guida per 7B103 – software di simulazione per 9D103 – software per sistemi di guida per 7B103 – ugelli detonatori di MB4a misura – sistemi di m. di tipo non a contatto 2B006b – sonde di 2B228b – strumenti di 2B006b mitragliatrici – anteriori al 1890 MB1 MOCVD (deposito in fase di vapore di elementi chimici organo-metallici) – reattori 3B001a modificato per uso bellico 1, MB7, DEF modo di trasferimento asincrono, MTA 5B001b, – leghe di 1C010c monitoraggio
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– sistemi di m. per gas tossici 2B351 monofilamento 1, DEF monomeri plasticizzanti MB8e monometilidrazina MB8a montaggi 1B003 morbo di Ausjeszky, virus del 1C352a morsetti 2B228a mortai MB2a moschetti MB1 – riproduzioni di MB1 motori – a ciclo Brayton 8A002j – a ciclo combinato 9A011 – a ciclo Rankine 8A002j – a ciclo Stirling 8A002j – aeronautici per impiego militare MB10c – autoreattori 9A011 – diesel amagnetici per impiego militare MB9b – diesel per sottomarini MB9b – di propulsione o di spinta a corrente continua 8A002a – elettrici di propulsione 8A002o – elettrici per sottomarini MB9b – pulsoreattori 9A111 – sistema elettronico a controllo numerico per la regolazio- ne completamente automatica di 7, 9, DEF movimento – sistemi di controllo del 6A002c mozzo, assiemi 8A002o MTA, modo di trasferimento asincrono 5A001c, DEF multiplazione mediante ripartizione in lunghezza d’onda 5A001c – tecniche di 5E001c2 multistrato, maschere 3B001h multistrato, tecnologia 3E001 munizioni MB3 – a salve con camera a polvere forata MB3 – attrezzature per il lancio di MB6 – componenti di MB3 – orlate senza proiettile MB3 – pezzi metallici per MB3 mycroplasma mycoides 1C352b N,N-difenilurea MB8e N-butil-ferocene MB8e N-metil-P-nitroanilina MB8e N-pirrolidinone MB8e naftalina 1C008b nanocristalline, leghe 1C003c nastri 1, DEF – macchine per la messa in opera di 1B001b, 1B101b – software per macchine per la messa in opera di 1D001b, 1D101b navale, materiale 8 – software per 8D – tecnologia per 8E navi – da guerra MB9 – di superficie 8A001
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– di superficie a piccola area di galleggiamento 8A001i, 8A002o navigazione 7 – apparecchiature di collaudo per la 7B – apparecchiature di ispezione per la 7B – sistemi avionici di 6A108b – software di integrazione per sistemi di 7D102 – software per la 7D – software per la riduzione dell’errore di 7D003a – tecnologia per la 7E necessaria NGT, 1-9, DEF neodimio – laser a vetro drogato a 6A005c nettunio 237 1C012b neurotossici MB7i neutroni – tubi generatori di 3A231 nichelio 2B230 – alluminuri di 1C002a – metallo 1C240 – polvere di 1C240 NiCrAlY – tecnologia per gli strati di 2E003f niobio niobio-titanio-tungsteno – lega di nitruro di 2A225a nitratometilmetilossetano (NMMO) MB8e nitrileossido di butadiene (BNO) MB8e nitroamido MB8e nitrocellulosa MB8e nitroglicerina MB8e nitroguanidina (NQ) MB8a NMMO, nitratometilmetilossetano MB8e NQ, nitroguanidina MB8a NTO, 3-nitro-1, 2, 4-triazolo-5-one MB8a nucleari, sorgenti – di calore 1C012 numeri personali di identificazione, PIN 5A002a o-clorobenzilidenmalononitrile MB7c o-diisopropilamminoetile MB7b O-isopropile, metilfosfonocloroidrato di (cloro sarin) MB7 O-pinacoile, metilfosfonocloroidrato di (cloro soman) MB7 obici MB2a ogive – di vettori di rientro MB4a – punte di o. per veicoli di rientro MB 4a, 1C107, 2B104 onde – componenti a o. millimetriche 3A001b – dispositivi utilizzanti le o . acustiche di volume 3A001c – tubi a o.progressive 3A001b
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ONTA, 3-nitro-1, 2, 4-triazolo-5-one MB8a ordinazione telefonica Nota, cat. 5, parte2 orientamento del fascio, tecniche di 5A001b oro – laser a 6A005a – laser a coloranti 6A205b – monomodo 6A205c ossidanti liquidi 1C111a ossido di fosfina bis (2 metil aziridil) 2 (2-idrossipropanosi) propilammino (BOBBA 8) MB8e ossido di fosfina bis (2 metilaziridil) metilammino (metil BAPO) MB8e ossido ferrico sopraffino (ematite Fe2O3) MB8e ossido, forme di 1C230 ossigeno – composti di MB8a – difluoruro di MB8d – liquido MB8e ottici, sistemi (componenti per) 6A004c otturatori elettro-ottici a cella – di Pockel 6A203b palmitati MB8d paracadute – antiavviamento MB10h – di avvicinamento MB10h – frenanti MB10h – per il lancio di materiale MB10h – per il lancio di personale militare MB10h – per il recupero di missili guidati MB10h – stabilizzatori MB10h paraglider MB10h paratie – connettitori e penetratori di MB9f parole d’ordine 5A002a pay-TV 5A002 PCDE, policianodifluoramminoetilenossido . MB8e PDFFA 5E001c2 PECVD, deposizione in fase di vapore di elementi chimici potenziata a plasma 3B001d pentaborano MB8a pentaerittirtetetranitrato, PETN MB8e penumatici a prova di proiettile MB6 perclorati MB8a peste – virus della p. bovina 1C351a – virus della p. dei piccoli ruminanti 1C352a – virus della p. suina 1C352a
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PETN, pentaerittirtetetranitrato MB8e piante – agenti patogeni per le 1C354 piatti – a campana di gorgogliamento 1B229 – a crivello 1B229 – a valvola 1B229 – di turbogriglia 1B229 picrilamminodinitropiridina, PYX MB8a piloti automatici 7A103b PIN, numeri personali di identificazione 5A002 pinacolone 1C350 piombo – azoturo di MB8e – betaresorcilato di MB8e – chelati di MB8e – citrato di MB8e – maleato di MB8e – salicilato di MB8e – seleniuro di 6A002a – solfuro di 6A002a – stannato di MB8e – stifnato di MB8e – titanato-zirconato di 6A001a – vetri al 1A227 pirolisi – apparecchiature per la 2B104 – controlli di processo per 2B104 – tecnologia per le apparecchiature per la 2D101 – tecnologia per la produzione di materiali derivati per 1E104 pirolizzati carbonio-carbonio, materiali 1A102 pirotecnici, prodotti (militari) MB4, MB8, DEF pistole – anteriori al 1890 MB1 – da segnalazione MB2b placcatura ionica – apparecchiature per la 2B005g placche a microcanali 6A002a plasma – forni di atomizzazione a 2B227b – forni di fusione a 2B227b – metodi a secco anisotropi a 3B001c – spettrometri di massa a 3A233a – tecnologia per la polverizzazione per mezzo di 2B005d platinati, catalizzatori 1A225 plutonio 1C012a -plutonio 238 1C012a polarizzazione (accelerometri) 7A001a, DEF poliammidi – tecnoligia per la produzione di fibre di 1E002d poliammidi-immidi 1C008a poliammina cianoetilata MB8e polianilina 1C001c
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poliarilene – chetone 1C008d – eteri chetoni 1C008c – solfuri 1C008e polibenzossiazoli – tecnologia per la produzione di 1E002a polibifenilenetere solfone 1C008f polibromotrifluoroetilene 1C006c polibutadiene – acido acrilico 1C111b – acido acrilico – acrilonitrile 1C111b – con radicali carbossilici terminali 1C111b – con radicali ossidrilici terminali (HTPB) MB8e policarbosilazani 1C007e policianodifluoramminoetilenossido, PCDE MB8e policlorotrifluoroetilene 1C006c polidiorganosilani 1C007e poliepicloroidrina MB8e polieteri – chetoni 1C008a – chetoni chetoni 1C008c – chteoni eteri chetoni chetoni 1C008c – eteri chetoni 1C008c polietilene 1C010a polifenilene – vinilene 1C001c poliglicidilnitrato (Poli-GLY) MB8e poliimmidi 1C008a – p. fluorurate 1C009b – di azoturo di glicidile (GAP) MB8e – energetici MB8e – intrinsecamente conduttori 1C001 – materiali polimerici 1C011c – non fluorati 1C008 – piezoelettrici 1A001b polinitrocarburani MB8a polinitroortocarbonati MB8e polipirrolo 1C001c polisilazani 1C007e politienilene – vinilene 1C001c politiofene 1C001c polivinilidene – fluoruro di 6A002a polvere nera MB8e polveri di leghe metalliche 1C002, 1C002a, 1C002b, – apparecchiature per la produzione di 1B002 polverizzazione 1C002b, DEF – per mezzo di plasma 2B005d – tecnologia per la p. catodica 2B005e – a comando magnetico 2B350i
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– a diaframma 2B350i – a soffietti 2B350i – a tenuta multipla 2B350i – componenti di 9A006d – per amalgami 1B233b – per amalgami di litio 1B233b – per amalgami di mercurio 1B233b – per la circolazione di soluzioni di catalizzatori di ammide di potassio 1B230 – stagne 2B350i – turbo-p. ad alta pressione 9A006d ponte radio – apparecchiature in 5A001b porta di adattamento 5, DEF portata strumentale 6, DEF – reti di p. programmabili dall’utilizzatore 3A001a posizionamento posizione – codificatori di p. assoluta ad asse primario di tipo rotante 3A001f – software per la ricostruzione della 6D103 potassio – arseniato di p. titanile (KTA) 6C004b – bifluoruro di 1C350 – catalizzatori di ammide di 1B230 – cinauro di 1C350 – fluoruro di 1C350 – nitrato di MB8e – pompe per la circolazione di soluzioni di catalizzatori di 1B230 potenza di picco 6, DEF potenza irradiata – controllo della 7A006a, DEF pozzi di calore 9A116 precedentemente separato 1, DEF precisione 2, 6, DEF – materiali 1C007e – materiali p. ceramici 1C007 – di fibre ottiche 5C001, 6, DEF – p. a caldo 2B004, pressione pressurizzazione – apparecchiature di MB10g prestazione teorica composita (PTC) 3A001a, 4, 4A003b, 4A003c, DEF previsione e selezione automatica delle frequenze 5A001b
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processori – di segnali numerici 3A001a – logici 4A003 – matriciali numerici 3A001a – vettoriali 4A003 prodotti chimici 1C350 produzione, apparecchiature di 9, DEF produzione, mezzi di 9, DEF profili aerodinamici a geometria variabile 7, DEF profili idrodinamici – supercavitanti 8A002m profilometri 7B002b progettazione assistita da calcolatore (CAD) – software per la 3D003 programma 2, 4, 5, 6, DEF programmabilità accessibile all’utente 4, 5, 6, DEF proiettili – rivestimenti per MB3 proiettori acustici 6A001a propano MB8e propellente liquido – componeneti di sistemi di propulsione a razzo a 9A006, 9A016 – iniettori di p. per sistemi di propulsione a razzo 9A006g – sistemi di controllo per p. ad impasto liquido 9A106d – sistemi di propulsione a razzo a 9A005, 9A006, 9A010d, propellente solido – carica totale del 9A007c – componenti per sistemi di propulsione a razzo a 9A008, 9A108 – sistemi di propulsione a razzo a 9A007, 9A107 – apparecchaiture per la produzione di costituenti di 1B115 – basati su elastomeri MB8b – solidi MB8b propileneimide, 2 metilaziridine MB8e propulsione – apparecchiature di produzione per sistemi di 9B115 – sistemi di 9 – sistemi di p. a getto d’acqua 8A002p – sistemi di p. ibridi a razzo 9A009 – software per sistemi di 9D, – tecnologia per sistemi di 9E – tecnologia per sistemi di p. con motore diesel 9E003e propulsive, sostanze pseudomonas – mallei 1C351c – pseudomallei 1C351c PTC, prestazione teorica composita 3A001a, 4, 4A003b, 4A003c, DEF puccinia – graminis 1C354b – striiformis 1C354b
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puntamento – apparati di MB5a PYX, picrilamminodinitropiridina MB8a QAM, modulazione di ampiezza in quadratura 5A001b4 – software per 5D001d – apparecchiature per lo sviluppo di tecniche 5E001b qualificato per impiego spaziale 3, 6, DEF quinuclidin-3-ol 1C350 radar – avionico a scansione laterale (SLAR) 6A008d – di apertura sintetica (SAR) 6A008d – di apertura sintetica inversa (ISAR) 6A008d – di avvicinamento di precisione 6A008f – meteorlogici 6A008 – per la misura della distanza 6A008, 6A108b – riflettività 1C101 – secondari di sorveglianza (SSR) 6A008 – sistemi per la misura della superficie equivalente radar 6B108 radiazioni – dose totale di 4A001a – dosimetri personali per il controllo delle MB7f – finestre schermate contro le 1A227 – resistenza a livelli di 4A001a – tasso della dose di 4A001a radio 226 1C237 radio, ricevitore (digitale) 5A001b radioattive, specie nucleari 1C236 radiogoniometriche, apparecchiature 7A007 radiotelefono mobile 5A002 raffreddamento – fluidi di 1C006d raffreddatori criogenici 6A002d raggi X – ecografia a 1B001f – generatori di r. con scarica a lampo 3A201c – tomografia a 1B001f rame – chelati di MB8e – salicilato di r. basico MB8e – sonda 9A104 RDX, esogeno ciclotrimetilenetrinitrammina MB8a read-only media 5A002a
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reattori – MOCVD (di deposito in fase di vapore di elementi chi- mici organo-metallici) 3B001a – nucleari MB17, DEF – per reazioni 2B350a reazioni – contenitori per 2B350a – reattori per 2B350a recupero – sistemi di r.oceanici 8A001e refrigerazione – sistemi di r. a circolo chiuso 9A006b – di transistori 3A002a – numerici di dati per strumentazione a nastro magnetico 3A002a – numerici video 3A002a registrazione per nastro magnetico – apparecchiature di 3A002a resine – fotosensibili a sililazione 3C002d – fotosensibili positive 3C002a reti – antisiluri MB9d – antisottomarini MB9d – di sensori ottici per il controllo di volo 7, DEF – locali 4, 4A003f, DEF – logiche 3A001a – neurali 3A001a – numeriche integrate nei servizi (ISDN) 5, DEF – ottiche sincrone (SONET) 5, DEF – unità di controllo di accesso alle 4A003f, 5A001b, 5A001c, DEF reticoli 3B001g retroazione a circuito 2B006b rettifica – macchine di r. esterna 2B001c – macchine di r. esterna-interna 2B001c – macchine di r. interna 2B001c revisione – tecnologia per la r. di materiale avionico 7E003 revolver – anteriori al 1890 MB1 ricerca scientifica di base NGT, DEF ricevitori – di collaudo a microonde 3A002f ricezione della radiodiffusione – apparecchiature di 5A002a ricino 1C351d rickettsia – r. prowasecki 1C351b
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– r. quintana 1C351b – r. ricketsii 1C351b riempimento – apparecchiature di r. manovrate a distanza 2B350f riflettività radar 1C101 riflettometri – per specchi per giroscopi a laser 7B102 riflettori (specchi ottici) 6A004a rifornimento – apparecchi per il r. in volo di carburante MB10e – apparecchiature per il r. sotto pressione di aeromobili MB10e rigeneratori 5A001b rimorchi MB6 riparazione – tecnologia per la r. di materiale avionico 7B risoluzione 2, DEF risonatori 3A001b ristaurati pirolizzati, materiali 1A102 ritardo di propagazione della porta di base 3A001a, DEF ritrasmissione di posizione – unità di r. di tipo lineare 2B008a – unità di r. di tipo rotativo 2B008b – di fiamma 6A002c – di oggetti 6A001a – piroelettrici 6A002a – qualificati per impiego spaziale 6A002a rivelazione, apparecchiature di 1A004 rivestimenti – interni 9, DEF – tecnologia per 2E003f – tecnologie per r. delle superfici ottiche 6E003 robot 2, 8, MB17, DEF – per l’impiego subacqueo 8A002h – progettati per resistere alle radiazioni 2B007c rompiossa o dengue, virus delle 1C351a – apparecchiature per l’assemblaggio di 2B228a – apparecchiature per il bilanciamento di 2B228b – apparecchiature per la fabbricazione di 2B228 – atrezzature per la produzione di componenti di 9B009 – componenti di 2B229b rotta – sistemi di riferimento di 7D002 RPVs (remotely piloted air vehicles MB10d RSA, procedura di 5A002a rumore – sistemi di riduzione del 8A002o
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– sistemi di riduzione del r. per navi 8A002j, 8A002o salmonella typhi 1C351c SAR, radar di apertura sintetica 6A008d sarin MB7i, O composti – cloro sarin MB7, O composti satelliti – tecnologia per la comunicazione dei 5E001b saxitossina 1C351d, O composti scafi pressurizzati 8A002a scansione – apparecchi da ripresa a 6A003b scarica elettrica – macchine a 2B001d scarico – di motori 8A002j – sistemi di 8A002j schiuma sintetica 8C001 scudi termici 9A116 SDH, gerarchia numerica sincrona 5E001b, DEF segnalazione a canale comune 5B001b, 5E001c, DEF segnale – analizzatori dinamici di 3A002c, DEF – calcolatori per il trattamento del 4A003 semiconduttori – amplificatori a microonde a 3A001b – apparecchiature per dispositivi 3B001 – composti 3A001a – fette di 2B226 – tecnologia per dispositivi 3E002b – a fibre ottiche 6A002d – apparecchiature per sensori di immagini 7A115 – di immagini multispettrali 6A002b, DEF – elettromagnetici superconduttori 6A002b, DEF – ottici 6A006h – radar interconnessi 7A115 – resistenti alle radiazioni 6A008l, DEF – software per 6A002 separatori 1B226 – centrifughi 2B352c – di isotopi 1B226 serbatoi – blindati MB6 – di stoccaggio MB2a – di stoccaggio per sostanze chimiche 2B350c
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shigella dysenteriae 1C351c sicurezza – apparecchiature per s. a più livelli 5A002a, DEF – software per la s. aerea 6D003d – apparecchiature di collaudo per la 5B002 – apparecchiature di misura per la 5B002b – tecnologia per la 5E002 – funzioni di 5B002b silicio 3C001a – carburo di 6C004d – fibre di carburo di 1B001d silicone 1C006b – oli di idrocarburi al 1C006a sililazione – resine fotosensibili a 3C002d simulazione MB4a – software di 5D002c sintetizzatori – assiemi elettronici di s. di frequenza 3A002b – di frequenza 3A002b, DEF sistemi acustici 6A001a sistemi criogenici 9A006a sistemi esperti 4, 7, DEF – tecnologia per 2E003e sistemi di radiocomunicazioni cellulari 5A002a slapper 3A232 SLAR, radar avionico a scansione laterale 6A008d smart cards 5A002 sodio – bifluoruro di 1C350 – cianuro di 1C350 – fluoruro di 1C350 – laser al 6A005a – solfuro di 1C350 software cfr. sezione D di ogni catego- ria, DEF, NGS – (CAD) per dispositivi semiconduttori 3D003 – di certificazione 5D002c – di integrazione per sistemi di navigazione 7D102 – di progettazione assistita da calcolatore (CAD) 3D003 – di simulazione 5D002c – di sistema operativo per apparecchiature di flussi multipli – di supporto per la tecnologia 5D002b – per apparecchiature acustiche 6D003a – per apparecchiature cellulari 5D001c – per calcolatori 4A003a – per gradiometri a gravità 6D003c – per gravimetri 6D003c – per il controllo adattivo 4D
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– per il controllo numerico 2D002b, DEF – per il trattamento e la lavorazione dei materiali 2D002 – per l’instradamento attivo dinamico 5D001c – per la produzione di cupole di protezione di antenne radar 6D003d – per la ricostruzione della posizione 6D103 – per la sicurezza aerea 6D003d – per la sicurezza dell’informazione 5D002 – per le macchine per l’avvolgimento delle fibre 4D003c, 5D002 – per le strutture composite 1D002 – per magnetometri 6D003b – per materiale elettronico 3D – per materiali 1D – per robot 2D201 – per sistemi di compensazione magnetica 6D003b – per sistemi di telecomunicazione 5D – strumenti di sviluppo 4D003a – tecnologia per lo sviluppo di s. di integrazione 2E003e solenoidi – superconduttori 3A001e solidificazione direzionale 9B001 – a monocristallo 9E003a soman MB7i, O composti – cloro soman MB7, O composti – con equipaggio, collegati 8A001a – con equipaggio, non collegati 8A001b – senza equipaggio, collegati 8A001c – senza equipaggio, non collegati 8A001d sonar – apparecchiature di registrazione 6A001b – apparecchiature di registrazione s. con correolazione della velocità 6A001 – sistemi per il controllo automatico del moto di 8A002b sonde 3 – di misura di precisione 2B228b – tecnologia per s. a magnetometro 6E003c SONET; rete ottica sincrona 5, DEF – ionica di microfluorurazione 3A233f SORGUYL, tetranitroglicolurile MB8a sorveglianza – sistemi di MB5b sospensioni cardaniche 6A004d sostanze chimiche – apparecchiature per la produzione di 2B350 – mezzi di produzione di 2B350 sostanze polimeriche non fluorate 1A003 sostanze propulsive metalliche 1C011, 1C111a
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sostanze radioattive adatte per l’uso in guerra MB7a sottomunizioni MB3 sottovuoto – atomizzazione 1C002b, DEF – torri di distillazione 1A226 sovracomandi a circuito chiuso 8A002b specchi – ad orientamento del fascio 6A004a – apparecchiature di controllo per 6A004d – compositi o cellulari 6A004a – deformabili 6A004a, DEF – monolitici leggeri 6A004a – ottici 6A004a – qualificati per impiego spaziale 6A004a – raffreddati 6A005e specie nucleari radioattive 1C236 – radar DEF – tecniche di s. e., tecnologie per 5, 6A008h, DEF spettrometri – elettronici 3B002d – di massa a fascio molecolare 3B002d – di massa a ionizzazione termica 3B002d – di massa a plasma ad accopiamento induttivo 3B002d – di massa con scarica a bagliore 3A233b, 3B002d – di massa equipaggiati con una sorgente ionica 3B002d spinta per vibrazione – dispositivi di 2B116c spinterometro 3A228 spolette MB3 spostamento lineare – strumenti di misura dello 2B006b sprytron – vuoto di tipo 3A228a SQUIDS, superconduttori ad interferenza quantistica 6A006h – a film sottile 6A006h SRAM, memorie statiche ad accesso casuale 3A001a SSR, radar secondari di sorveglianza 6A008 stabilizzatori giroscopici 7A013b stadio – meccanismi di separazione di 9A117 staffilococco aureo, tossina dello 1C351d stampaggio idraulico – ad azione diretta 2, DEF – tecnologia per lo 2E003b stampanti di estratti conto direttamente azionate dall’utente 5A002 stearati metallici MB8d
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stiroimbutitura idraulica – macchine di 2E003c – tecnologia per le macchine di 2E003c stoccaggio – serbatoi di 2B350c stomatite vescicolare, virus della 1C352a stroboscopici, sistemi luminosi 8A002g stronzio-bario – niobato di 6A002a strumenti di volo – sistemi di 7A103b – con resine fotosensibili 3C002 – grezzo 6, DEF – ad interferenza quantistica (SQUIDS) 6A006h – a filamenti multipli 1C005a – circuiti 3A001d – dispositivi elettronici 3E002c – elementi 3A001d – filamenti 1C005b – solenoidi 3A001e tabun MB7i, O composti TACOT, tetranitrobenzotriazolobenzotiazolo MB8a taglio – apparecchiature di 1B101d TAGN, nitrato di triamminoguanidina MB8a TAIW, tetraacetildibenzilesaazaisowutzitano MB8e tallio-arsenico tasso vettoriale 3-D 4A003d, DEF TATB, triamminotrinitrobenzene MB8a tavole rotanti basculanti 2B008c, DEF TCSEC criteri (trusted computer system evaluation criteria) 5A002a TE – PVD cfr. Deposizione TEA, trietilalluminio MB8e tecniche di rilevazione omodine 5B001b2 tecniche di rilevazione ottica 5B001b tecniche non distruttive 9B007 tecnologia sezione E di ogni categoria, DEF
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– per apparecchiature ottiche MB7i – per biocatalizzatori 6E003a – per bipolimeri o colture di cellule MB7i – per bussole giroastrali MB7i – per cavi di comunicazione a fibre ottiche 4E – per complessi di commutazione 5E001b – per il trattamento di flussi multipli di dati 5E001b – per il trattamento e la lavorazione dei materiali 4E001 – per l’integrazione dei dati di comando di volo 5E001b, DEF – per la comunicazione dei satelliti 7E104 – per laser 5E001b – per la sicurezza dell’informazione 6E003b – per l’instradamento dinamico adattivo 5E002 – per l’utilizzazione di apparecchiature 5E001b – per materiale elettronico 6E003c – per materiali 3E – per scopi militari 1E – per sensori 5E001b – per telecomunicazione laser 6E003c – software di supporto per la 5E001b – stealth 5D002b TEGDN, trietileneglicoldinitrato MB8e telecamere 8A002d telecomando – apparecchiature di t. per missili 5A101 telecomunicazione 5 – aparecchiature per 5B001 – apparecchiature di collaudo per apparecchiature di 5B001 – produzione di apparecchi di 5B001 telemetria – apparecchiature di t. per missili 5A101 – sistemi di MB5b telescopi a proiezione 6A005f televisione a pagamento – apparecchiature per 5A002 televisivi, sistemi 8A002d tellurio 6C002a DEF tempo – di assestamento 3, DEF – di attesa globale di interruzione 4D003d, DEF – di commutazione della frequenza 3, 5, DEF tempo reale – banda passante in 3A002c, DEF – sistemi di controllo in linea 9B002 – sistemi operativi per apparecchiature di 4A003d
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tempra – rapida 1, DEF tenditori 1B101d TEPAN, tetraetilenepentaminaacrilonitrile MB8e TEPANOL, tetraetilenepentaminaacrilonitrileglicidile tereftalico, acido 1C008b terminali – apparecchiature t. di interfaccia 4A003f, DEF – di punti vendita 5A002 termoluminescenti, dosimetri 1C233 termoplastici, copolimeri cristalli liquidi 1C008b terzio-butil-dinitroazetidina, sali di MB8e tessitura – macchine per la 1B001c tetraacetildibenzilesaazaisowutzitano (TAIW) MB8e tetraetilenepentaminaacrilonitrile (TEPAN) MB8e tetranitrobenzotriazolobenzotiazolo, (TACOT) MB8a tetranitroglicolurile (TNGU, SORGUYL) MB8a tetranitronaftalina MB8e tetrile (trinitrofenilmetilnitramina) MB8a tetrodotossina 1C351d thiodiglicol 1C350 thionile, cloruro di 1C350 tio – etere 1C006b titanio – alluminuri di 1C002a – composti di MB8e – subidruri di t. con stachiometria MB8a TMA, trimetilalluminio MB8e TNAD, 1,4,5,8-tetranitro-1,4,5,8-tetratrazadecalin MB8a TNAZ, 1,1,3-trinitroazetideria MB8a TNGU, tetranitroglicolurile MB8a TNT, 2,4,5-trinitrotoluene MB8e tolleranza ai guasti 4A003a, DEF tomografia a raggi X 1B001f tomoscopia – dispositivi di 8A002d tornitura – macchine per t. in lastra, software per 2D001, 2D101, 2D201 torri – di assorbimento 2B350e – di distillazione sottovuoto 1A226 – filtri per le t. di distillazione 1A226 – botulinum 1C351d – clostridium 1C351d – dello staffilococco aureo 1C351d
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– Shiga 1C351d TPB, trifenil bismuto MB8e tracce di sistema 6D003d, DEF traguardi di puntamento MB5a traiettoria – tecnologia per l’ottimizzazione della 7E104 traiettoria di volo – ottimizzazione della 7, DEF transazioni bancarie – apparecchiature crittografiche per 5A002 transazioni monetarie 5A002a transcoder 5A001b transistor – a microonde 3A001b – registratori di 3A002a trasduttori 6A001a – acustici 6A001a – di pressione 2B230, DEF – di pressioni al quarzo 6A226b trasmissione dei segnali – apparecchiature di 8A002d trasmissione di potenza – sistemi di 8A002o trattamento – di flussi multipli di dati 4, DEF – in tempo reale 2, 4, 6, 7, DEF – dispositivi di 3A001c triamminoguanidina – nitrato di (TAGN) MB8a triamminotrinitrobenzene (TATB) MB8a tricloronitrometano O composti trietanolamina O composti trietilalluminio (TEA) MB8e trietile, fosfito di O composti trietilenedicoldinitrato 1C111c trietileneglicoldinitrato (TEGDN) MB8e trifenil bismuto (TPB) MB8e trifenilene 1C008e triglicina – solfato di 6A002a trimetilalluminio (TMA) MB8e trimetile, fosfito di O composti trinitrato di butantriolo (BTTN) MB8e trinitroanisolo MB8e trinitrofenilmetilnitramina (tetrile) MB8a trinitronaftalina MB8e trinitrossilene MB8e tris-1(2-metil) aziridil fosfin ossido (MAPO) MB8e trizio 1C235 – apparecchiature per il recupero del 1B231a – apparecchiature per la produzione del 1B231a – apparecchiature per l’estrazione del 1B231a – catalizzatori per il recupero del 1A225
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– composti di 1C235 – miscele di 1C235 – prodotti di 1C235 – a catodo freddo 3A228a – ad elica 3A001b – ad onde d’urto 9B005b – amplificatori a campi incrociati 3A001b – a onde progressive 3A001b – a pareti multiple per apparecchiature chimiche 2B350h – di calore criogenici 9A006a – generatori di neutroni 3A231 – intensificatori di immagini focalizzati per la prossimità 6A203b – per l’immagine 6A203b – vidicon di tipo SIT 6A203b – carburo di 1C226 turbina – di espansione 1B232 – di espansione-compressore 1B232 turbina a gas – componenti di 9B004 – elementi di tenuta a spazzola di 9B003 – motori marini a 9A002 – sistemi di controllo per motori a 9B001 – sistemi di propulsione a 9A003 – software per il collaudo di motori aeronautici a 9D004b – strumentazione per motori a 9B002 turbogriglia – piatti di 1B229 turboreattori tute – anti-g MB10g – pressurizzate MB10g – materiali resistenti all’ 3A233d unità centrali 4, 4A003a uomo – agenti patogeni per l’ 1C351 uranio-titanio – leghe di 1C004 vaiolo – virus del 1C351a – virus del v. bianco 1C351a – virus del v. delle scimmie 1C351a – a diaframma 2B350g – a soffietto 2B350g – a tenuta multipla 2B350g – con tenuta a soffietti 2A226 – di non ritorno 2B350g
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– piatti a 1B229 vasi di Dewar 9A006a veicoli – di soccorso 9A116 – punte di ogive per v. di rientro MB6 velocità – di precessione 7, DEF – di trasferimento numerica 5B001b, DEF – di trasferimento numerica totale 5A001b2, 5B001b, DEF vendita – al banco Nota, cat. 5, parte 2 – per corrispondenza Nota, cat. 5, parte 2 – per transizione elettronica Nota, cat. 5, parte 2 verotossina 1C351d vetro – al piombo 1A227 – fluorofosfatato 6C004e – fosfatato 6C004e vettori di espressione MB7, DEF vibrio cholerae 1C351c video, registratori numerici 3A002a videocamere – a colori a semiconduttore 6A003b – resistenti alle radiazioni 6A203c vinilidene – Chukungunya 1C351a – del morbo di Aujeszky 1C352a – della coriomeningite linfatica 1C351a – della febbre di Lassa 1C351a – della febbre emorragica del Congo-Crimea 1C351a – della febbre gialla 1C351a – della febbre suina 1C352a – della febbre suina africana 1C352a – della febbre valle del Rift 1C351a – della lingua blu 1C352a – della malattia del piede e della bocca 1C352a – della malattia di Newcastle 1C352a – della malattia di Teschen 1C352a – della malattia esantematica delle pecore 1C352a – della peste bovina 1C351a – della peste dei piccoli ruminanti 1C352a – della peste suina 1C352a – della stomatite vescicolare 1C352a – dell’encefalite da zecche 1C351c – dell’encefalite equina venezuelana 1C351a – dell’encefalite giapponese 1C351a – dell’encefalite orientale equina 1C351a – dell’encefalite russa primaverile – estiva 1C351a – delle rompiossa o dengue 1C351a – dell’esantema vescicolare dei suini 1C352a
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– dell’herpes porcino 1C352a – dell’influenza avicola 1C352a – del vaiolo 1C351a – del vaiolo bianco 1C351a – del vaiolo delle scimmie 1C351a – di Ebola 1C351a – di Hantaan 1C351a – di Junin 1C351a – di Lissa 1C352a – di Machupo 1C352a – di Marburg 1C351a visione subacquea – sistemi di 8A002d visualizzatori – del tipo a testa alta a scansione 7D003d – tecnologia per v. del tipo a testa alta a scansione 7E004a volo – comandi di v. con fibre ottiche 7E004b, 7E004c – controllo di v. primario 7E004a, DEF – sistemi di controllo attivo del 7, DEF – tecnologia per sistemi di gestione del v. 7E104 vuoto – tecnologia per dispositivi elettronici sotto 3E002a xanthomonas – albilineans 1C354a – camperstris 1C354a – citri 1C354a xenon – unità di comando delle lampade con lampo allo 3A229b xilile – bromuro di MB7i YAG-tulio – laser di 6A005c yersinia pestis 1C351c YSGG-tulio – laser di 6A005c zaffiro-titanio 6A005c zinco – seleniuro di 6C004a – solfuro di 6C004a – fluoruro di 1C234 – leghe di 6C004e – ossido di 1C234 zirconio-lantanio-piombo titanato di 6A002a zolfo – dicloruro di 1C350 – ipriti allo MB7i – monocloruro di 1C350