Transistor mit erhöhter Durchbruchspannung

Europäisches Patent · EP2629332 · Gelöscht

Registereintrag

Publikationsnummer
EP2629332
Anmeldenummer
EP13153374
Art
Europäisches Patent mit Wirkung für die Schweiz und Liechtenstein
Status
Gelöscht
Patentschrift
Erteilt
Angemeldet
31.01.2013
Veröffentlicht
21.08.2013
Erteilt
17.01.2018
Gelöscht
31.01.2018
Grund
Jahresgebühr nicht bezahlt
IPC-Klassen
H01L 29/417 (2006.01)
H01L 29/423 (2006.01)
H01L 29/778 (2006.01)
Priorität
US 201261600469 P 17.02.2012
US 201313749477 24.01.2013
Anmeldesprache
Englisch
Quelle
Swissreg

Verlauf

Was das Eidgenössische Institut für Geistiges Eigentum zu diesem Schutztitel veröffentlicht hat, das Neueste zuerst.

  1. 22.08.2018

    Gelöscht, Gebühr nicht bezahlt

    Veröffentlicht in Swissreg am 22.08.2018

  2. 17.01.2018

    Erteilt

    Veröffentlicht in Swissreg am 17.01.2018

Beteiligte

Inhaberin

Infineon Technologies Americas Corp.

101 N. Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245, US

Erfinderin/Erfinder

Briere, Michael A.

Scottsdale, AZ Arizona 85266, US

Thapar, Naresh

San Diego, AZ Arizona 92130, US

Garg, Reenu

Torrance, AZ Arizona 90503, US

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