Headway Technologies, Inc.

Milpitas, CA

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REDUKTION EINES DECKSCHICHTWIDERSTANDSBEREICHSPRODUKTS FÜR MAGNETVORRICHTUNGSANWENDUNGEN

EP2834816

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FREIE SCHICHT MIT HOHER WÄRMESTABILITÄT UND HOHER DREIDIMENSIONALER ANISOTROPIE FÜR ANWENDUNGEN MIT EINER MAGNETVORRICHTUNG

EP2820649

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REFERENZSTRUKTUR MIT HOHER WÄRMESTABILITÄT SOWIE SENKRECHTER ANISOTROPIE FÜR ANWENDUNGEN MIT MAGNETISCHEN VORRICHTUNGEN

EP2820681

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MANIPULIERTE MAGNETISCHE SCHICHT MIT VERBESSERTER SENKRECHTER ANISOTROPIE UNTER VERWENDUNG VON VERGLASUNGSMITTELN FÜR SPINTRONISCHE ANWENDUNGEN

EP2820680

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MEHRSCHICHTKÖRPER MIT EINEM REDUZIERTEN SENKRECHTEN ENTMAGNETISIEREN FELD UND MIT MOMENTVERDÜNNUNG FÜR SPINTRONISCHE ANWENDUNGEN

EP2705518

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VERFAHREN UND ZUSAMMENSETZUNGEN ZUR VERANKERUNG EINES ERKENNBAREN ETIKETTS AN EINEM LOKALISIERTEN ZIEL

EP2675917

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MAGNETISCHES ELEMENT MIT VERBESSERTER VERTIKALER ANISOTROPIE FÜR SPINTRONISCHE ANWENDUNGEN

EP2673807

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MAGNETTUNNELÜBERGANG MIT EINEM MEHRSCHICHTIGEN COFE/NI-FILM MIT ORTHOGONAL VERLAUFENDER MAGNETISCHER ANISOTROPIE FÜR MRAM-ANWENDUNGEN

EP2502232

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HERSTELLUNG VON MRAM-BITLEITUNGEN

EP2491575

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VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEREINIGUNG ANGEHÄUFTER DATENFEHLER AUS EINEM SPEICHERSYSTEM

EP2446361

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SMT-MRAM-ARCHITEKTUR MIT EIN-BIT-LEITUNG UND PROGRAMMIERVERFAHREN

EP2427884

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VERFAHREN ZUR DOPPELTEN MASKIERUNG UND ÄTZUNG VON MAGNETTUNNEL-VERBINDUNGSSTRUKTUREN FÜR STT-MRAM-VORRICHTUNGEN

EP2412003

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NEUE FREIE SCHICHT/DECKSCHICHT FÜR HOCHLEISTUNGS-MRAM MTJ

EP2377126

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VERFAHREN UND ZUSAMMENSETZUNGEN BEI DEM NACHWEIS VON ZIELMOLEKÜLEN AUF PARTIKELBASIS UNTER VERWENDUNG VON VERKNÜPFUNGSMOLEKÜLEN

EP2358897

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VERFAHREN UND ZUSAMMENSETZUNGEN BEI DEM NACHWEIS VON ZIELMOLEKÜLEN AUF PARTIKELBASIS UNTER VERWENDUNG VON KOVALENTE BINDUNGEN AUSBILDENDEN REAKTIVEN PAAREN

EP2358898

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GMR-BIOSENSOR MIT AUSGERICHTETEM MAGNETFELD

EP2353162

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EINGEGRENZTES FELD-MAGNETSYSTEM UND VERFAHREN

EP2286421

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EINE ADRESSIERBARE MTJ-ANORDNUNG (MTJ - MAGNETIC TUNNEL JUNCTION) ZUR DETEKTION VON MAGNETISCHEN TEILCHEN VERWENDENDE VORRICHTUNGEN

EP2250514

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Hafniumdotierte Kappe und freie Schicht für eine MRAM-Vorrichtung

EP1918947

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GMR Biosensor mit erhöhter Empfindlichkeit

EP2390651

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MgO/NiFe-MTJ für Hochleistungs-MRAM-Anwendung

EP1801895

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MIKROFLUIDISCHER NACHWEIS VON ANALYTEN

EP1931979

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Magetspeicherzellenfeld mit wahlfreiem Zugriff mit dünnen elektrisch leitfähigen Lese- und Schreibleitungen

EP1619689

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Magnetischer Wirbeldirektzugriffsspeicher

EP1622161

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Neue Abdeckstruktur zum Verbessern von dR/R einer MTJ-Vorrichtung

EP1607980

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Magnetisches Speicherzellenfeld mit benachbarter gekoppelter weichmagnetischer Schicht

EP1610341

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Neue Unterschicht für Hochleistungs-MRAM mit magnetischem Tunnelübergang

EP1615226

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Adaptiver Algorithmus zur MRAM Herstellung

EP1624458

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Mram mit einer neuen Pufferschicht

EP1598865

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