Leistungstransistor mit segmentiertem Gate

Europäisches Patent · EP2629334 · Gelöscht

Registereintrag

Publikationsnummer
EP2629334
Anmeldenummer
EP13153373
Art
Europäisches Patent mit Wirkung für die Schweiz und Liechtenstein
Status
Gelöscht
Patentschrift
Erteilt
Angemeldet
31.01.2013
Veröffentlicht
21.08.2013
Erteilt
31.01.2018
Gelöscht
31.01.2018
Grund
Jahresgebühr nicht bezahlt
IPC-Klassen
H01L 29/423 (2006.01)
Priorität
US 201261600407 P 17.02.2012
US 201313750986 25.01.2013
Anmeldesprache
Englisch
Quelle
Swissreg

Verlauf

Was das Eidgenössische Institut für Geistiges Eigentum zu diesem Schutztitel veröffentlicht hat, das Neueste zuerst.

  1. 22.08.2018

    Gelöscht, Gebühr nicht bezahlt

    Veröffentlicht in Swissreg am 22.08.2018

  2. 31.01.2018

    Erteilt

    Veröffentlicht in Swissreg am 31.01.2018

Beteiligte

Inhaberin

Infineon Technologies Americas Corp.

101 N. Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245, US

Erfinderin/Erfinder

Briere, Michael A.

Scottsdale, AZ Arizona 85266, US

Thapar, Naresh

San Diego, CA 92130, US

Das Register nennt jede Partei mit Namen und Adresse. Eine Inhaberin oder Vertretung wird mit einer Organisation verknüpft, wenn genau eine Rechtseinheit des Handelsregisters ihren Namen trägt; die Strasse einer nicht so erkannten Partei wird hier nicht gezeigt.