TAMURA CORPORATION

Tokyo 178-8511

Marques

No 525667 · Classes 1, 2, 7, 9, 35

protégée jusqu’au 19 déc. 2033

Titulaire d’une marque, dont 1 en vigueur.

Selon Swissreg, le registre de l’Institut Fédéral de la Propriété Intellectuelle. Le registre ne désigne le titulaire que par son nom et son adresse ; une marque figure ici lorsque le nom de son titulaire est celui de cette entité.

Designs

détecteurs de courant

No 141492 · 10-05

déposée le 2 avr. 2015

détecteurs de courant

No 138986 · 10-05

déposée le 30 mai 2012

Titulaire de 2 enregistrements de design, 2 en vigueur.

Selon Swissreg, le registre de l’Institut Fédéral de la Propriété Intellectuelle. Un design figure ici lorsque le nom de son titulaire est celui de cette entité.

Brevets

TREIBERSCHALTUNG

EP4057508

déposée le 3 févr. 2022

EP3767310

déposée le 26 juin 2020

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND STROMSENSOR

EP3761045

déposée le 26 juin 2020

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNGSEINHEIT

EP3771305

déposée le 16 juin 2020

TREIBERSCHALTUNGSVORRICHTUNG

EP3709781

déposée le 5 mars 2020

SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3872866

déposée le 9 oct. 2019

GEFORMTES LÖTELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR GEFORMTES LÖTELEMENT

EP3628436

déposée le 18 sept. 2019

EP3477311

déposée le 4 oct. 2018

EP3667737

déposée le 23 juil. 2018

SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3651210

déposée le 12 juin 2018

Autres marques (38)

HALBLEITERBAUELEMENT

EP4084064

GATE-TREIBERSCHALTUNG

EP4037186

ELEKTRONISCHE VORRICHTUNGSEINHEIT

EP3817153

ELEKTRONISCHE KOMPONENTE

EP3576112

ELEKTRONISCHE KOMPONENTE

EP3576115

FLUSSMITTEL UND LÖTPASTE

EP3530397

GASREINIGUNGSVORRICHTUNG

EP3517192

SCHOTTKY-BARRIEREN-DIODE

EP3591711

BLEIFREIE LÖTLEGIERUNG, ELEKTRONISCHES SCHALTUNGSSUBSTRAT UND ELEKTRONISCHE STEUERUNGSVORRICHTUNG

EP3476520

FLUSSMITTELZUSAMMENSETZUNG, LÖTPASTENZUSAMMENSETZUNG UND ELEKTRONISCHE LEITERPLATTE

EP3335829

TRENCH-MOS-SCHOTTKY-DIODE

EP3451388

BLEIFREIE LÖTLEGIERUNG, FLUSSMITTELZUSAMMENSETZUNG, LÖTPASTENZUSAMMENSETZUNG, ELEKTRONISCHE LEITERPLATTE UND ELEKTRONISCHE STEUERUNGSVORRICHTUNG

EP3321025

HALBLEITERSUBSTRAT UND EPITAKTISCHER WAFER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON

EP3396030

LOTZUSAMMENSETZUNG UND ELEKTRONISCHES SUBSTRAT

EP3150326

TRANSFORMATOR UND SCHALTNETZTEILVORRICHTUNG

EP3267445

VERFAHREN ZUM BEREITSTELLEN EINER LAMINIERTEN KRISTALLSTRUKTUR

EP3272915

HALBLEITERSUBSTRAT, EPITAXIALWAFER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EPITAXIALWAFERS

EP3141635

ß-GA2O3-BASIERTES MONOKRISTALLINES SUBSTRAT

EP2924150

MEHRLAGIGE KRISTALLSTRUKTUR UND HALBLEITERBAUELEMENT ENTHALTEND GA2O3-SCHICHT

EP2889398

VERFAHREN ZUM WACHSTUM EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLINEN FILMS

EP3054037

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON BETA-GA2O3-EINKRISTALL

EP3006607

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS

EP2990509

GA2O3-EINKRISTALLSUBSTRAT

EP2982781

Ladevorrichtung für Sekundärbatterie

EP2757655

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS

EP2933359

VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLEN

EP2801645

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON B-GA2O3-SUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER KRISTALLLAMINATSTRUKTUR

EP2767621

GA2O3-HALBLEITERELEMENT

EP2765610

GA2O3-HALBLEITERLEMENT

EP2765612

GA2O3-BASIERTES HALBLEITERELEMENT

EP3151285

EP2754738

VERFAHREN ZUR REGULIERUNG DER KONZENTRATION VON DONATOREN IN EINEM GA2O3-EINKRISTALL

EP2755231

GA2O3-BASIERTER EINKRISTALL MIT EINER REGION MIT HÖHERER KONZENTRATION VON DONATOREN ALS EIN UMGEBUNGSBEREICH

EP3493245

KRISTALLSCHICHTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

EP2754736

HERSTELLUNGSVERFAHREN EINES REAKTORS

EP2518740

EP2461334

STAUBKERN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR

EP2492031

EP2124067

Titulaire de 48 brevets, 10 en vigueur.

Selon Swissreg, le registre de l’Institut Fédéral de la Propriété Intellectuelle : brevets suisses et brevets européens ayant effet en Suisse. Un brevet figure ici lorsque le nom de son titulaire est celui de cette entité.