Leistungstransistor mit segmentiertem Gate

Brevet européen · EP2629334 · Radié

Inscription au registre

Numéro de publication
EP2629334
Numéro de demande
EP13153373
Type
Brevet européen avec effet pour la Suisse et le Liechtenstein
Statut
Radié
Fascicule
Délivré
Déposé
31 janv. 2013
Publié
21 août 2013
Délivré
31 janv. 2018
Radié
31 janv. 2018
Motif
Annuité impayée
Classes CIB
H01L 29/423 (2006.01)
Priorité
US 201261600407 P 17.02.2012
US 201313750986 25.01.2013
Langue du dépôt
anglais
Source
Swissreg

Historique

Ce que l’Institut Fédéral de la Propriété Intellectuelle a publié sur ce titre, du plus récent au plus ancien.

  1. 22 août 2018

    Radié, taxe impayée

    Publié dans Swissreg le 22.08.2018

  2. 31 janv. 2018

    Délivré

    Publié dans Swissreg le 31.01.2018

Parties

Titulaire

Infineon Technologies Americas Corp.

101 N. Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245, US

Inventeur

Briere, Michael A.

Scottsdale, AZ Arizona 85266, US

Thapar, Naresh

San Diego, CA 92130, US

Le registre désigne chaque partie par son nom et son adresse. Un titulaire ou un mandataire est lié à une organisation lorsqu’une seule entité du registre du commerce porte son nom ; la rue d’une partie non reconnue ainsi n’est pas affichée ici.