CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Jiangsu
Patents
ÜBERGANGSSPANNUNGSUNTERDRÜCKUNGSVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3846207
MIT ABREICHERUNGSÜBERGANGSFELDEFFEKTTRANSISTOR INTEGRIERTE KOMPONENTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER KOMPONENTE
EP3509102
BIPOLARER TRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
EP3989292
LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3905334
TEMPERATURSENSORHERSTELLUNGSVERFAHREN
EP3845485
SPLIT-GATE-VORRICHTUNG MIT GRÄBEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON
EP3780067
VORRICHTUNG MIT INTEGRIERTEM SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3509101
BAUELEMENT MIT INTEGRIERTEM SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON
EP3509110
VDMOS-VORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3499550
VDMOS-VORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3499581
Ulteriuras marcas (22)
BIPOLARER TRANSISTOR MIT SEITLICHEM ISOLIERTEM GATE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3474330
MEMS-MIKROFON UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP3468226
LATERALER DIFFUNDIERTER METALLOXID-HALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTOR
EP3385993
BIPOLARER TRANSISTOR MIT SEITLICHEM ISOLIERTEM GATE
EP3240039
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ZWEISCHICHTIGEN MEMS-SUSPENSIONSMIKROSTRUKTUR UND MEMS- INFRAROTDETEKTOR
EP3228583
POSITIONIERUNGSVERFAHREN IN EINEM MIKROVERARBEITUNGSVERFAHREN FÜR BULK-SILICIUM
EP3098196
MEMS-MIKROFON
EP3177038
MEMS-BASIERTES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SENSORS
EP3150548
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS MIT ISOLIERTEM GATE
EP3041036
HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES BIPOLAREN TRANSISTORS MIT ISOLIERTEM GATE
EP3043387
HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR RÜCKWÄRTSLEITENDEN BIPOLAREN TRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
EP3002781
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINSPRITZUNGSVERSTÄRKTEN BIPOLARTRANSISTORS MIT ISOLIERTEM GATE
EP3026695
HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES RÜCKWÄRTSLEITENDEN BIPOLAREN TRANSISTORS MIT STOPPSCHICHT UND ISOLIERTEM GATE
EP3016144
GRABEN-DMOS-VORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP2903028
VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER SCHUTZSCHICHT AUS POLYKRISTALLINEM SILICIUM AUF EINER IGBT-RÜCKSEITE MIT FELDKONFEKTIONIERUNG
EP2879168
MEMS-CHIP UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
EP2857348
HOCHSPANNUNGS-SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTOR
EP2860762
HOCHSPANNUNGS-SCHWERSTROM-ANTRIEBSSCHALTUNG IN EINEM LEISTUNGSFAKTORKORREKTOR
EP2782233
AUSGANGSÜBERSPANNUNGSSCHUTZSCHALTUNG ZUR LEISTUNGSFAKTORKORREKTUR
EP2779344
Verfahren zur Bildung eines PN-Superübergangs
EP2709142
SCR-VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR EINSTELLUNG VON DEREN SPANNUNGSFESTIGKEIT
EP2630658
LITHIUMBATTERIE-SCHUTZSCHALTUNG
EP2630714
Possessur da 32 patents, 2 en vigur.
Da Swissreg, il register da l’Institut federal da la proprietad intellectuala: patents svizzers e patents europeics cun effect en Svizra. In patent figurescha qua, sch’il num da ses possessur è il num da questa unitad giuridica.