CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.

Jiangsu

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BIPOLARER TRANSISTOR MIT SEITLICHEM ISOLIERTEM GATE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP3474330

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MEMS-MIKROFON UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP3468226

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LATERALER DIFFUNDIERTER METALLOXID-HALBLEITER-FELDEFFEKTTRANSISTOR

EP3385993

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BIPOLARER TRANSISTOR MIT SEITLICHEM ISOLIERTEM GATE

EP3240039

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VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER ZWEISCHICHTIGEN MEMS-SUSPENSIONSMIKROSTRUKTUR UND MEMS- INFRAROTDETEKTOR

EP3228583

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POSITIONIERUNGSVERFAHREN IN EINEM MIKROVERARBEITUNGSVERFAHREN FÜR BULK-SILICIUM

EP3098196

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MEMS-MIKROFON

EP3177038

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MEMS-BASIERTES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SENSORS

EP3150548

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VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS MIT ISOLIERTEM GATE

EP3041036

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HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES BIPOLAREN TRANSISTORS MIT ISOLIERTEM GATE

EP3043387

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HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR RÜCKWÄRTSLEITENDEN BIPOLAREN TRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE

EP3002781

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VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINSPRITZUNGSVERSTÄRKTEN BIPOLARTRANSISTORS MIT ISOLIERTEM GATE

EP3026695

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HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES RÜCKWÄRTSLEITENDEN BIPOLAREN TRANSISTORS MIT STOPPSCHICHT UND ISOLIERTEM GATE

EP3016144

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GRABEN-DMOS-VORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP2903028

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VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER SCHUTZSCHICHT AUS POLYKRISTALLINEM SILICIUM AUF EINER IGBT-RÜCKSEITE MIT FELDKONFEKTIONIERUNG

EP2879168

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MEMS-CHIP UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP2857348

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HOCHSPANNUNGS-SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTOR

EP2860762

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HOCHSPANNUNGS-SCHWERSTROM-ANTRIEBSSCHALTUNG IN EINEM LEISTUNGSFAKTORKORREKTOR

EP2782233

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AUSGANGSÜBERSPANNUNGSSCHUTZSCHALTUNG ZUR LEISTUNGSFAKTORKORREKTUR

EP2779344

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Verfahren zur Bildung eines PN-Superübergangs

EP2709142

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SCR-VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR EINSTELLUNG VON DEREN SPANNUNGSFESTIGKEIT

EP2630658

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LITHIUMBATTERIE-SCHUTZSCHALTUNG

EP2630714

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