GlobalWafers Co., Ltd
Hsinchu
Marken
GW Global Wafers
Nr. 639170 · Klassen 1, 9, 40
MEMC
Nr. 488193 · Klassen 1, 9
TECHNOLOGY IS BUILT ON US
Nr. 490590 · Klassen 1, 9
Inhaberin von 3 Marken, davon 2 in Kraft.
Aus Swissreg, dem Register des Eidgenössischen Instituts für Geistiges Eigentum. Das Register nennt Inhaber nur mit Name und Adresse; eine Marke steht hier, wenn der Name ihres Inhabers jener dieser Einheit ist.
Patente
VERFAHREN ZUR VERARBEITUNG VON HALBLEITERWAFERN UNTER VERWENDUNG VON DOPPELSEITIGEN SCHLEIFOPERATIONEN
EP4655134
SYNTHETISCHE TIEGEL MIT RANDBESCHICHTUNG
EP4581195
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON EINKRISTALL-SILICIUMBLÖCKEN MIT REDUZIERTER KOHLENSTOFFKONTAMINATION UND SUSZEPTOREN ZUR VERWENDUNG IN SOLCHEN VERFAHREN
EP4532804
REINIGUNGSWERKZEUGE UND VERFAHREN ZUR REINIGUNG DES ZUGKABELS EINER INGOTZIEHVORRICHTUNG
EP4515025
SYSTEME ZUR BESTIMMUNG DES MECHANISCHEN VERSCHLEISSES IN EINER KRISTALLZIEHVORRICHTUNG
EP4496915
INGOTZIEHVORRICHTUNG MIT SILICIUMZUFUHRROHREN MIT STOSSPLATTEN
EP4483002
POLIERKOPFANORDNUNG MIT AUSSPARUNG UND KAPPE
EP4201591
POLIERKOPFANORDNUNG MIT AUSSPARUNG UND KAPPE
EP4359167
VERFAHREN UND SYSTEME ZUR BILDBASIERTEN ROBOTERAUSRICHTUNG
EP4329994
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUMBLÖCKEN DURCH DAS HORIZONTALE MAGNETFELD-CZOCHRALSKI
EP4330450
Weitere Marken (40)
DOPPELSEITIGE SCHLEIFVORRICHTUNG MIT KONVEXEN POLYGONALEN SCHLEIFELEMENTEN
EP4329982
ADDITIVZUFUHRSYSTEME, INGOTZIEHVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILICIUMEINKRISTALLINGOTS UNTER VERWENDUNG SOLCHER ADDITIVZUFUHRSYSTEME
EP4271863
WAFERHORDE ZUM TRAGEN VON HALBLEITERWAFERN IN EINEM OFEN
EP4173025
SYSTEME ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUM UNTER VERWENDUNG EINES HORIZONTALEN MAGNETFELDES
EP4386117
INGOTZIEHVORRICHTUNG MIT EINEM HITZESCHILD UNTER EINER SEITENHEIZUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES INGOTS MIT SOLCH EINER VORRICHTUNG
EP4244412
VERBESSERTE WIDERSTANDSSTABILISIERUNGSMESSUNG VON FETTHALSPLATTEN FÜR HOCHWIDERSTAND- UND ULTRAHOCHWIDERSTAND-EINKRISTALLSILICIUMBLOCKWACHSTUM
EP4209625
RADIOFREQUENZ-SOI-STRUKTUR MIT ÜBERLEGENER LEISTUNG, STABILITÄT UND HERSTELLBARKEIT
EP4235748
SILIZIUM-AUF-ISOLATOR-SUBSTRAT MIT HOHEM WIDERSTAND UND VERBESSERTER LADUNGSABFANGENDER EFFIZIENZ
EP4456146
DIREKTE HERSTELLUNG VON HEXAGONALEM BORNITRID AUF SILICIUM
EP4131338
HOCHRESISTIVER HALBLEITER-AUF-ISOLATOR-WAFER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
EP4170705
VERFAHREN ZUM ABISOLIEREN UND REINIGEN VON HALBLEITERSTRUKTUREN
EP4476761
VERWENDUNG VON ANORDNUNGEN AUS QUARZTEILCHEN WÄHREND DER HERSTELLUNG VON EINKRISTALL-SILICIUMBLÖCKEN
EP4430234
SYSTEME UND VERFAHREN ZUM PROZESSIEREN VON HALBLEITERWAFERN UNTER VERWENDUNG VON GEOMETRIEMETRIKEN VON FRONT-END PROZESSIERTEN WAFERN
EP4388579
VERWENDUNG VON QUARZPLATTEN BEIM WACHSEN VON SILIZIUMEINKRISTALLBLÖCKEN
EP4352283
VERFAHREN ZUR AUSWAHL DER LÄNGEN DER UNTEREN UND OBEREN ABGASROHRABSCHNITTE EINER INGOTZIEHVORRICHTUNG
EP4298271
SYSTEME UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINKRISTALL-SILICIUMBLOCKS MIT EINEM VERDAMPFTEN DOTIERUNGSSTOFF
EP4271864
SYSTEME UND VERFAHREN FÜR EINEN VORHEIZRING IN EINEM HALBLEITERWAFERREAKTOR
EP4271852
SYSTEM UND VERFAHREN FÜR EINEN STRAHLUNGSWÄRMEDECKEL IN EINEM HALBLEITERWAFERREAKTOR
EP4271865
VERWENDUNG VON PUFFERELEMENTEN WÄHREND DES WACHSTUMS VON EINKRISTALL-SILICIUMBLÖCKEN
EP4271862
KRISTALLZIEHSYSTEME MIT EINEM ABDECKELEMENT ZUM ABDECKEN DER SILICIUMLADUNG UND VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN EINER SILICIUMSCHMELZE IN EINER TIEGELANORDNUNG
EP4208589
FENSTER FÜR CHEMISCHE DAMPFABSCHEIDUNGSSYSTEME UND ZUGEHÖRIGE VERFAHREN
EP4200462
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MONOKRISTALLINEN BLOCKS DURCH DAS HORIZONTALE MAGNETFELD-CZOCHRALSKI
EP4185743
AUTOMATISIERTES POLIEREN UND REINIGEN VON HALBLEITERSUBSTRATEN
EP4186092
WAFERHORDE ZUM TRAGEN VON HALBLEITERWAFERN IN EINEM OFEN
EP4173026
SYSTEME UND VERFAHREN ZUR VERBESSERTEN HERSTELLUNG VON WAFERN
EP4104023
VERFAHREN ZUM BILDEN EINER VEREINHEITLICHTEN TIEGELANORDNUNG, TIEGELFORMEN UND VEREINHEITLICHTE TIEGEL
EP4107314
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUM UNTER VERWENDUNG EINES HORIZONTALEN MAGNETFELDES
EP4073295
VERFAHREN ZUM ENTFERNEN EINER OXIDSCHICHT VON EINER SOI-STRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SOI-STRUKTUR
EP4073834
SPALTSYSTEME MIT FEDERELEMENTEN ZUM SPALTEN EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM SPALTEN SOLCHER STRUKTUREN
EP4035202
VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN EINES MIT STICKSTOFF DOTIERTEN EINKRISTALLSILIZIUMBLOCKES UNTER VERWENDUNG EINES KONTINUIERLICHEN CZOCHRALSKI-VERFAHRENS
EP4028583
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINKRISTALLSILIZIUMBARREN UNTER VERWENDUNG VON BORSÄURE ALS DOTIERMITTEL
EP3990683
VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES EINKRISTALLSILICIUMBLOCKS UNTER VERWENDUNG EINES KONTINUIERLICHEN CZOCHRALSKI-VERFAHRENS
EP3956499
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INGOTS MIT REDUZIERTER VERZERRUNG BEI SPÄTER KÖRPERLÄNGE
EP3953504
VERBESSERTE WIDERSTANDSSTABILISIERUNGSMESSUNG VON PLATTEN MIT DICKEM ANSATZ ZUM ZÜCHTEN VON EINKRISTALLINEN SILIZIUMBLÖCKEN MIT HOHEM WIDERSTAND UND ULTRAHOHEM WIDERSTAND
EP3902942
BLOCKZIEHVERFAHREN MIT EINER DOTIERUNGSLEITUNG MIT EINEM PORÖSEN TRENNELEMENT ZUM SUBLIMIEREN VON FESTEM DOTIERSTOFF
EP3894616
DOTIERSTOFFKONZENTRATIONSSTEUERUNG IN SILICIUMSCHMELZE ZUR VERBESSERUNG DER BLOCKQUALITÄT
EP3864197
VERFAHREN ZUM POLIEREN VON HALBLEITERSUBSTRATEN MIT ANPASSUNG AN DIE KISSEN-ZU-KISSEN-SOLL-IST-DIFFERENZ
EP3849742
RADIOFREQUENZ-SOI-STRUKTUR MIT ÜBERLEGENER LEISTUNG, STABILITÄT UND HERSTELLBARKEIT
EP3821460
RADIOFREQUENZ-SOI-WAFERPLATTFORM MIT ÜBERLEGENER LEISTUNG, STABILITÄT UND HERSTELLBARKEIT
EP3821459
PROBENSTÄBCHENWIDERSTANDSMESSUNG WÄHREND DER HERSTELLUNG EINES SILIZIUMEINKRISTALLBLOCKS
EP3814555
Inhaberin von 87 Patenten, 20 in Kraft.
Aus Swissreg, dem Register des Eidgenössischen Instituts für Geistiges Eigentum: Schweizer Patente und europäische Patente mit Wirkung in der Schweiz. Ein Patent steht hier, wenn der Name seiner Inhaberin der Name dieser Rechtseinheit ist.