TAMURA CORPORATION

Tokyo 178-8511

Marken

Inhaberin einer Marke, davon 1 in Kraft.

Aus Swissreg, dem Register des Eidgenössischen Instituts für Geistiges Eigentum. Das Register nennt Inhaber nur mit Name und Adresse; eine Marke steht hier, wenn der Name ihres Inhabers jener dieser Einheit ist.

Designs

Inhaberin von 2 Designeintragungen, 2 in Kraft.

Aus Swissreg, dem Register des Eidgenössischen Instituts für Geistiges Eigentum. Ein Design steht hier, wenn der Name seiner Inhaberin der Name dieser Rechtseinheit ist.

Patente

Weitere Marken (38)
HALBLEITERBAUELEMENT

EP4084064

Gelöscht
GATE-TREIBERSCHALTUNG

EP4037186

Gelöscht
ELEKTRONISCHE VORRICHTUNGSEINHEIT

EP3817153

Gelöscht
ELEKTRONISCHE KOMPONENTE

EP3576112

Gelöscht
ELEKTRONISCHE KOMPONENTE

EP3576115

Gelöscht
FLUSSMITTEL UND LÖTPASTE

EP3530397

Gelöscht
GASREINIGUNGSVORRICHTUNG

EP3517192

Gelöscht
SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3591711

Gelöscht
BLEIFREIE LÖTLEGIERUNG, ELEKTRONISCHES SCHALTUNGSSUBSTRAT UND ELEKTRONISCHE STEUERUNGSVORRICHTUNG

EP3476520

Gelöscht
FLUSSMITTELZUSAMMENSETZUNG, LÖTPASTENZUSAMMENSETZUNG UND ELEKTRONISCHE LEITERPLATTE

EP3335829

Gelöscht
TRENCH-MOS-SCHOTTKY-DIODE

EP3451388

Gelöscht
BLEIFREIE LÖTLEGIERUNG, FLUSSMITTELZUSAMMENSETZUNG, LÖTPASTENZUSAMMENSETZUNG, ELEKTRONISCHE LEITERPLATTE UND ELEKTRONISCHE STEUERUNGSVORRICHTUNG

EP3321025

Gelöscht
HALBLEITERSUBSTRAT UND EPITAKTISCHER WAFER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON

EP3396030

Gelöscht
LOTZUSAMMENSETZUNG UND ELEKTRONISCHES SUBSTRAT

EP3150326

Gelöscht
TRANSFORMATOR UND SCHALTNETZTEILVORRICHTUNG

EP3267445

Gelöscht
VERFAHREN ZUM BEREITSTELLEN EINER LAMINIERTEN KRISTALLSTRUKTUR

EP3272915

Gelöscht
HALBLEITERSUBSTRAT, EPITAXIALWAFER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EPITAXIALWAFERS

EP3141635

Gelöscht
ß-GA2O3-BASIERTES MONOKRISTALLINES SUBSTRAT

EP2924150

Gelöscht
MEHRLAGIGE KRISTALLSTRUKTUR UND HALBLEITERBAUELEMENT ENTHALTEND GA2O3-SCHICHT

EP2889398

Gelöscht
VERFAHREN ZUM WACHSTUM EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLINEN FILMS

EP3054037

Gelöscht
VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON BETA-GA2O3-EINKRISTALL

EP3006607

Gelöscht
VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS

EP2990509

Gelöscht
GA2O3-EINKRISTALLSUBSTRAT

EP2982781

Gelöscht
Ladevorrichtung für Sekundärbatterie

EP2757655

Gelöscht
VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS

EP2933359

Gelöscht
VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLEN

EP2801645

Gelöscht
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON B-GA2O3-SUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KRISTALLLAMINATSTRUKTUR

EP2767621

Gelöscht
GA2O3-HALBLEITERELEMENT

EP2765610

Gelöscht
GA2O3-HALBLEITERLEMENT

EP2765612

Gelöscht
GA2O3-BASIERTES HALBLEITERELEMENT

EP3151285

Gelöscht
SCHOTTKY-DIODE

EP2754738

Gelöscht
VERFAHREN ZUR REGULIERUNG DER KONZENTRATION VON DONATOREN IN EINEM GA2O3-EINKRISTALL

EP2755231

Gelöscht
GA2O3-BASIERTER EINKRISTALL MIT EINER REGION MIT HÖHERER KONZENTRATION VON DONATOREN ALS EIN UMGEBUNGSBEREICH

EP3493245

Gelöscht
KRISTALLSCHICHTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

EP2754736

Gelöscht
HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES REAKTORS

EP2518740

Gelöscht
INDUKTOR

EP2461334

Gelöscht
STAUBKERN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP2492031

Gelöscht
STROMDETEKTOR

EP2124067

Gelöscht

Inhaberin von 48 Patenten, 10 in Kraft.

Aus Swissreg, dem Register des Eidgenössischen Instituts für Geistiges Eigentum: Schweizer Patente und europäische Patente mit Wirkung in der Schweiz. Ein Patent steht hier, wenn der Name seiner Inhaberin der Name dieser Rechtseinheit ist.