Leistungstransistor mit segmentiertem Gate

Brevetto europeo · EP2629334 · Radiato

Iscrizione nel registro

Numero di pubblicazione
EP2629334
Numero della domanda
EP13153373
Tipo
Brevetto europeo con effetto per la Svizzera e il Liechtenstein
Stato
Radiato
Fascicolo
Rilasciato
Depositato
31 gen 2013
Pubblicato
21 ago 2013
Rilasciato
31 gen 2018
Radiato
31 gen 2018
Motivo
Tassa annuale non pagata
Classi IPC
H01L 29/423 (2006.01)
Priorità
US 201261600407 P 17.02.2012
US 201313750986 25.01.2013
Lingua del deposito
inglese
Fonte
Swissreg

Cronologia

Ciò che l’Istituto Federale della Proprietà Intellettuale ha pubblicato su questo titolo, dal più recente.

  1. 22 ago 2018

    Radiato, tassa non pagata

    Pubblicato in Swissreg il 22.08.2018

  2. 31 gen 2018

    Rilasciato

    Pubblicato in Swissreg il 31.01.2018

Parti

Titolare

Infineon Technologies Americas Corp.

101 N. Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245, US

Inventore

Briere, Michael A.

Scottsdale, AZ Arizona 85266, US

Thapar, Naresh

San Diego, CA 92130, US

Il registro designa ogni parte con nome e indirizzo. Un titolare o un rappresentante è collegato a un’organizzazione quando un solo ente del registro di commercio porta il suo nome; la via di una parte non riconosciuta così non è mostrata qui.