TAMURA CORPORATION

Tokyo 178-8511

Marcas

Nr. 525667 · Classas 1, 2, 7, 9, 35

protegida fin ils 19-12-2033

Possessura d’ina marca, da quellas 1 en vigur.

Da Swissreg, il register da l’Institut federal da la proprietad intellectuala. Il register numna il possessur mo cun num ed adressa; ina marca è enumerada qua, sch’il num da ses possessur è quel da questa unitad.

Designs

détecteurs de courant

Nr. 141492 · 10-05

deponida ils 02-04-2015

détecteurs de courant

Nr. 138986 · 10-05

deponida ils 30-05-2012

Possessur da 2 registraziuns da design, 2 en vigur.

Da Swissreg, il register da l’Institut federal da la proprietad intellectuala. In design figurescha qua, sch’il num da ses possessur è il num da questa unitad giuridica.

Patents

TREIBERSCHALTUNG

EP4057508

deponida ils 03-02-2022

EP3767310

deponida ils 26-06-2020

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND STROMSENSOR

EP3761045

deponida ils 26-06-2020

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNGSEINHEIT

EP3771305

deponida ils 16-06-2020

TREIBERSCHALTUNGSVORRICHTUNG

EP3709781

deponida ils 05-03-2020

SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3872866

deponida ils 09-10-2019

GEFORMTES LÖTELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR GEFORMTES LÖTELEMENT

EP3628436

deponida ils 18-09-2019

EP3477311

deponida ils 04-10-2018

EP3667737

deponida ils 23-07-2018

SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3651210

deponida ils 12-06-2018

Ulteriuras marcas (38)

HALBLEITERBAUELEMENT

EP4084064

GATE-TREIBERSCHALTUNG

EP4037186

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNGSEINHEIT

EP3817153

ELEKTRONISCHE KOMPONENTE

EP3576112

ELEKTRONISCHE KOMPONENTE

EP3576115

FLUSSMITTEL UND LÖTPASTE

EP3530397

GASREINIGUNGSVORRICHTUNG

EP3517192

SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3591711

BLEIFREIE LÖTLEGIERUNG, ELEKTRONISCHES SCHALTUNGSSUBSTRAT UND ELEKTRONISCHE STEUERUNGSVORRICHTUNG

EP3476520

FLUSSMITTELZUSAMMENSETZUNG, LÖTPASTENZUSAMMENSETZUNG UND ELEKTRONISCHE LEITERPLATTE

EP3335829

TRENCH-MOS-SCHOTTKY-DIODE

EP3451388

BLEIFREIE LÖTLEGIERUNG, FLUSSMITTELZUSAMMENSETZUNG, LÖTPASTENZUSAMMENSETZUNG, ELEKTRONISCHE LEITERPLATTE UND ELEKTRONISCHE STEUERUNGSVORRICHTUNG

EP3321025

HALBLEITERSUBSTRAT UND EPITAKTISCHER WAFER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON

EP3396030

LOTZUSAMMENSETZUNG UND ELEKTRONISCHES SUBSTRAT

EP3150326

TRANSFORMATOR UND SCHALTNETZTEILVORRICHTUNG

EP3267445

VERFAHREN ZUM BEREITSTELLEN EINER LAMINIERTEN KRISTALLSTRUKTUR

EP3272915

HALBLEITERSUBSTRAT, EPITAXIALWAFER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EPITAXIALWAFERS

EP3141635

ß-GA2O3-BASIERTES MONOKRISTALLINES SUBSTRAT

EP2924150

MEHRLAGIGE KRISTALLSTRUKTUR UND HALBLEITERBAUELEMENT ENTHALTEND GA2O3-SCHICHT

EP2889398

VERFAHREN ZUM WACHSTUM EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLINEN FILMS

EP3054037

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON BETA-GA2O3-EINKRISTALL

EP3006607

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS

EP2990509

GA2O3-EINKRISTALLSUBSTRAT

EP2982781

Ladevorrichtung für Sekundärbatterie

EP2757655

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS

EP2933359

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLEN

EP2801645

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON B-GA2O3-SUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KRISTALLLAMINATSTRUKTUR

EP2767621

GA2O3-HALBLEITERELEMENT

EP2765610

GA2O3-HALBLEITERLEMENT

EP2765612

GA2O3-BASIERTES HALBLEITERELEMENT

EP3151285

EP2754738

VERFAHREN ZUR REGULIERUNG DER KONZENTRATION VON DONATOREN IN EINEM GA2O3-EINKRISTALL

EP2755231

GA2O3-BASIERTER EINKRISTALL MIT EINER REGION MIT HÖHERER KONZENTRATION VON DONATOREN ALS EIN UMGEBUNGSBEREICH

EP3493245

KRISTALLSCHICHTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

EP2754736

HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES REAKTORS

EP2518740

EP2461334

STAUBKERN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP2492031

EP2124067

Possessur da 48 patents, 10 en vigur.

Da Swissreg, il register da l’Institut federal da la proprietad intellectuala: patents svizzers e patents europeics cun effect en Svizra. In patent figurescha qua, sch’il num da ses possessur è il num da questa unitad giuridica.